Способ выращивания монокристаллических слоев

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 7/36

Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 76757

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Корольков

МПК: A01G 9/24

Метки: выращивании, обогрева, овощных, поверхностного, почвы, растений, слоя

...по трубам, имеющим не- плотности в стыках (или стенках), проложенным в поьерхностном слое открытого грунта на глубине до 10 с.и между рядками растений, с целью конденсации пара в почве для поддержания повышенной влажности почвы и воздуха в прыземном слое.В качестве теплоносителя используется пар низкого давления, получаемый из паровых котлов, Для распределения пара в обогреваемом грунте прокладываются на глубине до 10 слг от июверхности трубы из любоо малодефицитного материала, например, дренажные керамиковые трубы, бетонные, асбесто-цементные или бракованные металлические.Г 1 од трубами грунт более уплотнен, чем под культурами, вследствие чего увеличивается теплопроводность грунта и,имеется возможность . получать более высокую...

Номер патента: 134619

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Дрейшев, Соболь, Яковчик

МПК: F27B 15/00

Метки: зернистых, кипящем, например, охлаждения, проведения, слое, сушки, тепловой

...ими материала.В предлагаемой установке эти недостатки устраняются за счет разделения шяхть 1 Вертикя;Ьных 1 Г(срегородкям на 1 ссколько камер, В верхней зоне которы.: установлены наклонныс решетки. Между перегоодками и )ец)еткя)н Ост;Влен з;зор, нрпо,пзительно );з 51,1 7 двоенному диаметру наиоолы 1(сГО зерна. Такое костру 5 т(ВИО)с г)сшение обеспечивает Одновременно тепловуо обработку и сепарацпк) зернистого материалаНа чертеже изображена предложенная установка В продольном и поперечном разрезе.В камере 1, отфутерованной огнеупорной кладкой 2, установлены под углом 20 - 30 наклонная д и горизонтальная 4 решетки для прохождения через них горячего или холодного, в зависимости от процесса обжига или охлаждения, воздуха.Камера разделена на...

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...