Патенты с меткой «облучением»

Номер патента: 67630

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Артемов

МПК: A61M 11/02

Метки: аэрозолем, лечения, облучением, прибор, ран

...герметически закрывающейся на резьбе крыш. кой 2 и намотанной на цилиндр спиралью для электрообогрева, Камера 1 соединена с воздухопроводом из металлической трубки 4 и резинового шланга 12 со стеклянным тройником 14, снабженным резиновой пробкой с сосудом 11 для сбора конденсата и твердых частиц аэрозоля. Резиновый шланг 12 заканчивается стеклянным, эбонитовым или тому подобным наконечником 13. Камера 1 отгорожена от воздухопровода 4 ширмой б, Помимо этого, камера 1 снабжена еще тремя металлическими трубками б, 7 и 8, в одну из которых - 7 - вставлен термометр 15 со шкалой, на другую - б - надета стеклянная трубка 9 с краном 10. Третья трубка 8 сообщена с атмосферой.Принцип работы прибора заключается в быстром разбавлении паров...

Номер патента: 110721

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Дерюгин, Мякишев

МПК: H01Q 15/02

Метки: антенна, боковым, дифракционная, облучением

...дифракционной антенны бокового облучения показана на фиг. 1.Излучающая поверхность выполнена в виде отражательной решетки 1, облучаемой сбоку рупором 2, Последний снабжен линзой 3 для формирования плоского фронта вол. ны. Решетка может облучаться и цилиндрической волной, но в этом случае для создания плоского фронта отраженной рабочей волны, необходимо применять изогнутые решетки или решетки с переменным периодом Т.Период решетки выбирается из1.условия - = з 1 п ср, при котором рабочий луч с номером и 1 отражается строго нормально, Зеркальный луч с номером и =О подавляется подбором глубины канавки й (фиг. 2).При строго нормальном отражении рабочего луча появляется луч с номером и - 2.Этот луч несколько изменяет КСВ в передающем...

Номер патента: 281804

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Брашкин, Голодный, Давидюк, Институт, Нков

МПК: B29C 71/04

Метки: заготовок, облучением, обработку, подачи, цилиндрических

...На фиг. 1 дана принципиальная схема; на г, 2 - продольный разрез по тянущим вал Описываемое устройство содержит две пары тянущих валков (верхних 1 и нижних 2), выполненных в виде закрепленных с помощью шпонок на валах 3 обойм 4, подпружиненных 5,в осевом направлении пружиной 5. Валы 3через систему зубчатых колес б, 7, 8 и шестерню 9 связаны с ведущим валом 10, соединенным с приводом, на котором укреплен торцевой кулачок 11. Верхние валки 1 и нижние 10 валки 2 соединены соответственно траверсами 12 и 13, на которых укреплены башмаки 14, Башмаки 14 постоянно прижимаются пружинами к торцу кулачка 11. Возле валков расположены направляющие 15 и 1 б для об лучаемых изделий.Устройство работает следующим образом.Концы изделий (проводов,...

Номер патента: 860354

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Битаров, Зарицкий, Карпов, Пигарев, Попов, Рудаков, Суанов

МПК: H05B 41/39

Метки: комбинированным, облучением

...выходы триггеров 13 и 14 подключены к одним входам эле.ментов 15 и 16 И, друтие входы которыхподключены к выходам дополнительных генераторов 17 и 18. Выходы элементов 19 и 20 ИЛИ подключены к управляющим электродам симисторных регуляторов 6 и 7. Выходы фотодатчиков 21 и 22 соединены с инверсными входамикомпараторов 23 и 24 и дифференциальныхусилителей (ДУ) 25 и 26, прямые входы компараторов 23 и 24 и ДУ 25 и 26 подключенык выходам задатчика 27 интенсивности ИК излучения и задатчик 28 интенсивности УФ излуче.ния, выход каждого из компараторов 23 и 24подключен к счетным входам триггеров 13 и 14,а выход каждого из ДУ 25 и 26 - ко входамдополнительных генераторов 17 и 18 импульсов.Генераторы 29 и 30 входамн подключены к выходу...

Номер патента: 1005757

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Гизатулин, Дубовой, Некрасова

МПК: A23L 3/26, C02F 1/30

Метки: жидких, облучением, оптическим, сред

...оптическим облучением. Оноимеет обезэараживающую камеру.с размещехмыми в центре ее источниками 1)Недостатком известного устройства явля.ется его небольшая производительхость, обусловленная неполным использованием бакте.рхцидного потока, источников, 15Наиболее близким к изобретению по техническому решению является устройство дляобработки жидких .сред оптическим облучением, состоящее из соосхо установленныхкамер, в зазоре между которыми равномерно 20расположены источники излучения, а обра.щенхые к иим стороны стенок камер служатрабочими экрахирующими поверхностями,Известное устройство позволяет более т 1 ар.хо использовать энергию излучения геиериру- ремую источниками 2);Однако устройство хе позволяет достичьмаксимальной...

