Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах

Номер патента: 1385935

Авторы: Гонтарь, Зыков, Сурис, Фетисов, Фукс, Хромов

Формула

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмуле
M = N(x)dx = (V(+)+V(-)),
где V+, V- - напряжения, соответствующие резкому возрастанию тока на вольтамперной характеристике фоторезистора при разных полярностях напряжения смещения;
Nx - локальная концентрация мелкой примеси, где x - координат точки в направлении, перпендикулярном плоскости контакта фоторезиста;
l - толщина активной области фоторезистора;
e - абсолютная величина заряда электрона;
- диэлектрическая проницаемость полупроводника.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для измерения полного содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах, изготовленных из перекомпенсированного полупроводникового материала.
Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения.
П р и м е р. В полупроводниковую пластину p-типа проводимости осуществляют загонку мелкой донорной примеси и формирование фотосопротивления. В результате измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) при одной полярности напряжения смещения определено заполнение ловушек V(+) = 16,8 В. Затем проводят измерение ВАХ при другой полярности напряжения смещения и определяют напряжение предельного заполнения ловушек V(-) = 4,14 В. По значению высокочастотной емкости С = 21 пф определяют толщину компенсированной области l = 5 10-4см, где - диэлектрическая проницаемость полупроводника; l - толщина активной области фоторезиста; e - абсолютная величина заряда электрона.
Полное содержание мелкой примеси в активной области находят по формуле
М = (V(+) + V(-)) и полученное значение М = 2,3 1011 см-2. (56) Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу, М. : Мир, 1975, с. 213.
Ламперт М. , Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М. : Мир, 1973, с. 93.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. Согласно изобретению на фоторезисторе измеряют дважды вольтамперную характеристику при подаче на фоторезистор напряжений смещения противоположных полярностей и определяют напряжения, соответствующие резкому возрастанию токов. Эти напряжения соответствуют напряжениям предельного заполнения ловушек. Полное содержание мелкой примеси в активной области находят расчетным путем.

Заявка

3717776/25, 02.04.1984

Зыков Н. В, Сурис Р. А, Фукс Б. И, Гонтарь В. М, Фетисов Е. А, Хромов С. М

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: мелкозалегающей, примеси, содержания, фоторезисторах

Опубликовано: 30.03.1994

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1385935-sposob-opredeleniya-soderzhaniya-melkozalegayushhejj-primesi-v-fotorezistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах</a>

Похожие патенты