Тянгинский

Номер патента: 1605289

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский

МПК: H01L 23/34

Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической

...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...

Номер патента: 571939

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Бухтенко, Обичкин, Тянгинский

МПК: H05K 3/00

Метки: пленок, травления, химического, хрома

...воользование серной кислоты, в которой позитивные фоторезистооы разрушаются,Известен также способ химическоготравпения ппенок, хрома, рисунок которых формируютметодомфотопитографии врастворе, содержащем с опяную кисп оту и добавки, с испопьзованием метаппического активатора 2.Недостаток такого способа заключается .в недостаточно высокой интенсификации процесса травления и недостаточно высокой точности рисунка пленки хрома.По предлагаемому способу, с целью интенсификации процесса травления и повышения точности рисунка пленки хрома, в соля нуюкиспоту предваритепьно помещают метаппический хром, который присутствует в растворе и течение всего процесса травления,Изобретение иллюстрируется примерами,П р и мр 1 Пняни лрола . Огсйимой250-300...