Погружной полупроводниковый преобразователь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 Н 01 3 25/00, 23/44 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. (71) Специальное конструкторское бюро техники морских геологоразведочных работ с опытным производством(56) Авторское свидетельство СССРйг 1354280, кл, Н 01 1 25/00, 1983. (54) ПОГРУЖНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ,.Я 2 1677746 А 2 давлениях окружающей среды. Цель изобретения - повышение надежности - достигается тем, что в преобразователе, содержащем силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками управления 11, расположенные внутри заполненного диэлектрической жидкостью 5 герметически замкнутого внешнего корпуса, снабженного компенсатором 3 гидростатического давления воды и герметичными вводами, корпуса полупроводниковых приборов снабжены индивидуальными компенсаторами гидростатического давления, а их внутренние полости заполнены химически чистой и инертной по отношению к р-и- структурам диэлектрической жидкостью, 2 ил.Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды,Цель изобретения - повышение надеж.ности,На фиг.1 схематически изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 - узел на фиг.1(силовой полупроводниковый прибор из состава преобразователя),Погружной полупроводниковый преобразователь содержит внешний легкий корпус в виде контейнера 1 с крышкой 2, снабженный компенсатором 3 гидростатичвского давления и герметичным электрическим вводом 4, Внутренняя полость контейнера 1 залита трансформаторным маслом 5. На контейнере 1 также имеются пробки для заливки 6 и слива 7 диэлектрической жидкости.Внутри контейнера 1 на раме 8 укреплены силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками 11 управления. На корпусе 12 силового полупроводникового прибора 9 выполнен компенсатор гидро- статического давления, представляющий собой резиновую манжету 13, с натягом охватывающую корпус 12 с выполненными на нем отверстиями 14. Внутренняя полость силового полупроводникового прибора заполнена полиметилсилоксановой жидкостью 15.При погружении преобразователя в воду при помощи компенсатора 3 выравнивается давление снаружи и внутри преобразователя, При этом компенсаторы 3 обеспечивают равномерное приложение давления к полупроводниковым структурам, предотвращая смешивание трансформаторного масла 5 с полиметилсилоксановой жидкостью 15,Применение индивидуальных компенсаторов для полупроводниковых преобра 5 зователей повышает надежностьпогружного полупроводникового преобразователя, поскольку изолирует структуры отвозможных продуктов разложения и взаимодействия диэлектрической жидкости с10 различными материалами, процесс образования которых трудно контролируем и зависит от многих факторов (давление,температура, химический состав конструкционных материалов, электрическое напря 15 жение, наличие растворенных газов и т.д,).Кроме того, стоимость химически чистых иинертных по отношению к р - и структурамдиэлектрических жидкостей (например, полиорганосилоксановых), в среде которых20 возможна работа полупроводников, на 1-2порядка выше стоимости обычных диэлектрических жидкостей (например, трансформаторного масла), Поэтому применениеиндивидуальных компенсаторов дает воз 25 можность снизить стоимость преобразователя в целом, так как позволяетиспользовать дорогостоящую диэлектрическую жидкость в небольших объемах.Формула изобретения30 Погружной полупроводниковый преобразователь по авт,св. М 1354280, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышениянадежности, корпуса тиристоров и полупроводниковых приборов снабжены индивиду 35 альными компенсаторами гидростатическогодавления воды, при этом внутренние полостиупомянутых корпусов заполнены химически чистой и инертной по отношению кполупроводникам диэлектрической жидко 40 стью,
СмотретьЗаявка
4672771, 04.04.1989
СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ТЕХНИКИ МОРСКИХ ГЕОЛОГОРАЗВЕДОЧНЫХ РАБОТ С ОПЫТНЫМ ПРОИЗВОДСТВОМ
ШТАРЕВ ЮРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, ТОМИЛОВ НИКОЛАЙ ДМИТРИЕВИЧ, ПОЛОЗОК АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 23/44, H01L 25/00
Метки: погружной, полупроводниковый
Опубликовано: 15.09.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1677746-pogruzhnojj-poluprovodnikovyjj-preobrazovatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Погружной полупроводниковый преобразователь</a>
Емкостный преобразователь давления
Номер патента: 521483
Опубликовано: 15.07.1976
Авторы: Лашков, Немченко, Студеникин
МПК: G01L 9/12
...фиксируется З гайкой 8. Винт 9 служит для закрепления электрода 4 и является его электрическим выводом, Держатель 5 и изоляционная втулка 3 образуют кольцевой зазор 10, В теле электрода 4 выполнен осевой канал 11. Выпуклая поверхность головки электрода 4 дренирована радиальными равномерно расположенными каналами 12. Подмембранная полость 13 преобразователя сообщена через радиальные каналы 12, осевой канал 1130 и кольцевой зазор 10 с источником опорного давления (на чертеже не показан),Емкостный преобразователь давления работает следующим образом. Избыточное дав 35 ление жидкости(по отношению к опорному) деформирует диэлектрическую эластичную мембрану 1, изменяя величину рабочего зазора, а следовательно, и электрическую емкость...
