Патенты с меткой «микроструктур»

Номер патента: 134766

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гутенмахер, Франк

МПК: G06M 11/04

Метки: анализатора, биологических, микроструктур, счетного

...линзы 2, светофильтры 3, фотоэлементы 4, ограничители 5 напряжения. Цифрой б на фиг, 2 обозначен микрообъект. На выходе фотоэлектрического оптического устройства при воздействии светового луча от осветителя 1 на отдельные точки микрообъекта получается некоторый комплекс сигналов.Для автоматического анализа этих сигналов, с целью определения микрообъекта по указанным выше признакам, применено запоминающее устройство, снабженное системой управления. Сигналы фиксируются на элементах запоминающего устройства, выполненного на ферритовых сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса, Элеменгы запоминающего устройства расположены в узлах сетки, аналогичной двухкоординатной сетке фиг. 1. Число таких сеток, конструктивно оформленных в...

Номер патента: 548824

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Алексеев, Белоглазов

МПК: G02B 5/18

Метки: микроструктур, оптическое, распознавания

...коррелятор 6 содержит фотохромное стекло 7 и матовое стекло 8. Тип фотохромного вещества и спектральные характеристики светофильтров подбираются так, что под воздействием светового потока 113, Отракенного от зеркала 9, фотохромное стекло меняет свою прозрачность, образуя маску исследуемой ыпкроструктмръ, а поток 114 проходит через эту маску, не меняя ее прозрачност 11, Согласно принципу рдооты корреляторов Майера - Эпплера 6, 10, существует такая плоскость, расположенная перпендикулярно к оптической оси коррелятора, что распределение освещенности в этой плоскости пропорционально значениям взаимной двухмерной корреляционной функции изображения, идущего со светового экрана, и изображения, представленного на маске. Поло= жение этой...

Номер патента: 765651

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Александров, Биенко, Ильин

МПК: G01B 11/08

Метки: линейных, микроструктур, периодических, размеров

...и поворачивают одно относительно другого на 180 . Чем ближе находится элемент микроструктуры к оптической оси 40 0-0 схемы, тем меньше расстояние между полуконтрастными изображениями (элемент О , его контрастное изображение Ь и полуконтрастные изображения 5 - Р ), и чем дальше от оптической оси 0-0, тем больше это расстояние (элемент 8 и его изображения о и 5 ц -8). Если периодическая микроструктура 10 движется в направлении, указанном стрелкой с индексом У то ее контрастное изображение 12 будет перемещаться в направлении Ч 2, а раздвоенные полукон-, - растные изображения 13 будут двигаться навстречу друг другу (стрелки /). Как только элемент микроструктуры подойдет к оптической оси 0-0 схемы, его полуконтрастные...

Номер патента: 902682

Опубликовано: 30.01.1982

Автор: Буркхард

МПК: H05K 3/00

Метки: микроструктур

...способ. На подложку 1, например из стекла,керамики или иного диэлектрика, напыляют тонкую сплошную пленку 2 М 1- фГе толщиной 200-300 А , на этот слойнаносят слой 3 фоторезиста. Из слоя3 фоторезиста с помощью фотолитографии Формируют маску, образующуюсоответствующие каналы 4 микроструктуры М 1-Ге.,Далее на незащищенные участкиМ 1-Ге гальваническим путем в ваннезолота осаждают подслой 5 золотаотолщиной около 600 А, который усиливается гальваническим путем основ"ным слоем 6 М 1"Ге толщиной около10000 А фиг. 2 и 3), На основнойслой 6 М 1-Ге гальваническим путемосажцается защитный слой 7 золота. В заключение снимается остаточный слой 3 Фоторезиста и покрытую таким образом подложку. помещают в слабо- кислую ванну золота, причем через...

Номер патента: 924778

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Комаров, Никулин, Поярков

МПК: H01L 21/66

Метки: визуального, микроструктур, пластине, полупроводниковой

...пластина 20 с микроструктурами располагается на предметном столеНа пластине-держателе 14 фиксируется перфокарта 21 с записанной ранееюо информацией о годности микроструктур полупроводниковой пластины 20 по электрическим параметрам (отверстие в перфокарте означает брак данной микроструктуры).45В исходном положении электромагнит 9 включен в зонд-пуансон 5,притянут к сердечнику электромагнита благодаря наличию зазора между зондом-пуансоном 5 и рычагом 12. При перемещении предметного стола 1 на шаг электро 50 магнит 9 отключается и зонд-пуансон 5 опускается, Если при этом на перфокарте 21 в месте нахождения зонда- пуансона 5 будет отверстие, что свидетельствует о браке кристалла микроструктуры по электрическим параметрам, рабочая...

Номер патента: 1128118

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Буров, Чехович

МПК: G01B 21/00

Метки: микроструктур, размеров, элементов

...а также с вторым входом триггера 24 и первым входом элемента И 19, первыйз 1128118 вход триггера 24 подключен к выходу блока 25 задержки, а его выход - к вторым входам элементов И 18 и 19. Третий вход элемента И 18 связан с инверсным выходом триггера 15, а тре тийвход элемента И 19 через блок 23 задержки соединен с выходом блока 16 формирования счетных импульсов. Выход элемента И 18 соединен с вторым входом элемента ИЛИ 20. Информацион ные выходы счетчика 21 связаны с информационными входами регистра 22, управляющий вход которого подключен к выходу второго счетчика 27, а вход установки нуля счетчика 21-связан 5 с.выходом 25 блока задержки.Устройство работает следующим образом. С оптического выхода. интерференционного преобразователя 4...

Номер патента: 1304668

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Максименко, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/308

Метки: микроструктур, полупроводниковых

...,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг...

Номер патента: 1711259

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Рыбалко

МПК: G01B 11/00, H01J 37/30

Метки: восстанавливающего, микроструктур

...материаловмикроструктуры и апертурной диафрагмы25 соответственно, Вт/град;р 1, рг - плотности материалов микроструктуры .и апертурной диафрагмы соответственно, кг/см ;з,д 1, дг - глубина максимума энерговы 30 деления в,материалах микроструктуры иапертурной диафрагмы соответственно, см;а 1, аг - теплопроводности материаловмикроструктуры и апертурной диафрагмысоответственно, Вт/м град.35 Указанное выражение связывает допустимую длительность управляющего импульса с с объемной плотностью мощностиОо, выделяемой в облучаемом материале,которая прямо пропорциональна мощности40. электронного пучка. В случае, если указанное условие не соблюдается несмотря настробирование, температура произвольно,облучаемых поверхностей превосходит допустимый...

Номер патента: 1744684

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Куликов

МПК: G02B 21/00, G02B 27/40

Метки: контроле, микроскопа, микроструктур, многократном, оптического, рельефных, фокусировки

...цель достигается тем, что согласно способу фокусировки оптического микроскопа, включающему перемещение объектива микроскопа в плрскости вдоль 15 оптической оси микроскопа и визуальную оценку качества изображения, эта оценка производится по цвету изображения рельефной структуры.На фиг, 1 представлена форма видео сигнала для полоски на Я с высотой 900 А, на фиг. 2 - форма видеосигнала для полоски на Я с высотой 1800 А.При экспериментах использовался микроскоп-фотометр "МР" фирмы "1 еи", Чис ловая апертура объектива 0,90, используемая длина волны 0,546 мкм, Среднеквадратичная погрешность измерений 2 по паспортным данным . 0,025 мкм (для измерений хромовой линии на стекле). 30П р и м е р 1. Контроль ширины линии Я 02 на подложке...