Адирович

Номер патента: 546936

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Адирович, Борисов, Найманбаев, Поспелов, Трутнев, Юабов

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее

...большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзи стора, другие соединены с истоком МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.На чертеже показано предлагаемое запоминающее устройство. Устройство состоит из МДП транзистора 1 с поляризующимся диэлектриком, например 51 зХ илп 510 - ЯзК, в цепь затвора которого включены две ЛФН пленки 2 и 3 так, что фотонапряженпе одной пз них подается Га управляющий электрод положительной полярностью, а другой - отрицательной полярностью. Сток МДП транзистора подключен к шине 4 считывания, исток - к шине 5 источника питающего напряжения.При освещении одной из пленок происходит запись информации, прп освещении другой - стирание. Так как сопротивление...

Номер патента: 478325

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Адирович, Гальперин, Рубинов, Цибулин

МПК: G06G 7/19

Метки: линейной, оптических, сигналов, электрических

...возбужденных носителей, внешнее воздействие формируют в виде пространственногоделения напряжений на этой струкропорционального заданной весовойфункции, а выходной сигнал снимают в виде тока, протекающего через двумернуюструктуру,Время запоминания сигнала задают подбором времени релаксации управляемой проводимости (времени жизни возбужденныхносителей фотопроводимости) . Весовую функцию задают в виде пространственного распределения напряжений, приложенных к двумерной структуре с записанным сигналом.При этом ток через каждый поверхностныйэлемент структуры оказывается про ональным. произведению проводимости элемента и приложенного к нему напряжени,а полный ток через структуру равен суммеэлементарных токов.Таким образом формируется одно...

Номер патента: 177557

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Дун, Ощепков, Рождественска, Рубинов, Сиприкова, Юабов

МПК: H01L 31/18

Метки: дискретных, системы

Номер патента: 183844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Литори, Рождеств, Рубинов, Сиприкова, Тошзнля, Юабов

МПК: H01L 31/06

Метки: 183844

...проводимостью и датчиковдля получения многоэлементной информации.В качестве датчиков используются фотосопрвтивления, которые изменяют нод действиемрадид 10 в распределение потенциала, создд; 10)1 емого внешним источником ндпря)кения.В предлагаемом преобразователе датчикимногоэлементной информации выполнены изполупроводниковой плени с аномально больиим фотонанряжснием (афн-пленки), которые непосредственно преобразуют радиационный ноток и электрический нотенцияльн);ирельеф,В отличие от полупроводниковых фотоэлс.ментов, генерирующих фотондпря)кение по- Юрядка ширины запрещенной зоны (осс)ло 1 н)фн.пленки генерируют нрн тех же освсщенностях сотни вольт нд снтнмстр длины пленкиирн кОмнтнОЙ тсмпс 1)31 турс и нор 5 дкд тыс 1)ивольт ш)...