H01L 21/338 — с затвором в виде барьера Шотки

Номер патента: 1335047

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов

МПК: H01L 21/338

Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки

...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...

Номер патента: 803744

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/338

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание омических контактов, формирование маски для получения рисунка затвора из двух защитных пленок, нанесение материала затвора, удален с защитных пленок и выделение активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью получения приборов с затворами субмикронной длины и субмикронным расстоянием между катодом (анодом) и затвором без использования специального оборудования, предварительно создают на поверхности эпитаксиального слоя субмикронный контактный слой, затем наносят первую защитную пленку, проводят фотолитографию и последовательно стравливают незащищенные фоторезистором участки защитной пленки и слоя материала, предназначенного для создания омических контактов, не...