Гийсбертус

Номер патента: 1678219

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гийсбертус, Дагоберт, Корнелис, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: оксидного, сверхпроводящего, слоя, тонкого

...таблетки диаметром 25 мм. Затем в течение 30 мин в атмосфере воздуха сжимают эту таблетку под давлениемв100 ИПа до момента достижения плотности, которая равна 95-100% теоретической плотности, Затем тщательно полируют поверхность до образования шероховатости менее 1 мкмС помощью лазерного метода напыления в вакууме образуем на поверхностислой ВаСцО толщиной в 1 мкм. Этотслой аморфный и состоит из ВаСО , которое при последующем нагревании преобразуется в ВаСцО. Мольное отношение Ва и Сц в этом слое предпочтительно 11Затем подложку и образованный тонкий слой нагревают до 850 С со скоростью 200 С/ч и выдерживают приоэтой температуре в течение 2 ч. Затем образованныи таким образом блокохлаждают со скоростью 100 С/ч доо20 С. Вся эта...