Номер патента: 1082433

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Жаворонкова, Несис

МПК: A61K 35/14

Метки: вызванной, импотенции, местным, мужской, облучением, общим, организма, профилактики

...раза (табл. 4) выше чем у только общеоблученных животных (52,5 млн. и 124,7 млн.; контроль 17 б мпн).У общеоблученных животных с предварительно облученной аутокровью половые клетки обладали большей,активностью и резистентностью к 13-номухлористому. натрию, обменные процессыу них протекали интенсивнее, а процент атипичных форм сперматозоидовоставался намного ниже (21,0+1,1 Х,и 35,0+0,13 соответственно), чем у только общеоблученных животных.1Уровень белков сульфгидрильных групп в тканях семенников в разгарлучевой болезни у животных с предварительным ионизирующим воздействием.на кровь в 1,7 раза выше (бб мгХ и 41 мг 7., контроль 103 мгХ), чем у только общеоблученных (Р ( 0,05) .Благодаря способности к быстрому окислению,и восстановлению...

Номер патента: 1138174

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Суворов

МПК: A61N 5/06, G01N 33/68

Метки: больного, индивидуальной, области, облучением, параженной, псориазом, терапии, ультрафиолетовым, чувствительности

...подготовки исследуемого материала тканей.П р и м е р . Больной К 28 лет, история болезни 9 .78. Поступил в клинику с жалобами на зуд и высыпация ца коже. Болен 14 лет.Объектцвнс)1 при поступлении В клинику е 1 Я ко же имелись ярко-красного цвета элидермо-дерма)1 ьцые папулы с шелушением на поверхности. В области туловища., конечностей и волосистой Чаетц ГОЛОВЫ П ПУЛЫ СЛЦВаЛИСЬ В КРУГсцые бляшки с церовць 1 ми фестончатыах очертаниями. Три феномена псорцаза положительные.Диагноз: ДХЕффузеХьей, блясаечныйпсорцаз; стадия прогрессирования,зцмехнй тип.На 13-й день пребывания в клиниКС ПОСЛ ПРОВРДЕПНОГО МРДИКЕссЕЕ 1 тозного лече 1;ия отмечено отчетливое улу теие процесса ца коже; цоблсднецие, значительное уплощение и частичное разрешение...

Номер патента: 1469858

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Зыбин, Костюнин, Пахомов, Угнивенко, Хованова

МПК: C12N 15/00

Метки: гамма, индуцированного, мутагенеза, облучением, снижения, соматического, спонтанного, частоты

...назначению.Для анализа антимутагенного и проекторного (по отношению к спонтанному мутагенезу и индуцированному Облучением) действия гипербарического кислорода использованы тест-системы, Основанные на регистрации частоты соматического мозаицизма у дроэофилы. Антимутагенный эффект гипербарической Оксигенации исследовали на мухах 1 ида ОгозорМ 1 а зхщо 1 апв, протекторный - иа мухами вида ЭговорЬ 1 а ще 1 айодавек, Дпя обработки мух гиперба 11 ическим кислородом испольэовали режим, предложенные .ранее для лечения больных с местными лучевыми поражениями в остром периоде. Культуры с ю 1 нчинками дрозофилы, гетероэиготными50 по рецессивным Х -хромосомным генам, 11 омещали в одноместную лечебную 1 ипербарическую систему "ОКА-МТ" при давлении...

Номер патента: 1163776

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Гончаров, Томашпольский

МПК: H01L 31/02

Метки: интегральная, облучением, перепрограммируемая, схема, ультрафиолетовым

...усадка полимерного компаунда при.формировании изнего пропускающего ультрафиолетовыелучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интеграль. ную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР)защитного слоя и полупроводниковогокристалла разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом. Это приводитк сниженюо выхода годных интегральньцс. схем; разность КТР защитного слоя иполупроводникового кристалла вызыва",ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью:;кристалла, внутренние напряжения,приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причинойснижения им пропускной способностиультрафиолетовых лучей, а...

Номер патента: 1748735

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бернер, Судаченко, Феофилов, Чистякова

МПК: A01G 9/26

Метки: облучением, растений, теплице

...т.е, при большой освещенности, не могут изменить состояние последнего,Если в течение режима "День" в какойто момент естественная освещенностьснизится до предельно допустимого уровня (момент з на фиг.2) и станет ниже, то вответственно в каждый момент такого обну- тельного механизма 11 снимается команда ления (например, в ц на фиг,2) на выходе на включение, и основные лампы выключа второго элемента И 4 сигнал будет стано- ются,виться единичным (И 7 на фиг.2) и оставать- В момент выключения основных ламп ся таковым до окончания второго 5 одновременно с обнулением сигнала на полупериода, после которого начинается прямом выходе первого ВЯ-триггера 19 сигновыйинтервалсуммирован на реверсив- нал на его инверсном выходе становится ном...

Номер патента: 1776369

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Зайцев, Сомов

МПК: A01G 7/00

Метки: исследований, камере, культур, облучением, фитопатологических

...выполненный в виде сопротивления Й 2 и задатчик уровня облучения, выполненный в виде сопротивления 82, й 4 включены с соответствующими элементами в мостовую схему, куда так же включен фотодатчик б,Система работает следующим образом, С пОмОЩью сопротивлений 82, Й 4 устанавливают равновесие в схеме при заданной облученности. Реле 8 обесточена и стеллаж 2 не перемещается. Во время эксплуатации вследствие старения ламп или колебания напряжения или загрязнения фотодатчик 6 изменяет в виде изменения светового потока свою проводимость, в результате чего система связанных индуктивностей влияет на индуктивность а 1, а 2, мостовой схемы 01-04, в диагонали начинает протекать ток, который проте ной клемме фотодатчика для установки на стеллаже с...