Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов

Номер патента: 1204039

Автор: Рыскин

ZIP архив

Текст

(51)5 б 01 Б 31 Ет ГОСУДАРСТРЕННЦй НОМИТЕТ СССРпО делАм изоБРетений и ОтнРытий ОПИСАНИЕ ИЗОБ(56) Авторское свидетельство СССР У 251094, кл, С 01 В 31/26, 1967.Байздренко А.А, Вторичный пробой в транзисторах и методика неразрущающих испытаний на вторичный про" бой, Севастополь, 1972, ЦОСИФ ЦНИИ Электроника.(54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ РАССЕЯНИЯ МОЩНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник напряже" ния, первую, вторую и третью клеммы для подключения измеряемого транзистора и генератор тока, выход ко" торого соединен с первой клеммой, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, оио снабжено клеммой пуска, счетчиком; дешифратором, схемой И, схемой ИЛИ, первым транзистором, резистором, вторым транзистором, тип проводимости которого противоположен первому, токовым ключом и,.ЯО.Ж 4039 генератором импульсов, вход которого соединен с входом генератора тока, а выход соединен с входом счетчика, выходы которого соединены ссоответствующими входами дешифратора, выход которого соединен с первым входом схемы И, выход которойсоединен с первым входом схемы ИЛИ,выход которой соединен с входом генератора импульсов, а второй входсхемы И соединен с выходом токовогоключа, вход которого соединен с коллектором первого транзистора, базакоторого соединена с коллекторомвторого транзистора, эмиттер которого соединен с выходом источника питания, а база второго транзисторасоединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединенс эмит 1 ером первого транзистора ивторой клеммой для подключения измеряемого транзистора, при этом третьяклемма для подключения измеряемоготранзистора соединена с общей шиной,а клемма пуска Соединена с вторымвходом схемы ИЛИ,Изобретение относится к полупроВодниконой электронике к может быть использоняно для определения диапазона надежной работы транзисторон ПО МОЩНОСТИ КДК ПРИ ИХ ИЗГОТОВЛЕИК 1,тяк к прк ксг 10 льзОнянкк у потреб;те. -лей ь Целью кзОбретенкя янляе са т 1 иенке точности измерения времени рассеяния мощности за счет поньяпения чунстнительностк устройства Бчасти фиксд 1(ки нячяля эторичнОГСпробоя и цифронсй Обработки результатов измерения. Схема устройстна приведена вя че: ТРже .Устройстно ссдержь 1 Т Генерй пульсонсчетчик 2, дещкфра генердтор тока 4 схему И 5 И .1 Гу И "3 5 тОК 00:" РянкчкндюцГй ре Г, отсекяющкй транзистор 8 и Вторую и третью клеммы 9,)О,ТОЗ Ка-ТО 4 и я подключения кзмеряемОГО тряизк(тораизмеряемый транзистор 12, змктт:Риый понторктель 1. тоеоньй ключисточник напряжения 15 клемму пус-.Кя, б "1.П ГГрзоднког тК ОТСЕК За-д."."РЯНЗИСТСРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН .ИПУ ход к О т 0 Р с Г О с 0 е Д кн е ь с 11 е Р В ььа 1 ".хо"ДОМ схемы И ньгход которой чесез схему ИЛИ 5 соедкнек с упрднлио 1 цкм ВХОДОМ ГЕНЕПЯТОРЯ ГЧТНЬГХ КМГУЛа-.к -" упрднляющим Бх 0 дом Гене" ряторя тока 1, Выход которого СОЕДИНЕН С ГГЕРН 01 КЛЕММСй 1 (ДЛЯ ГГСДКЛЮЧЕНКЯ ЗМИТТЕРа ГГЗМЕР 5 ГЕИОГО транзкстсод21 Дтсрдя клем- МЯ 1 ОДля Г(одключенкя базы .; зменяд МО-.0 ТРДНЗ; ТРЯ 1 ОРД 11 НЕН.;. ":, "5теРОм понтсрктеля 13 к через токо огранкчкнаюв;ий Резистор 7 с базой ОТСЕК ЯЮЩЕ ГО ТРЯГНЗКСТОРЯ Я, ЗаГ".