H01L 21/471 — из неорганических веществ

Номер патента: 187160

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Биб, Изобретепи, Мыльников, Рыбалко, Сладков, Теренин, Ухин

МПК: H01L 21/471, H01L 51/00

Метки: фотополупроводниковое

...УС 1 РОЙС 1 ВО ИзвесРР 1 о применение органических полу- прок;:,ников для изготовления электрофотографичес 1(Р 1 х слоев, в частности полиинов общей формулы К; - (С: - С) - К где и=.2, Кт и К - Органические радикалы.Предлох(ено фотополупроводниковое устрОЙство, В котором, с цель 1 О повышени 51 его чувствительности, чувствительный элемент выполня 1 от цз ацетиленидов металлов общей формулы ИСТОМ ВИДЕ Р 1 СО СВ 51 ЗУЮ 1 ЦИЫЦ НЯ 1 ЬС 51 Вствами.Злектр5 пол имернПОЛ ОРИ ЦТ осротограиде суспеых связельные и овлендов ваняю Пред м е водниковое устройство ствительнь 1 м элементом,1, что, с цел 5 по повышенити, чувствительный э ацетцленидов металлов 1 олупро м чувс ся те 1( тельнос тнот из ы орга- отлия его цемент общей- К илиК - С:-С М Ме...

Номер патента: 336898

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алекс, Арпад, Виль, Инкорпорейтед, Иностранна, Соединенные

МПК: H01L 21/471

Метки: 336898

...чем ионы, поэтому электроныпроникают в любое тело в контакте с плазмой, создавая на поверхности тела потенциальный барьер. Поэтому для того, чтооысубстрат подвергался интенсивной цонноцбомбардировке, нет необходимости делать цзнего настоящий катод с внешним источником постоянного тока, Субстрат, погруженныйв плазму, фактически становится катодом изза наличия потенциального барьера,П р и м е р 1. Используют аппаратуру, показанную на чертеже. Отполированные кремниевые кружки располагают на кремниевойстойке и помещают в герметически закрытуюкамеру. С помощью магнитного привода стойку устанавливают в положение, обеспечивающее идентичность расположения кружког,Затем субстрат с помощью высокочастотногоподогревателя нагревают...

Номер патента: 341116

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бузанева, Кононенко, Паничевска, Стриха

МПК: H01L 21/471

Метки: 341116

...из сост авов.1. Верхний слой - плавиковая кислота(48% ОСЧ): нижний слой - насыщенный раствор йода (ЧДА) в хлороформе (фарм.).11, Верхний слой - пл авидовая,кислота 10 (48% ОСЧ); нижний слой - ;насыщенныйраствор йода (ЧДА);в хлороформе (фарм,) с добавлением 0,01% раствора дитизона (ч перекристаллиаованный),в хлороформе (фарм.) в соотношеиии 4: 1.15 111. Верхний,слой - плавиковая кислота(48% ОСЧ); нижний слой - насыщенный раствор йода в хлороформе с добавлением 0,01 % раствора датизона в хлороформе;в соотношении 4:1,и с 0,05 мг/мл нижеля, вве денного в виде дитизоната.1 Ч. Верхний слой - ,плавиковая кислота(48%, ОСЧ): нижний слой - насыщенный раствор йода в хлороформе,с добавлениезт 0,01% распвора дитизона в хлороформе в со отношении 4:...