Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 186538
Автор: Лискер
Текст
ОПИСАНИЕ Союз Советских Социалистических Республик(088,8) иоритетубликовано ОЗ.Х.1966. Бюллет митет по делам изобретении и открцти при Совете Министров СССРДата опубликования описания 26,Х.196 ОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПОЛУПРОВОДН ЧЕСКООВ которую измеряютчески это обусловлтельного тепловоготы Пельтье на торц5 при прохождении чроткого замыкания.Термоэлектрическределяют по следую110Л= ую эф щей ф ивност ле:- ол град редмет изоб ени ермоэлектрической дников, отличаюрощения процесса опроводность обействию теплового при коротком зао величине термости судят по разй теплопроводностеплопроводности,15 Способ определения т эффективности полупрово иийся тем, что, с целью уп измерения, измеряют тепл разца, подвергнутого возд 20 потока при нулевом токе и мыкании образца, причем электрической эффективно ности полученных значени ти, отнесенной к величине 25 измеренной при нулевом тоИзвестные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине термоэлектрической эффективности судят по разности полученных значений теплопроводности, отнесенной к величине теплопроводности, измеренной при нулевом токе,Таким образом, термоэлектрическую эффективность определяют поизмерению одного физического парамегра и на одной экспериментальной установке, что упрощает процесс измерения,Величину теплопроводности узнают любым из известных способов. Теплопроводность Х, измеренная в условиях тока короткого замыкания, всегда больше теплопроводности Хо,при нулевом токе. Физи епо появлением дополни потока вследствие тепло ах образца, возникающей ерез последний тока ко
СмотретьЗаявка
1023776
И. С. Лискер
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводников, термоэлектрической, эффективности
Опубликовано: 01.01.1966
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-186538-sposob-opredeleniya-termoehlektricheskojj-ehffektivnosti-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников</a>
Предыдущий патент: Активная масса для отрицательного электрода свинцово кислотного аккумулятора
Следующий патент: Ветвь термоэлемента
Случайный патент: Указатель уровня жидкости