Варшава

Термоэлектрический датчик влажности

Загрузка...

Номер патента: 1784901

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Варшава, Возный, Григорова

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, датчик, термоэлектрический

...формы,острие которого находится в контакте с пористым смачиваемым материалом.На фиг,1 приведена схема термоэлектрического датчика влажности; на фиг.2- егогрйдуировочная характеристика.Датчик содержит чувствительный элемент 1,-контактные ветви 2, державку 3,ламельки 4; соедйнительные провода 5, измерительный прибор 6, пористый смачиваемый материал 7, увлажнитель 8,Изобретение выполнено следующимобразом, К чувствительному элементу 1,представляющему собой игольчатый монокристалл Те с концентрацией свободныхносителей 10см 3, выращенный методом химических транспортных реакций, сосредними размерами 5,0 0,20 0,25 мм,диаметром острия0,0,1 мм, созданыконтактные ветви 2 приваркой золотогомикропровода диаметром 0,01-0,03 мм....

Датчик давления

Загрузка...

Номер патента: 1778568

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Варшава, Воронин, Островская, Щербай

МПК: G01L 11/00, G01L 9/02

Метки: давления, датчик

...диапазона измерения в область низких давлений а именно измерение вакуума в пределах 10 10 мм рт.ст. (10 1,0 бар).Цель достигается тем, что чувствит ный элемент(ЧЭ) выполнен в виде ните ного кристалла, при этом твердый раст ОаАз 1-хРх легировали медью с концЗен цией носителей 2 10 8 10 см1 з , з1778568 220 В Применение нитевидного кристалла в качестве ЧЭ позволяет довольно легко осуществить его перегрев стабилизированным током питания и по изменению падения напряжения под действием вакуума опреде лить давление (вакуум), поскольку коэффициент теплоотдачи а изменяется в зависимости от его уровня.На фиг. 1 изображен датчик давления; на фиг. 2 - его градуировочная характери стика,Датчик содержит ЧЭ 1, электрические контакты 2, ламельки...

Полупроводниковый термоанемометр

Загрузка...

Номер патента: 1647407

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Варшава, Пелех, Пилат

МПК: G01P 5/12

Метки: полупроводниковый, термоанемометр

...- 0,4 Ом см, общее сопротивление 100-200 Ом, длина 3-4 мм, средний диаметр 150-200 мкм, конусность 25Р"5 оПолупроводниковый термоанемометризготовлен следующим образом.К чувствительному элементу 1 методомэлектроимпульсой приварки золотого микропровода создаются контакты 2, являющиеся одновременно токовыводами 3.Чувствительный. элемент 1 с токовыводами3 устанавливают пссредине фторопластовой державки 4. 35,Имеются также источник 5 тока и измерительные приборы 6 и 7,Полупроводниковый термоанемометрработает следующим образом.40 Чувствительный элемент 1 с помощью соединительных проводов, контактов 2 и токовыводов 3 подключают в измерительную схему, содержащую стабилизированный источник 5 постоянного тока, измерительные цифровые...

Устройство для измерения термоэдс нитевидных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1608539

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Варшава, Георгиев, Курило, Мычуда

МПК: G01N 25/18, H01L 35/02

Метки: кристаллов, нитевидных, термоэдс

...токовыводов подкл 1 очены соответственно через первый 7 и второй 8 диоды к общей шине, В состав управляемого дели.теля 2 входят сопротивления 14 и 15.1008539 ставитель И,Атмановх ред М.Моргентал Корректор Л.Бес Редактор И. Горна 05 Подписноеитета по изобретениям и откоытиямва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 3611 ВНИИПИ Гос Тиражвенного ко113035, Мо ГКНТ ССС оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагари Фазорасщепитель 3 выполнен, например, на операционном усилителе 16, транзисторе 17 и резисторах 18 и 19, а источники тока по компенсационной схеме - на операционных усилителях 20 и 21, транзисторах 22 и 23 и резисторах 24 и 25,.Устройство работает следующим образом.Выходное напряжение источника 1 делится управляемым...

Способ сварки двух материалов с различными температурами плавления

Загрузка...

Номер патента: 1574411

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Варшава, Островская, Пелех

МПК: B23K 31/02

Метки: двух, плавления, различными, сварки, температурами

...высо.кой теплопроводностью и более низкой температурой плавления (Ац, Со), чтоОбеспечивает леГкость сплавления микропроводов 3 и 4, а также возможность пайкивторого конца части 4,Для установления соотношения мекдудлинами 3 и 4 Обозначим их 1 и 2, а коэффициенты теплопроводности - Л 1 и Л 2, Используя известные уравнениятеплопроводностиО=Л Ь, (1)где Л - коэффициент теплопроводности;Ы -радиент температуры; Т - время,и уравнение теплового баланса (равенство потоков, которые подходят к спаю 5 и отводятся от него), запишемЛТ ЛТЛ 1 1 Т =Л 2 52 Т1 гТпл 1 Тпл 2 Тпл 2 ТоЛ 1 Л 2, (2) 10 1 2Где Тпл 1 и Тпл 2 - температуры плавления частей 3 и 4 соответственно;То - температура конца держателя,Пренебрегая теплоотдячей в окрукаощу 1 о среду и...

Термоанемометр

Загрузка...

Номер патента: 1569858

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Варшава, Островская, Чекурин, Щербай

МПК: G01P 5/12

Метки: термоанемометр

...зоны, Чувствительный элемент 1 с токовыводами3 устанавливают посредине кольцевой 45державки (термопары) 7 и крепят посредством клея в точках 4. Термопаравыполнена из проволоки хромель-копель ф 0,1-0,2 мм, диаметр кольцевой державки и 20 мм. Возможно также 50выполнение термопарц в пленочном исполнении на, диэлектрической подложке.Термоанемометр работает следующимобразом.П р и м е р 1. Производят его предварительную градуировку. Для этогоклеммы 5 от чувствительного элементапод,оединяют к стабилизированному источнику постоянного тока, к ним подсоединяют цифровой измерительный прибор, например В 7-16 А. Клеммы 6 от термопары подсоединяют к цифровому вольтметру, например В 7-21. Устанавливают рабочий ток= 0,6-0,7 мА. Головку...

Способ определения коэффициента термо эдс нитевидных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1497541

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Варшава, Курило, Перепичка, Пилат

МПК: G01N 25/18

Метки: коэффициента, кристаллов, нитевидных, термо, эдс

...токов Тл и 1 нагревают концы кристалла и регистрируют разность потенциалов Пмежду средними контактами. Рассчитывают термо- ЭДС по Формуле А е=11-(1 К -1 лК ). Определяя температуры концов кристалла через температурные зависимости сопротивлений концов, находят коэффициент термоЭДС. 2 ил. средние 2 и 3. Проводят предварительную градуировку, регистрируя температурные зависимости К(Т), К (Т), К,(Т) и Кк(Т) путем термостатирования (см, фиг, 2). Пропускают че- Р ез контакты 1-2 и 3-4 постоянные токи 1 л и 1, ФиКсируют напряженияи 11 и определяют величины солпротивлений Кл=Цл/1, К=У/1 . С помощью графика на фиг, 2 определяют температуры концов, кристалла, Рассчитывают падения напряжения на контактах 2 и 3 Пл и 11 Измеряют разность...

Датчик гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: 1273988

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Варшава, Сыдир, Чекурин

МПК: G01L 9/08

Метки: гидростатического, давления, датчик

...который одновременно является и воспринимающим элементом, в нем возникает сложно-напряженное состояние, которое может бытьпредставлено в виде гидростатическом го сжатия г3внутренний радиус трубчатогокристалла;его внешнийрадиус,1в -- раз больше чем иэ 1-К"Ъ меряемое давление, и одноосных напряжений 1 и ,1 г 1 гР- Р(2) которые увеличиваются по абсолютной .величине от наружной поверхноститрубки к внутренней. В таком датчикепроисходит увеличение чувствительнос 1ти за счет увеличения в враз1-К"давления воспринимающего чувствитель" ного элемента по сравнению с измеряемым давлением. Это увеличение чувствительности связано с уменьшением чувствительного элемента. Однако напряжения Г, иТа также приводят к приращению сопротивления чувствительного...

Способ измерения деформаций движущихся объектов

Загрузка...

Номер патента: 1146543

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Варшава, Глинчук, Чекурин

МПК: G01B 7/16

Метки: движущихся, деформаций, объектов

...определяют деформацию 11.Недостатком известного способаявляется ограниченная технологическая возможность, обусловленная невозможностью измерений в труднодоступных местах, криволинейных зазорах,в случае, когда масса и размерыобъекта малы,Цель изобретения - расширениетехнологических возможностей.Поставленная цель достигается тем,дчто согласно способу измерения деФормрий движущихся объектов, заключающемуся в том, что на поверхностиобъекта устанавливают чувствительныйэлемент, определяют его начальноесопротивление, нагружают объект,определяют конечное сопротивлениечувствительного элемента и по изменению сопротивления чувствительногоэлемента определяют деформацию, вкачестве чувствительного элемента используют...

Полупроводниковый тензодатчик

Загрузка...

Номер патента: 1142729

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Варшава

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензодатчик

...типа проводимости и охватывающий его коаксиаль ный тензочувствительный элемент противоположного типа проводимости, выполненные из кремния, образующие на границе двух материалов р - и-переход, образованный при механическом З 0 соединении двух материалов .2 3.Однако и этот тензодатчик имеетневысокую чувствительность, чтосвязано с дефектами структурыр - и-перехода и несогласованностьюработы кристаллических решеток элементов 1Целью изобретения является повышение чувствительности тензодатчика.Цель достигается тем, что в:полупроводниковом тензодатчике, содержащем центральный цилиндрическийтензочувствительный элемент из полупроводникового материала одного типапроводимости и охватывакщий его коак сиальный тензочувствительный...

Тензорезистор

Загрузка...

Номер патента: 896382

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Варшава, Ференс

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...погрешность.Цель изобретения - повышениеточности измерений тензорезистора.Эта цель достигается за счеттого, что тензорезистор снабжен дополнительным точечным контактом резистора.Тензореэистор содержи13тельный элемент 1 из нилупроводникового монокртчечными контактами 2 и4 и 5:, соединенными с еи дополнительным точеч6 с выводами 7 и 8, соедчувствительным элементомчасти последнего.Работа тензорезисторается следующим образом.Через вывод 4, контакт 2, чувствительный элемент 1 и вывод 7 проте-, кает стабилизированный постоянный ток 11, Так как сопротивление контакта 6 является функцией деформации в данной точке, падение напряжения на контакте 6, измеренное с помощью милливольтметра, включенного в цепь, включающую вывод 5, контакт 3,...

Термометр сопротивления

Загрузка...

Номер патента: 838420

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Варшава, Островская

МПК: G01K 7/22

Метки: сопротивления, термометр

...элемент термометра 30 выполнен иэ твердого раствора арсен -фосфида галлия, легированного серой.На Фиг. 1 схематически изображен предлагаемый термометр; на Фиг. 2 - градуировочная характеристика термометра.Термометр содержит чувствительный элемент 1, выполненный из нитевидного кристалла Оа Ро,ч А,т оь , легированного серой, контакты 2 й токовыводы 3.Сопротивление термометра при комнатной температуре не привышает 1040 м.Интервал измерений с помощью предлагаемого термометра составляет от -100 до +200 С. Применение в качестве легирующей примеси серы в количестве 0,1 мг/смЗ при получении кристаллов из газовой фазы обеспечивает активационную зависимость сопротивления термбметра от температуры с достаточным наклоном с,0,07 эВ и удобные для...

Датчик температуры

Загрузка...

Номер патента: 476462

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Вайнберг, Варшава, Сандулова, Щербай

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры

...в нем искристалл из арсенидапереходом. 20 Изобретение относится к области тепловых измерений.Известны датчики температур, содержащие термочувствительный элемент в виде диодной структуры из арсенида галлия и выводы.Недостатком таких датчиков является низкая чувствительность 3 мв/град и отсутствие линейности выходной характеристики в широком температурном диапазоне.С целью устранения указанных недостатков в предлагаемом датчике термочувствительный элемент выполнен в виде р+ - р - и+ структуры, содержащей в базе высокоомный пере- компенсированный слой и обладающий 5-образной вольтамперной характеристикой при прямом смещении.На фиг, 1 изображен термочувствительный элемент предложенного датчика; на фиг. 2 - семейство вольтамперных...

Способ получения ненасыщенных полиэфиров

Загрузка...

Номер патента: 303779

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агата, Варшава, Збигнев, Иностранна, Иностранцы, Польска

МПК: C08G 63/54

Метки: ненасыщенных, полиэфиров

...что позволяет понизить точку размягчения ненасыщенных полиэфиров. Можно также в исходную реакционную массу вводить насыщенные дикарбоновые кислоты, например изофталевую, что также улучшает свойства получаемых поли- эфиров,Ненасыщенные полиэфирные смолы, изготовленные согласно изобретению, пригодны для из 1 ОтОВления стеклопластпкОВ, шпаклеВОк и хими"1 ески стойких замазОк, а также В ка честве литых смол и пропиточных составовдля электропзоляцпп. П р и м е р. В трехгорлой колбе, снабженноймеханической мешалкой и вводом нейтраль ного газа, нагревают при температуре 185 Св течение 11 час смесь 200 г гликоля ААФ, 74 г малеинового ангидрида и 20 л 1 г гидрохинона, одновременно удаляя конденсационную воду. Полу 1 ениь 1 й...