Фланец для полупроводниковых элементов

Номер патента: 186567

Авторы: Дроздов, Зотов, Ленин

ZIP архив

Текст

Союз Сооетскил Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 02.П 1.1962 ( 786158/25-27) Кл, 21 д, 11/02 49 Ь, 35/02 с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 03.Х.1966. Бюллетень1 Дата опубликования описания 3.Х.1966 ПК Н 01/ В 231 ДК 621,315,592;621.Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРАвторыизобретения нин и Г. А. Дроздов И. Зотов, Н явитель ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛА Известны фланцы для полупроводниковых приборов, содержащие плоскость для монтажа полупроводниковых переходов, разгрузочную канавку для локализации деформации при сварке и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке,Описываемый фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке, Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртикаНа чертеже изображен предлагаемый фланец,Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 3. Поверхность 4 разгрузочной кана ки и поверхность 5 сварочного буртика и раллельны одна другой, и расстояние межд ними не превышает 0,1 толщины буртика. Предмет изобретенияФланец для полупроводниковых элементовс плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную ка навку и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке давлением, ог,гичаюгцийся тем, что, с целью уменьшения веса фланца и локализации нагрузок, возникающих при холодной сварке, нижняя поверх ность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртика.386567Составитель А. Савостин Редактор Л. М. Жаворонкова Техред Ц. Я, Бриккер Корректоры: А, Е. Марисичи С. Н, Соколова Заказ 3383/2 Тираж 3175 Формат бум. 60 К 90/а Объем 0,1 изд, л. Подписное Ц 11 ИЛПР 1 Комит та по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4Типография, пр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

786158

В. И. Зотов, Н. М. Ленин, Г. А. Дроздов

МПК / Метки

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04

Метки: полупроводниковых, фланец, элементов

Опубликовано: 01.01.1966

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-186567-flanec-dlya-poluprovodnikovykh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фланец для полупроводниковых элементов</a>

Похожие патенты