Патенты с меткой «халькогенидов»

Номер патента: 483420

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Григорьева, Дихтер, Казанкин, Марковский, Паранин, Певцова, Петошина, Рыжкин

МПК: C09K 1/20

Метки: кадмия, основе, смеси, халькогенидов, цинка, электролюминофора

.... С., .-.1 То же 175 545 75 п,вС:1;В,.,е.,: С, Л 1 130 , 575 50 о 0 Через реакционный объем продувают газовую смесь из кпористо о водорода:. сероводорода.Галогениды аммония и серы испаряются и Лиссоции 1)у 1 от в реакционном обьПредмет изобретения 15 20 25.;.л;ед 3. Тараненко- -гс т:; Т. Шаргансва спвекгси В. Г тман 71",Щ 9 .зд.35 Тираж 740 Пс.-.пискеЦИИИГИ Государственного комитета Совета Министпов СССРпо де 1 ам изобретений и открытий%осква, 7 К, Раушская наб., д. 4/5 Т . . ф;. иръд Патент 11 з п 1 зиведеннык даппык видно, что электрол юминофоры, полученные предлагаемым способом, наряду с высокой яркостью свече. ния имеют улучшенный спектральный состав излучения (чистоту цзета). Кроме того, этот продукт более мелкозернист, чем...

Номер патента: 681626

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Вербицкий, Носачев, Силин, Сысоев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, халькогенидов, цинка

...(макропоры), а в крупных образцах (длиной более 20 мм) возможны концентрационные выпады примесей падлине.Целью изобретения является улучшение оптического качества монокристаллав5 за счет уменьшения количества и размероепор,Поставленная цель достигается тем, чтаплавление сырья ведут под давлением инертного.газа 10 - 20 атм, а перед кристаллиза 10 цией снижают давление,да величины,соответствующей упругости пара халькогенида в интервале температур Ткр -(Ткр+50 ОС), где Ткр - температуракристаллизации.15 П р и м е р 1. Выращивание монокристаллов сульфида кадмия (СбЗ),Тигель с навеской порошкообразногоСбЯ (500 г) помещают в кристаллизацианную камеру компрессионной печи. Систему20 вакуумируют до давления 10 мм рт.ст. Камеру нагревают до 700 С;...

Номер патента: 808518

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Кужелев, Максимова, Миронов, Успенская

МПК: C09K 11/10

Метки: ochobe, кадмия, халькогенидов, цинкаи, электролюмино-форов

...в шаровой мельнице менее 10 мин. не обеспечивает получение оптимальног гранулометрического состава. При у личении времени измельчения свьаае 30 мин нарушается кристаллическая структура частиц электролюминофора что ведет к резкомупадению его яр кости свечений. Конкретное время и мельчения выбирают в приведенных и делах в зависимости от гранулометр808518 0-70 Омз"0 80-8 5-9 150 90-95 Формула изобретения Составитель И, НедолужкоРедактор В. Матюхина Техред Н.Майорош Корректор Е, Рошко аз Я 26 Тираж 695ВНИИПИ Государственного комитета ССпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. Зак одписное 4/ филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ческого. состава исхбдного электролюминофора.Ниже приведен...

Номер патента: 808519

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Векшина, Казанкин, Миронов, Прон, Таушканова

МПК: C09K 11/14

Метки: ochobe, кадмия, люминофоровна, халькогенидов, цинкаиили

...и прокаливают на воздухе при 900 С в течение 1 ч 30 мин 10опо двухстадийному режиму при 550 С 30 мин и при 850 оС - 1 ч.Полученный продукт промывают уксусной кислотой или аммиачным раствором трилона Б и дистиллированной 15 водой, Полученный люминофор имеет синий цвет свечения и состав 2 п 5 Ад. П р и м е р 2. Приготовляют шихту состава, вес,ч.: 2 пСО 4, 86,6 2 О СОСАЛО 62,4; АОМО 0,0157 р МаС 1 1,0 и 5 30,0, Шихту перемешивают тщательно и прокаливают в кварцевом тигле с крышкой по двухстадийному режиму: при 600 С - 1 ч и при 800 С - 1 ч. Про 25 П р и м е р . Шихту состава, вес.ч. вес.ч.; 2 пСО,. 152,3 А 1(504)0,044; Ац С 1 О, 0185 Са (МОЗ)О, 000751 5 39,5 и 5 е - 5,5 гомогенизируют в шаровой мельнице, после чего ее зак рывают в...

Номер патента: 844609

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Максимова, Миронов, Павлова

МПК: C04B 35/00, C09K 11/54

Метки: кадмиядля, керамики, оптической, поликристаллическихблоков, халькогенидов, цинка

...В результате чего появляется возможность использовать в качестве исходного продукта для приготовления оптическон 1 О керамики хвлькогениды, содержаднедо нескольких процснтоь окисных соед+- непий и углерода, и проводить процессс большими скоростями испарения(до 8 Г 0/ час теллурида кадмия, например), когда особенно вероятен захваттв е рды х час ти ц в еп ес тв в па ром;О . Возможность создания над испвряемым вепеством значительно более высокого давления пара, чем в откры том испврителе. Повышенное давлениепара предотвращает одновременное испаренпе примеси и основного вегпества,т,е, повыцает степень их разделения.Выбор интервала температур для 5 подложек определяется тем, что приуказанных температурах предотвращается конденсация или...

Номер патента: 874165

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Боровинская, Мержанов, Ратников

МПК: B01J 19/08

Метки: синтеза, халькогенидов

...иницинрующее приспособление 6, закрепленноев одной из крьпяек 4, по оси корпусакоаксиально размещенный в камере 3 цилиндр 7, установленные в цилиндре 7 с 5 о возможностью перемещения вдоль его осивкладыши 8 и 9 с выполненными в них кольцевыми проточками 10 и экраны 11, закрепленные на внутренних поверхностяхвкладышей 8 и 9, Во вкладыше 8, распо ложенном напротив ннициирующего приспособления 6, выполнена коническая полость 12. И 4Кроме того, устройство снабжено центрирующими кольцами 13, помещенными межцу цилинцром 7 и внутренней поверхностью корпуса 1, Билинцр 7 и экраны 11 выполнены иэ фольги молибдена или вольфрама, а вкладыши 8 и 9 выполнены из керамики или графита.Устройство работает следующим образом.Молибденовую фольгу сворачивают...

Номер патента: 1100565

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Кокозей, Павленко, Скопенко

МПК: G01N 31/00

Метки: кадмия, металлического, присутствии, халькогенидов

...регистрацию. Обработку проводят раствором нитрата,серебра, иодида калня. После обработки выпавший осадок отфильтровывают2 .. Однако известный способ дпителен(на одно определение уходит 2-3 ч )и сложен из-за большого количестваопераций и аппаратурного оформления.Кроме того, анализируемые образцыне должны содержать других восстановителей, а также источников галогенидных ионов.Цель изобретения - ускорение иупрощение процесса.Поставленная цель достигаетсятем, что. согласно способу определения металлического кадмия в присутствии его халькогенидов, включающемуобработку анализируемого образцахимическими реагентами, обработкупроводят раствором иодида аммонияв пропаноле, диметилформамиде илидиметилсульфоксиде в присутствии...

Номер патента: 1234802

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Андриеш, Буздуган, Шутов

МПК: G03G 13/00

Метки: значениях, интенсивности, мышьяка, начальной, носителей, основе, поверхностного, потенциала, различных, света, скорости, спада, сурьмы, халькогенидов, чувствительности, электрофотографических

...ЭФФект световой усталостив данных фотоносителях устраняют двумя способами; выдерживают в темноте 251 сутками) или дозаряжают частичноразряженные .в темноте, предварительно Осуществляют засветку с последую. щей зарядкой слоев, Второй способвозможен благодаря тому что световая усталость носителя обусловленаопустошением локальных состояний,заполненных во время засветки. Причем основной вклад в увеличение темнового спада поверхностного потенциала дает начальная составляющая скорости темнового спада, в результатеопустошения менее глубоких состояний.Устранение этого эффекта возможнопредложенным способом,Таким образом, поспедовательностьопераций на засвеченных носителях;дозарядка до начального потенциала,частичная разрядка в...

Номер патента: 1670001

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Галкин, Жидовинова, Смирнова, Фришберг, Цымбалист

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: блоков, кадмия, оптических, поликристаллических, халькогенидов, цинка

...селенида цинка, испаряются и уносятся за пределы горячего контейнера, При этом частицы порошка селенида цинка, находящиеся возле стенок контейнера, раньше прогреваются и начинают испаряться, В порошке, состоящем из частиц разного размера, мелкие частицы вследствие большой поверхностной энергии испаряются интенсивнее крупных, Инертный газ подавляет диффузию паров селенида цинка, поэтому пары сепенида цинка диффундируют на небольшие расстояния к более крупным частицам сырья. В результате мелкие частицы испаря 1 огся, а крупные увеличиваются в размерах, Отдельно растущие частицы срастаются друг с другом, образуя сырье с единообразным физическим состоянием, характеризуеглым кубической структурой и кажущейся плотностью 2,5-3,0 г/см. Затем...

