Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов

Номер патента: 186032

Автор: Институт

ZIP архив

Текст

186 О 32 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 16.1.1965 (М 943049/26-25) 1(л. 21 д, 11/02 присоединением заявки1 Г 1 К Н 0 иорите Комитет по делам аобретений и открытий при Спеете Министрое СССР82.2/3 (088 12.1 Х,1966. Бюллетень18 публикова Дата опубликования описания 20.Х,19 б Лвтор изобретен Г, В. Смирно ститут физической химЧ )к СССРЗаявитель СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВИзвестны способы обработки поверхности полупроводниковых приборов, например кремниевых триодов, безводным газообразным фтористым водородом и сухим кислородом с промежуточным вакуумированием рабочего объема до 110 - 4 лтм рт. ст,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что после воздействия фтористого водорода и последующего вакуумирования рабочего объема до 1 10 - 4 мм рт. ст. обрабатываемую поверхность подвергают воздеиствию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст, Способ позволяет получить более стабильные и низкие значения обратных токов и увеличить коэффициент усиления по току.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Полупроводниковые приборы после сборки на ножку, стандартного химического травления и промывки помещают в реактор из нержавеющей стали. В реакторе создают вакуум порядка 110 - 4 мм рт. ст. и подвергают воздействию газообразного фтористого водорода при давлении порядка 100 лм рт. ст. и комнатной температуре.После откачки фтористого водорода из реактора прибор подвергают воздействию сухого кислорода при давлении порядка 1 мм рт. ст.Предмет изобретенияСпособ обработки поверхности полупроводниковых приборов, например кремниевых триодов, безводными газообразными фтористым водородом и кислородом с промежуточным вакуумированием рабочего объема до 110 - 4 мм рт. ст отличающийся тем, что, с целью получения низких и стабильных значе пий обратных токов и увеличения коэффициен та усиления по току, обработанную фтористым водородом поверхность прибора подвеР. гают воздействию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст.

Смотреть

Заявка

943049

Институт физической химии СССР

МПК / Метки

МПК: H01L 21/465

Метки: поверхности, полупроводниковыхприборов

Опубликовано: 01.01.1966

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-186032-sposob-obrabotki-poverkhnosti-poluprovodnikovykhpriborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов</a>

Похожие патенты