Устройство для герметизации полупроводниковых приборов в плоских корпусах
Номер патента: 1371462
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Мелихов, Федотов, Холявин
МПК: H01L 21/48
Метки: герметизации, корпусах, плоских, полупроводниковых, приборов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ, содержащее систему откачки, вакуумируемую камеру с эластичной прокладкой и вакуумным краном, соединяющим камеру с системой откачки, блок нагревателей, систему управления нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и снижения его металлоемкости, вакуумируемая камера образована двумя металлическими плитами и герметизирующей упругой прокладкой, образующей боковую стенку камеры, вакуумный кран расположен на одной из плит, а эластичная прокладка расположена на другой плите.
Линия для изготовления полупроводниковых приборов в пластмассовом корпусе
Номер патента: 243075
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Альперович, Корнилов, Кравец, Харламов
МПК: H01L 21/00
Метки: корпусе, линия, пластмассовом, полупроводниковых, приборов
...гребенке достаточную жесткость при малой толщине ленты. Образующиеся при этом перемычки являются базовыми токоподводящими выводами прибора, а часть ленты, отошедшая при вырубке окон, используется в качестве второго токоподводящего вывода прибора, После обезжиривания, травления, гальванического покрытия и сушки механизм транспортирования переносит гребенки на агрегат напайки и укладывает их в установленный на этом агрегате накопитель.При подаче команды исполнительный механизм переносит гребенку на рабочую позицию и подает кристаллы с р - п-переходами, фиксируя их на гребенке. После установки всех деталей на рабочей позиции включаются механизм привода давления и импульсный нагреватель, При этом детали, нагреваясь до заданной температуры,...
Устройство для изготовления трубообразных корпусов из полупроводникового материала
Номер патента: 430532
Опубликовано: 30.05.1974
Авторы: Иностранна, Иностранцы, Конрад, Херберт
МПК: C30B 35/00
Метки: корпусов, полупроводникового, трубообразных
...могут быть сняты с трубок 8.При этом, однако, важно, чтобы температура наружной стороны трубок 8 не превышала в последующем 1250 С, так как иначе углеродная основа будет реагировать с полупроводником и полученный корпус не может быть легко снят с углеродной трубки. Такими температурами являются, С:при получении корпуса из кремния 1250 из германия 900 из СаАз 1150 из ЯС 1300 из ЯпБЬ 850 Трубки 8, мостик б и электроды 5 состоят из графита одного сорта, а вводы трубок 8, 9, 11 и вывод трубы 10 - из резистивного металла. Токопроводящие части должны быть при этом изолированы одна от другой соответствующим изоляционньгм слоем.В устройстве, изображенном на фиг. 2, также имеется подовая плита 1 и герметически связанный с ней кварцевый...
Преобразователь диэлектрических параметров нитей
Номер патента: 1458837
Опубликовано: 15.02.1989
Автор: Степанов
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, нитей, параметров
...наб., д, 4/5%Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам автоматического контроля качества нитеобразного материала, и может быть 5 использовано в текстильной и химической промышленностях для автоматического бесконтактного контроля и измерения коррелированных с аниэотропной1 диэлектрической проницаемостью пара-. 1 О метров движущихся нитей бесконечной длины.Цель изобретения - расширениефункциональных воэможностей путемобеспечения преобразования диэлектри ческих параметров одновременно в осевом и радиальном направлениях и ускорение процесса преобразования.На чертеже представлена конструкция преобразователя. 20Преобразователь...
Предыдущий патент: Полупроводниковый преобразователь
Следующий патент: Полупроводниковый преобразователь с воздушным самовентилируемым охлаждением для транспортного средства
Случайный патент: Способ получения этилзамещенных силанов