Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем

Номер патента: 1098717

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Богданов, Воеводин, Гурский, Даванков, Касимов, Сергеева

МПК: B23K 20/00

Метки: герметизируемых, поверхностей, подготовки, полупроводникового, прибора, сваркой, холодной

...прибора.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу подготовки поверхностейгерметизируемых деталей полупроводникового прибора перед холодной сваркой, включающему нанесение покрытия гальванического никеля толщиной 0,01 - 0,02 толщины основы соединяемых деталей, гальваническое покрытие выполняют двухслойным,где первый слой матовый, а второй блестящий, при отношении толщины первого квторому, равном 1,6 - 1,8,Нанесение двойного слоя никелевогопокрытия (вместо одного) на детали передсваркой дает более высокое качество соединения, потому что одинарный слой никеляболее пластичный, а двойной слой болеехрупкий.В процессе пластической деформации непосредственно в плоскости соприкосновения 15 20 25 30 35 40 двух свариваемых деталей,...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 1639344

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Намм, Олешко, Толмачев, Штанько

МПК: H01L 21/66

Метки: а2в6, возбуждением, кристаллов, отбраковки, приборов, растворов, соединений, твердых, электронным

Способ отбраковки кристаллов соединений группы A2B6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением, включающий возбуждение кристалла электронным пучком и измерение люминесценции, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, ускорения и упрощения способа, возбуждение осуществляют электронным пучком в диапазоне плотностей энергий от 0,01 до 0,3 Дж/см2, регистрируют спектры импульсной катодолюминесценции в направлении под острым углом к нормали к поверхности кристалла при различных плотностях энергии электронного пучка, строят зависимость интенсивности катодолюминесценции при произвольно выбранной фиксированной длине волны из области...

Номер патента: 146883

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: B23K 3/053, H01L 21/60, H05B 3/02, H05B 3/24

Метки: выводов, индиевым, нагревательное, полупроводниковых, приборов, припайки, электродам

...нагревательного элемента (пластинка) с треугольными вырезами в области рабочей зоны.Нагревательное устройство представляет собой нагревательный элемент, подключаемый к источнику электрического тока с неболыппм напряжением (3 - 5 в). Элемент выполнен в виде пружиняшей пластинки 1 с уменьшенной шириной в области рабочей зоны. Пластинка изготовлена из тугоплавкого материала с высоким омпческим сопротпвлснием, например нихрома, и изогнута под острым углом в области рабочей зоны. Для уменьшения ширины в этом месте пластинка снабжена треугольными вырезами, име 1 ощими в плане форму, изображенную на фиг, 2. Уменьшение сечения пластинки в области рабочей зоны создает высокую температуру в месте ее непосредственного контакта с вывоЛо 146883...

Номер патента: 669428

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Андреев, Боровкова, Виленчик, Гурьянов, Калантаров, Лапук, Румянцев, Юдовина

МПК: H01J 29/86

Метки: вакуумного, колбы, ножкой, прибора, соединения, узел

...не менее одного колена, а отноцение длины линии сопряжения фланцев в осевом сечении к ширине зазора между ними составляет не менее 100.На чертеже изображен предлагаемый узел. Узел содержит цилиндрическую колбу 1,в одном конце которой расположена фоточувствительная мишень 2, а к другому концу приварен металлический фланец 3, сопряженный с металлическим фланцем 4, приваренным к стеклянной ножке 5, имеющей заранее запаянный штенгель 6. В ножку 5 впаяны металлические вводы 7, на которых 20 смонтирована арматура прибора 8. Фланцы3 и 4 имеют в месте сопряжения колена 9 и 10. Длина линии сопряжения (а,Ь,с,д) фланцев в осевом сечении по крайней мереПо КорректорПодписноСССРтийб., д. 4/5Проектная, 4 ЦНИИПИ Госудапо делам н 13035, Москва, Ж иал П П...