т"Е,: к 070 РОГО СОедкнек с выходом ксточ - НИКЯ НЯГ 10 яжения 1 Э Гао"ШЕКТОР СЕ- (Я 1 ЩЕГО 5 ЯЗС 0 СД Д СОа-КНЕНзой змиттернсгс понторителя 3, 1(ол-. - . лектср которого соединен с ВходОМ 1 ОКСБОГО КЛЮЧЯ , БЫОД К,Гоно 0 соединен с Вторым входом схе:"ы И 5 Чр 1 этом тре" Ья (лемма 1. д 1 я 01= КЛ 1(ЧЕНИЯ КОЛЛЕКТОРЯ ИЗМЕРЯЕМОГО трднзисторй 121 сОеДиненасбЩейТОНКО 5 ток ОВС Го ЛЮ 1 а (5 Д, ГЕфа НРОБОдкмостк трднзкстора змктте-,ИоГО пОнторктеля, БЬГКОд Г 1=нерятОря к:;-ПУЛЬСОВ 1 СОЕДИНЕН С ВХОДОМ СЧЕТЧИКЯ ЬГМПУГСОНВЫХОДЫ КОТОРОГО СОЕДИ 1 ЕНЫ С НХСДЯМК ДЕЩИфратСРЯ , НЬ":.55 СОРДКНЕПЯ С В СРЫ 1 БХСДОМСХ 01 ГЬ 1 %5с 1 ройс".".-О РЯОЯз след 5 ЮГГ 1 об.а Оь- ДЕВфР-Г РР . Яндна(на " С,:Г 1 Зя(:Ся В 11 улен " с.стоянке Рк этом кя выходе дещкфраторд 3 1 оявля:.:Ся сиунял Который постуляет яя(.х =мь 1 И 1:1 Я н Гходе схемы ИакЛ ЗУ"СТНУРт Т К. Нд ВТОРОМвходе схемы И о отсутствует с(гнал.Р СКОБ". Х 1 "ХРЬЫ К 15Р 1 ра 1 " аа 1 Ь пг 1 В 0 Г 1". - :.; Г 1 сянлслкю кя ныхОде этой -;,.;ы И -ГояВляется ск-Я. . (:;а 01-Ц- ТО 1 ае .К ГЕНЕ РЯТСР ГКГ 1 ЛЬ.ОНВО Включенном СОстойекк кь кз 11 еряе;"(1 ь трднзистОРЯ ряс" екн яе тс я мс щкостьмомент и(1 чя; я пе рной (Оя зы1204039 ЕеВ,1 1 Ом 15 ВНИИПИ Заказ 3436 Тираж 409 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 вторичного пробоя, характеризуюшийся плавным снижением напряжения коллектор-база измеряемого транзистора12, напряжение на базе измеряемоготранзистора снизится до величины. где 1 р8 - падение напряжения на переходе база-эмиттер отсекающеготранзистора 8, При этом прекратитсяток через переход база-эмиттер отсекающего транзистора 8, он запирается, что вызывает прекращение токачерез переход база-коллектор повторителя 13 и токовый ключ выключаетг.я. При выключении ключа 14 сигнал на его выходе исчезает и одновременно исчезает сигнал с выходов схемы И б и схемы ИЛ 11 5, что приводит котключению генератора тока 4 и гене-,ратора импульсов 1. При этом насчетчике 2 фиксируется время рассеяния мощности. Если время рассеяниямощности измеряемого транзистора 2превышает заданное в дешифраторе 3значение, то по достижении количеством импульсов, накопленных счетчиком 2, числа, установленного в дешифраторе 3, сигнал с его выхода исчезает, что ведет к отключению генераторг тока 4 и генератора импульсов1. При этом на счетчике импульсов 2фиксируется заданное время рассеяния мощности. Чувствительность устройства в части фиксации начала вторичного пробоя определяется разностьпадения напряжения на переходах база-эмиттер отсекающего транзистора 8и повторителя 13 и достигает 50100 мВ,

Смотреть

Заявка

3591850, 18.05.1983

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1589

РЫСКИН Е. З

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, мощности, рассеяния, транзисторов

Опубликовано: 07.08.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1204039-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-vremeni-rasseyaniya-moshhnosti-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов</a>

Похожие патенты