Мдп-транзистор

Номер патента: 1428116

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Виноградов, Зеленова

МПК: H01L 21/265

Метки: коллекторных, областей, р-n-р-транзисторов, создания

Способ создания коллекторных областей p-n-p-транзисторов, создаваемых на одной подложке с n-p-транзисторами в составе интегральной схемы, включающий создание высоколегированной области коллектора p+-типа вертикального p-n-p-транзистора в подложке, формирование низколегированной области коллектора путем эпитаксиального наращивания пленки n-типа и одновременной диффузии из высоколегированной области коллектора p+-типа, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров интегральной схемы за счет повышения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов, низколегированную область коллектора p-n-p-транзистора создают путем...

Номер патента: 1064470

Опубликовано: 30.12.1983

Автор: Быков

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, мдп-транзисторах, многофункциональный, элемент

...цель достигаетсятем, что в многофункциональном логическом элементе на МДЩ-транзисторах, содержащем первый, второй итретий информационные транзисторып-типа, включенные последовательно,четвертый, пятый и шестой информационные транзисторы я -типа, включенные последовательно, четыревходные шины, шины прямого и инверсного сигнала управления, первый,второй и третий информационные транзисторы включены между выходной иобщей шинами, четвертый, пятый ишестой информационные транзисторывключены между выходной и общей шии блокирующих транзисторов соединеныс шиной инверсного сигнала управления. 2нами, первый, второй и третий нагрузочные транзисторы р -типа включены последовательно между шиной источника питания и выходнойшиной,...

Номер патента: 1406771

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Буй, Гуменюк

МПК: H03K 17/30, H03K 17/687

Метки: включения, интегральных, источников, мдп, питания, последовательного, схемах

...21 В.При превышении напряжением второго - высоковольтного источника литания, значения порогового напряженияМДП-транзисторов во внутренних точках устройства начинает происходитьпроцесс огряботки логических уроннейи в момент С устанавливаются уровни потенциалон, обеспечивающие выполнение устройством своих функций. Вмомент временинапряжение на высоковольтном источнике питания ужепревйцяет напряжение низковольтногоисточника питания, и дальнейшее увеличение напряжения ня высоковольтномисточнике питания - шине 21, приво т,дип к увеличению потенциала на выходной клемме 37 устройства, посколькуня выходе 12 порогового элемента 1потенциал находится ня единичномуровне и возрастает, отслеживая возрастание нысоковольтного питания,Рассмотрим работу...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...

Номер патента: 1192484

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Бичеров, Богуш, Мартьянова, Соколов, Тагунков

МПК: G01K 15/00

Метки: датчиков, динамических, поверхностного, погрешностей, разности, температуры, типа

Способ определения разности динамических погрешностей датчиков температуры поверхностного типа, заключающийся в измерении текущих значений температуры, получении ее эталонных значений и определении искомой величины как разности измеренных и соответствующих им эталонных значений температуры, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем обеспечения возможности определения погрешностей в системах с холодильником и теплоносителем, предварительно на рабочем режиме разогрева холодильника измеряют изменение во времени расхода и температуры теплоносителя на входе холодильника, за эталонные значения принимают значения температуры на выходе холодильника, полученные в...