Журавкевич

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Васильев, Гарбузов, Журавкевич

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: гетероэпитаксиальных, жидкофазной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...