190489

Номер патента: 610902

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Бабицкий, Варызгин, Виницкий, Дубровская, Липкин, Шиладжан

МПК: E01B 1/00

Метки: балластный, железнодорожного, пути, слой

...пути к падению прочно ти и увеличению остаточной деформации под динамической нагрузкой балластного слоя.С целью уменьшения остаточной деформации под динамической нагрузкой при увлажнении балластного слоя для соединения щебня использован связувщий материал на основе синтетического латекса и гидрофильного минерал ного наполнителя, например каолина.Балластный .слой железнодорожного пути иэ щебня толщиной 20 см, уложенный на песчанную подушку, после уплотнения был обработан 1,2 комнтетического латекса и гид- наполнителя ( из расчета о вещества композиции к ) и высушен в.естественных бработка балластного слоя й производилась дважды с в местах контакта щебня по 0,6 композиции (по вевещества композиции к весу ромежуточиой сущкой между...

Номер патента: 74179

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Белогорцев

МПК: E01B 27/02

Метки: балластного, железнодорожного, поверхности, профилирования, пути, слоя

...выполнено в виде щита 1, сц дышлами 2 и располагасмого поперек пути под поднятой рец 1 еткой наклонно к горизонту,При протаскивании тягой Т щита 1 по балластному слою, щнт, благодаря наклонному положению, своими дышлами 2 прижимается к нижним поверхностям шпал, а нижнейкромкой 3 профилирует балластныйслой соответственно толщине и ширине шпал.Для выравнивания сил, действующих на шпалу по ее длине, при прохождении подвижного состава, нижняя кромка щита 1 выполнена криволинейной, причем такой, при которой обеспечивается образование впадины в балласте под средней частью шпал и валика под их кон- цами Предмет изобретения 1. Устройство для профилирования поверхности балластного слоя железнодорожного пути, протаскиваемое под поднятой...

Номер патента: 1103126

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Александров, Афанасьев, Головин, Имамов, Миренский, Степанов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных, тонких, характеристик

...пучком рентгеновского излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и изме-, ряют интенсивность дифрагированного излучения, по которому судят о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикулярно плоскос. ти дифракции и интенсивность дифрагированного излучения в плоскости дифракции измеряют при неподвижном крис. талле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучения с поверхностью кристалла.Кроме того, для различных углов выхода к поверхности кристалла измеряют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падения. На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа,Схема...

Номер патента: 1257482

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких

...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...

Номер патента: 702264

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Герус, Лысенко, Наринский

МПК: G01N 3/42

Метки: приповерхностных, слоях, твердости

...деформирование материала, а о твердости материала судят по. изменению следа.На чертеже изображено устройство, позволявшее реализовать данный способ,Устройство включает обойму 1, план- шайбу 2 токарного станка, первый индел тор 3 качения, выполненный в виде шари ха 5 мм, шток 4 нндентора, гидропилиндр 5 индентора, спецкронштейн 6, суппорт 7,Контролю подвергают обоймы подшипнь ков. При реализации саособа обойме 1 уолУ ф3 : ;, 702 танавливается, например, в планшайбу 2 токарного станка. Индентор 3 с штоком 4 и гидропилиндром 5 крепятся спепкронштейном 6 к суппорту 7, Обойму 1 приводят во вращение. Величину усилия развиваемого индентс ром, регистрируют манометром, встроенным в гидропилиндр 5 Первый индентор заменяется вторым, Испытание...