Патенты с меткой «190489»

Номер патента: 190489

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 29/36

Метки: 190489

...слоя кристаллов. 1Предложенный способ отличается от из. вестных тем, что в кристаллы кремния перед отжигом вводят донорную примесь в концентрациях от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, содержащихся в крем нии. Способ позволяет значительно увеличить сопротивление приповерхностного слоя кристаллов кремния и тем самым повысить электропрочность и к.п.д. диодов.Для изготовления кристаллов в кремний с 2 концентрацией алюминия или бора от 10 т 9 до 10 тт см 3 вводят донорную примесь, например фосфор, мышьяк или сурьму в соотношении от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, затем слиток режут на пластины и проводят их высокотемпературный отжиг.Предлагаемый способ увеличивает в 5 - 10 раз эффективность...