Способ нагрева структур полупроводниковых приборов

)З С О 1 В. НИЕ ИЗОБРЕТЕМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОП АВТОР Т ъаа Ткача- чд- мощность импульсамого на выборк гд авае у структур,опусловия ощбя еи- температур туры отно температу ряемая по перегре ельно н а струк- Фрвуальнойы, изме- ( ы структурле подачи вовос импульс 1 емпер заданнаява;начальнаяпуса струразность нагре температуры; коркач перегре-перво емперату оэдейств а после о и втор аковой г импульсов одищи мо ости. а структурв, не имеющийся в погреющей мощи длительИзвестен способ нагреполупроводниковых прибор ся к полупро. е и может быть ева структур никовых .прибоили транзистох .параметров атуре в условиплоотвода, закл переход импульса ределенной формь даче н ности оностие пособа являетьзованпя его Недо ся невотатком этого можность исп тва. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР В 286313, кл. С 01 Я 25/70, 1970.Н.С. Карп, И.А, Лейман "Упрощенное измерение параметров полупроводниковых приборов при повышенной тем пературеАвтоматика и вычислительная техника, 1971, В 1, с, 89-90.(54)(57) СПОСОБ НАГРЕВА СТРУКТУРПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий подачу на структуру импульсовгреющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в пазах между ниии, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения произво"дительности нагрева, на выборку структур подают два импульса одинаковойгреющей мощности и определяют разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов,после чего для всех остальных структур подают импульс греющей мощности,мощность которого рассчитывают поформуле: Изобретение относитводниковой электронииспользовано для нагртеплоемких полупроворов (например диодовРов), при измерениипри повьппенной темпеях массового произво ределяемая иэРР/и;максимально допустимаяность, определяемая поласти безопасной работыприборов данного типа двыбранной длительностиющего импульса;разброс значений теплов опротивления приборов да ого типа, равный отношен максимального сопротивленияк минимальному:где Р- мощность импульса, подавае-,.мого на выборку структУРе 50Определяемая из условияР с Р/и- максимально допустимая мощность, определяемая по области безопасной работыприборов данного типа длявыбранной длительностигреющего импульса;- разброс значений теплового для нагрева структур теплоемких полупров Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа, имеющих различные тепловые пережодные характеристики корпусовпроисходит за разное время.Целью изобретения является новышение производительности нагрева,Поставленная цель достигается .тем, что в способе нагрева структурполупроводниковых приборов, включающем подачу на структуру импульсовгреющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в паузах З 5между ними, на выборку структур подают два импульса одинаковой греющей мощности и определяют разность .температур перегрева после воздейст-,вия первого и второго импульсов,после чего для всех остальных структур подают импульс, греющей мощности,мощность которого рассчитывают поформуле:45Т аа - Т нач - С1 Ке,сопротивления приборовданного типа, равный отно"шению максимального сопротивления к минимальному,С, - температура .перегреваструктуры относительно."начальной температуры, измеряемая после подачи первого импульса РТ - заданная температура нагрева;.Т - начальная температура корпуса структуры ".С - разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсоводинаковой греющей мощности.Для получения необходимой точности нагрева время измерения (с)температуры перегрева должно бытьзначительно меньше длительности времени импульса нагрева (-,), т.е,450.юм1;Например, для нагрева транзисторов типа МП 25 до температуры Тзп70 С необходимо выдерживать следующнй режим работы: мощность импульса.греющей мощности, подаваемая на выборку структур Р= 15 Вт при длительности , = 50 мсек .при 0к15 Вф100 МА 1 це Пк и Х.соответственно напряжение и ток поданные на коллектор испытуемоготранзистора. Мощность импульса Рассчитывается с учетом, что С = 7 Сп)м . ф.-, = 1 мс, Ь= 36 С для приборовс высоким значением теплового сопротивления, Мощность Р регулироваласьтоком коллектора.Дпя контроля температуры нагревафЗа и Агавр используется измери-тель д 0 БЭ МФМ 2,652 А 10,Погрешность нагрева структуры транзисторов типа МП 25 составила +1 5"С.Способ макет использоваться длянагрева структур полупроводниковыхприборбв с целью дальнейшего измерения параметров .при повышенной температуре.Экономическая .эффективность способа по сравнению с прототипом достигается за счет регулированиямощностив процессе нагрева, что:позволяет в 2-3 раза лодноять .цроизводительность нагрева структуры полупроводникового црибора до заданной температуры,