Ярандин

Номер патента: 1607014

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Прокопенко, Рыжкова, Сидоренко, Тальнова, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих...

Номер патента: 928953

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Кудина, Лосев, Москалевский, Ярандин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, схем

...силу нестабильного стехиометриеского состава такая пленка практически не удаляется кислотами илисмесями на основе НЮ, НБО, НС 1,ОН, Н ОУдаление пленки кипячением в НРО,Г(по аналогии с удалением ЯзГ 1,Г)также 25вляется невоспроизводимым, а кромегого, она взаимодействует с оголенным кремнием в активных областях ИС,что повышает фиксированный заряд идефектность в выращенном впоследствиина активных областях подзатворномокисле. Наличие кислорода в образовавшейся тонкой пленке на кремнии позволяет стравливать ее в составах,содержащих фтористоводородную кисло 35ту, В этом случаеподтравливается всяповерхность окисного слоя и происходит последовательный отрыв образовавшейся пленки от окисного "клюва и ее полное удаление, причем...

Номер патента: 1099776

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/3105

Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной

...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...

Номер патента: 1329498

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Базанова, Белоус, Мацкевич, Попова, Ярандин

МПК: H01L 21/312

Метки: покрытия, фоторезиста

...согласно известномуспособу (прототипу) ца установке нанесения фоторезиста линии "Лада (см,табл.1).Т а б л и ц а 1 Продолжение табл.2,гРастекание5350Сушка110 Толщина фоторезистивного покрытия ца пластинах составляла 1,2 мкм.Сформированные покрытия подвергадпсь контролю, в процессе которогоопределялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый прц косом подсвете отисточника с направленным световымпучком и локальная разнотолщинность(лучистость) покрытия при контролепод металлографическим микроскопомв режиме ицтерференццоцного фазовогоконтраста по Номарски.1Визуально наблюдаемая радиальная1 11лучевая разнотолщинность присущафоторезистивным покрытиям, Нанесение фотарезиста в соответствии с изобретением обеспечивает...

Номер патента: 1199155

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Мацкевич, Москалевский, Перова, Ярандин

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-микросхем, методом, пошагового, репродуцирования

...окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл...

Номер патента: 1304668

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Максименко, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/308

Метки: микроструктур, полупроводниковых

...,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг...

Номер патента: 1531169

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эа счет туннельного пробоя конденсатора 2 происходит накопление положительного заряда на обкладках 5,т.е, высокого логического уровня("1"). В момент времени гоканчивается, действие высоковольтного сигнала стирания, а в момент с 4 производится отключение выбранных элементов5 153116 1 памяти, В течение интервала времени с -г.4 происходит разряд шины 24 на вход 30, находящийся под нулевым потенциалом, а шины 22 на вход 36, также находящийся в это время под нулевым потенциалом, Начиная с момента времени сз до момента времени происходит повторение цикла стирания, в течение которого элемент 1 10 памяти и другие элементы 1 данной секции накопителя оказываются полу- выбранными по входу 34, а в течение интервала времени с-г они полуныбраны по...

Номер патента: 555609

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Вайнприбер, Дружинин, Канн, Любич, Феклистов, Черных, Ярандин

МПК: B29C 67/20

Метки: пенопласта

...смесителя 6, другаяснабжена вентилем 12 и измерителемрасхода воды и соединена с входоминжектора 14 отверднтеля,Система подачи кислоты состоитиз емкости 15, трубопровода 16,снабженного дозировочным насосом 17и вентилем 18 и соединенного совторым входом инжектора 14 отвердителя, выход которого соединен с входомпеногенератора 19. Система подачи пенообразователясостоит из емкости 20, трубопровода 21, снабженного дозировочнымнасосом 22 и вентилем 23,и соединенного со вторым входом инжектора 24,первый вход которого трубопроводом25 соединен с выходом струйного смесителя б. Выход инжектора 24 соединенс входом неногенератора 19.Пеногенератор 19 соединен такжес источником 26 сжатого воздуха воз-духопроводом 27, имеющим вентиль 28и измеритель...

Номер патента: 841047

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Буй, Копытов, Лисица, Сидоренко, Солод, Тильс, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...к возбужденному выходу дешифратора 2, предзаряжается так, что на затворе транзистора 23 тактируемого усилителя 11 появляется положительный потенциал относительно стока транзистора 23, имеющего в этот момент времени нулевой потенциал, в результате емкость конденсатора 24 возрастает и становится значительно больше, чем суммарная емкость затвора транзистора 23 и паразитная емкость выхода дешифратора 2. Конденсаторы, подключенные ко всем остальным невозбужденным выходам, остаются незаряженными и имеют малую емкость, что делает небольшой емкостную нагрузку выхода формирователя 5 и способствует повышению быстродействия ПЗУ. В интервале времени 43 на выходе формирователя 5 формируется передний фронт положительного импульса тактирования Т, т.е....