Патенты с меткой «кристаллодержателем»

Номер патента: 1674293

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, кристаллодержателем, полупроводникового, соединения

...Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру нэ рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристэллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний - алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность...