Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема

/02 51 и 0 ЕТЕЛЬСТ польский в стиененияника,С.СР1979. 57) ПЕРЕПРТОВИМ ОБЛУЧсодержащалл, соеди 4)ОЛЕРМА кри водниками бласти проводниковыхПЗУ) со стиОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Лаймен. Рост числа вывмулирует конструктивные измкорпусов для БИС, - Электро197, т,50, Р б, с.31-46.Авторское свидетельствоР 73518, кл, Н 01 Ь 21/00,ГРИМРУЕМАЯ УЛЬТРАЕНИЕИ ИНТЕГРАЛЬНАЯя полупроводниковыйенный коммутационныс выводной рамкой,Изобретение относится к оэлектронной техники, а именно к микроэлектронике, и может быть использовано в конструкциях полузапоминающих устройствранием информации ультрафиолетовым облучением.Известна перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема, содержащая полупроводниковый кристалл, размещенный во внутреннем объеме металлокерамического корпуса, имеющего оптическое окно, пропускающее ультрафиолетовые лучи.Недостатками такой конструкции являются снижение надежности интегральной схемы, в частности появление коррозии на алюминиевой металлизации полупроводникового кристалла под воздействием многократного ультрафиолеразмещенной в монолитном пластмассовом корпусе. с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовыелучи слой, расположенный на поверхности полупроводникового кристаллаи герметично соединенный с монолитнымпластмассовым корпусом, о т л и -ч а ю щ а я с я тем, что, с цельюповышения выхода годных интегральныхсхем и эффективности из перепрограммирования, пропускающий ультрафиолетовые лучи слой выполнен в видепластины, установленной в зоне, ограниченной местами присоединений коммутационных проводников к полупроводниковому кристаллу., без ацгезионнойсвязи с его поверхностью. тового облучения среды внутреннегообъема металлокерамического корпусапри перепрограммированиях; высокаястоимость металлокерамического корпуса, обусловленная содержанием в немдефицитных и дорогостоящих материалов(драгметаллов, эле)тронной керамики,кобальта), а также высокой трудоемкостью его изготовления,Наиболее близка к предлагаемои, перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема, содержащая полупроводниковый Кристалл, соединенный коммутационными проводниками с выводной рамкой, размещенной в монолитном пластмассовом корпусе с отверстием, открывающим пропускающий ультрафиолетовые лучи защитный слой, расположенный на поверхносВ ти полупроводникового кристалла и.герметично соединенный с монолитнымпластмассовым корпусом. Достоинствами такой конструкции являются: от"сутствие внутреннего объема в монолитном пластмассдвом корпусе, авследствие этого исключение снижениянадежности под воздействием много"кратного, ультрафиолетового облученияпри йерепрограммированиях интегральной схемы; низкая стоимость монолитного пластмассового корпуса, обусловлен"иая отсутствием в нем дефицитных идорогостоящих материалов, а такженизкой трудоемкостью его изготовления.Однако значительная усадка полимерного компаунда при.формировании изнего пропускающего ультрафиолетовыелучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интеграль. ную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР)защитного слоя и полупроводниковогокристалла разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом. Это приводитк сниженюо выхода годных интегральньцс. схем; разность КТР защитного слоя иполупроводникового кристалла вызыва",ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью:;кристалла, внутренние напряжения,приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причинойснижения им пропускной способностиультрафиолетовых лучей, а следовательно, увеличения длительности цикластирания информации н уменьшения их:.ресурсного количества, чем в целомснижается эффективность перепрограммирования интегральной схемы.Цель изобретения - повышение вы- .хода годных интегральных схем н эффективности из перепрограммирования.4Указанная .цель достигается тем,что пропускающий ультрафиолетовые. лучи слой выполнен в виде пластины,установленной в зоне, ограниченной;проводников к полупроводниковомукристаллу, беэ адгезионной связи сего поверхностъю,Благодаря тому, что пластина, пропускающая ультрафиолетовые лучи, усаиовлена в зоне, ограниченнойместами 55присоединений коммутационных про. водников к. полупроводнйковму кристаллу, исключено разрушение их соедние 0 ний при технологических воздействиях на интегральную схему в лроцессе ее изготовления.Отсутствие адгезионной связи между пропускающей ультрафиолетовые лучи пластиной и поверхностью кристалла исключает внутренние напряженияв пластине иа границе их соприкосновения, а следовательно, повьйается эффективность перепрограммирования интегральной схемы.На чертеже изображена предложенная интегральная схема, разрез.Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схемасодержит размещенную в монолитномпластмассовом корпусе 1 выводнуюрамку 2, соединенную коммутационными проводниками 3 с полупроводниковым кристаллом 4, на поверхности которого установлена пластика 5, пропускающая ультрафиолетовые лучи. Корпус имеет отверстие 6, открывающее пластину, Пластина установлена на поверхности кристалла в зоне, ограниченной местами 7 присоединений коммутационных проводников 3 к полупроводниковому кристаллу 4, и герметично соединена своими боковыми гранями с корпусом,Пропускающая ультрафиолетовые лучи пластина 5 установлена вне мест 7 присоединений коммутационных проводников 3 к полупроводниковму кристаллу 4, что исключило их разрушение нтем самым повысило выход годных интегральных схем.Отсутствие адгезионной связи между поверхностью полупроводникового кристалла и пластиной исключило внутренние напряжения в ней на границе ее соприкосновения с полупроводниковым кристаллом, а следовательно, ловысило эффективность перепрограммирования интегральной схемы.Изобретение по сравнений с прототипом имеет следующие технико-экономические пвеимущества: устраняет разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристал"лом при изгоТовления перепрограммируемых ультрафиолетовым облучением интегральных схем, что позволяет повысить выход годных на 5-7 Е; сокращает .бдительность цикла стирания ииформации в 3,2-1,3 раза и увеличивает их ресурсное количество в 3,3- 3,4 раза, что позволяет повысить з- фективность перепрограммирования,"Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизводственно-издательский комб юе4340 Тираж 445 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5