Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмуле
M = N(x)dx =
(V(+)+V(-)),
где V+, V- - напряжения, соответствующие резкому возрастанию тока на вольтамперной характеристике фоторезистора при разных полярностях напряжения смещения;
Nx - локальная концентрация мелкой примеси, где x - координат точки в направлении, перпендикулярном плоскости контакта фоторезиста;
l - толщина активной области фоторезистора;
e - абсолютная величина заряда электрона; - диэлектрическая проницаемость полупроводника.
Описание
Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения.
П р и м е р. В полупроводниковую пластину p-типа проводимости осуществляют загонку мелкой донорной примеси и формирование фотосопротивления. В результате измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) при одной полярности напряжения смещения определено заполнение ловушек V(+) = 16,8 В. Затем проводят измерение ВАХ при другой полярности напряжения смещения и определяют напряжение предельного заполнения ловушек V(-) = 4,14 В. По значению высокочастотной емкости С = 21 пф определяют толщину компенсированной области l =



Полное содержание мелкой примеси в активной области находят по формуле
М =


Ламперт М. , Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М. : Мир, 1973, с. 93.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. Согласно изобретению на фоторезисторе измеряют дважды вольтамперную характеристику при подаче на фоторезистор напряжений смещения противоположных полярностей и определяют напряжения, соответствующие резкому возрастанию токов. Эти напряжения соответствуют напряжениям предельного заполнения ловушек. Полное содержание мелкой примеси в активной области находят расчетным путем.
Заявка
3717776/25, 02.04.1984
Зыков Н. В, Сурис Р. А, Фукс Б. И, Гонтарь В. М, Фетисов Е. А, Хромов С. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: мелкозалегающей, примеси, содержания, фоторезисторах
Опубликовано: 30.03.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1385935-sposob-opredeleniya-soderzhaniya-melkozalegayushhejj-primesi-v-fotorezistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах</a>
Предыдущий патент: Метиловый эфир (3е, 7е, 12е)-4, 8-диметил-11 изопропилпентадекатриен-3, 7, 12-он-14-овой кислоты, проявляющий активность ювенильного гормона, и способ его получения
Следующий патент: Сцинтилляционный детектор
Случайный патент: Способ определения границ переходной области пограничного слоя сверхзвукового потока