Патенты с меткой «индуцированным»

Номер патента: 92358

Опубликовано: 01.01.1951

Авторы: Ассонов, Ланкин, Рабин, Шепеляковский, Яицков

МПК: C21D 1/34

Метки: высокой, высокочастотная, газовой, действия, индуцированным, нагревом, периодического, печь, током, цементации, частоты

...либо с витками мень 1 иего диаметра, или с шагом витка, меньшим чем в средней части.Садка с изделиями. подлежащими цементации, помещается РН 1 утрь индукционной катушки и располагается симметрично относительно верПоворотный отол имеет шесть гнезд, в которых установлены петровы 8, несущие на своей поверхности подмодельную доску с моделью одного поршневого кольца (последние на чертеже не показаны). Каждый патрон имеет шток 9 с роликом 10, Этот шток проходит через муфту 11, на которой укреплен подвижно по вертикали. штифтовой механизм 12. Ролики 13 двигаются по наклонным направляющим 14, укрепленным ва колонках к фундаментной плите, Штифтовой механизм 12 предназначен для установки пустой опоки на подмодельнуюплиту патрона 8,Пустые...

Номер патента: 292220

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Берлииков

МПК: H03K 3/12

Метки: индуцированным, каналом, полевых, транзисторах, триггер

...на вход 11 импульса высокого напряжения фронт его передается через конденсатор 7 на затвор транзистора 1. Уровень напряжения, до которого за рядится конденсатор 18, определяется емкостцым делителем (7, 18). Прн емкости конденсатора 7, зна штельцопревышающей емкость конденсатора 18, ца15 затворе транзистора 1 окажется высокий уровень напряжения, Благодаря большой постоянной времени разряда конденсатора 18 (через сопротивление обратно смещенного диода17) высокий уровень на затворе транзистора20 1 сохранится в течение времени, достаточногодля перехода схемы из одного состояния вдругое,По окончании действия входного импульса срез его аналогичным образом передается25 на вход транзистора 1, и на его затворе устанавливается исходный...

Номер патента: 1660530

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Урицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: индуцированным, каналом, мдп-транзисторов

...= 4,2 К.П р и м е р, Исследуют МДП-транзисторы с каналом п-типа, длиной канала 10 мкми концентзоацией бора в подложке (2 -4)х 1016 смПо схеме, приведенной на фиг. 1, наэлектроды испытуемого транзистора подают следующие испытательные напряжения: на электрод затвора ступенчатоенапряжение со значениями "ступени": 1, 2,3, 4 и 5 В; на электрод стока синхронно со ступенчатым напряжением на затворе подают пульсирующее напряжение (полуволнысинусоиды) со значениями 25 В. На экране осциллографической трубки контрольного прибора 7 регистрируют выходные вольтамперные характеристики испытуемых МДП-транзисторов при комнатной температуре (300 К) для двух случаев: 1-й случай - электрод подложки испытуемого транзистора подключен к тому же потенциалу, что...