Номер патента: 450530

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Гудков, Егорова, Юрлова

МПК: H01L 45/00

Метки: основе, памятью, переключающего, прибора, халькогенидов

...для получения промежуточного рабоего слоя 25механический контакт алюминиевогоэлектрода и полупроводникового халькогенида меди нагревают до температуры "поджига" реакции л 300 С либоо внешним нагревом, либо сочетанием 30 внешнего нагрева с пропусканием электрического тока. Затеи при наличии кислорода начинается вторая стадия реакции алюмотермии - реакция взаимодействия алюминиевого электрода с35 .халькогенидом меди, При этом выделяет- ся большое количество тепла, которое затрачивается на синтез нового химического соединения - промежуточного рабочего слоя; причем реакция синтеза происходит в очень тонком слое.Предлагаемый способ опробован в лабораторных условиях на примере изготовления переключающих приборов с памятью на основе...

Номер патента: 1807102

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Варавин, Козырь, Сидоров

МПК: C30B 23/02, C30B 29/48

Метки: паровой, пленок, фазы, халькогенидов

...выходящей из горячей зоны в холодные части реактора. Величина зазора л 1 ежду источникол 1 ртути и стенками реактора равняетсч 1-2 мм, При расстояниях, больших 2 мм. источник ртути не является для реактора заглушкой и в холодных частях реактора происходит конденсация большого количества ртути, вышедшей из горячей эоны реактора. При расстояниях, меньших 1 мм, невозможно осуществить загрузку кварце- "0 вого источника ртути в кварцевый реакториз-за эллиптичности кварца, Конструкция источника ртути обесг 1 ечивает уплотнение выхода из реактора, достаточную вместимость по ртути и создание необходимого 15 давления паров ртути в реакторе.Давление паров теллура на два порядкаменьше, чем давление паров ртути, и перенос теллура в сторону...

Номер патента: 1818618

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Панасюк, Чапурин

МПК: G03G 16/00

Метки: записи, информации, мышьяка, носителе, оптической, слоем, стеклообразных, фототермопластическом, фоточувствительным, халькогенидов

...в результате его фотоструктурироеания, Резонансная пространственная частота термопластического слоя при температуре 75 С и потенциале зарядки 6000 В составляет= 150 мм Поэтому угол р 1 между интерферирующими лазерными пучками устанавливают равным агсз 1 п 1 1 ), где б = 2 1 о пространственная частота интерференционного растра, А = 0,63 мкм - длина волны лазерного излучения. Устанавливают потенциал зарядки 5940 В, равный 0,99 от предельного потенциала образования деформаций, и температуру записи 75 ОС, при которой термоплдстик полностью смачивает поверхность полупроводникового 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 слоя и характеризуется вязкостью 2,7 10 Па с. Одновременно с зарядкой ибразогревом, продолжительность которых устанавливают...

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...

Номер патента: 1651594

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Горобец, Куликов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/46

Метки: «и—или», висмута, основе, сурьмы, термоэлектрического, халькогенидов

1. Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, включающий синтез при нагреве исходных компонентов до плавания в эвакуированной ампуле, охлаждение и вертикальную зонную перекристаллизацию без разгерметизации ампулы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств материала путем обеспечения его однофазности, используют ампулу переменного сечения, имеющую часть с меньшим диаметром, синтез ведут при вращении ампулы вокруг ее поперечной оси, а охлаждение проводят закалкой расплава в часть ампулы с меньшим диаметром, затем эту часть отделяют и зонную перекристаллизацию проводят при величине температурного...

Номер патента: 1208848

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Боднар, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: меди, тройных, халькогенидов

Способ получения тройных халькогенидов меди, включающий взаимодействие расплава металлических элементов, расположенных в зоне синтеза, с парами халькогена, взятого в избытке от стехиометрии и расположенного в противоположном конце запаянной вакуумированной кварцевой ампулы, при температуре зоны синтеза на 21 40oС выше температуры плавления соединения, а зоны халькогена 600 650oС, выдержка при этих условиях в течение 2 3 ч и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью получения больших слитков соединения CuAlSe2 стехиометрического состава и высокой чистоты, избыток селена берут в количестве 3,0 7,5 мг/см3, металлические элементы загружают в кварцевую лодочку, покрытую пиролитическим графитом, после...

Номер патента: 1690429

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/00

Метки: заготовок, кадмия, контейнер, методом, сублимации, халькогенидов, цинка

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации, включающий камеру роста, в которой размещена подложка, и исходный материал, разделенные пористой перегородкой, отличающийся тем, что, с целью получения слоистых структур и снижения испарения подложки, контейнер снабжен втулкой с внутренним выступом, на котором установлена подложка, в выступах выполнены сквозные каналы для подачи паров исходного материала к боковым поверхностям подложки, снабжен экраном из жаропрочного и инертного к получаемой заготовке материала, расположенным на верхнем торце втулки.