Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин

Номер патента: 1199151

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

ZIP архив

Текст

выходом усилителя 6,на второй вход подается постоянное напряжение 11 , а выход соединен с входом регулировки усиления усилителя 6. Перед работой настраивают максимумы спектраль-ных характеристик преобразователей 1 и 10 так, что преобразователь 1 регистрирует составляющую излучения, интенсивность которой изменяется в процессе обработки кривая А на фиг.2) а преобразователь 10 регистрирует составляющую, интенсивность которой не изменяется в процессе обработки кривая Б на фиг,2 , При этом флук туации давления и мощности влияют на интенсивность выбранных составляю- щих примерно одинаковым образом, так же как и, изменение прозрачности стекла в смотровом окне установки. 20Чтобы уменьшить погрешность определения момента окончания процесса обработки из-за флуктуаций давления и мощности, в предлагаемом устройстве сигнал с преобразователя 10 исполь зуется для калибровки тракта усиления модулятор-демодулятор) сигналов с преобразователей 1 и 10, При этом медленно изменяющееся напряжение .с преобразователя 10 (кривая Б на 30 фиг.2) сразу подается в тракт усили- . теля (сумматор 5, усилитель 6), а напряжение с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано увеличением коэффициента усиления усилителя 6 на 12%, В этом случае при изменении напряжения с преобразователя 1 по кривой А, а с преобразователя 10 - по кривой Б выходное напряжение демодулятора 8 (кри- вая В на фиг.2) практически не будет содержать составляющих, обусловленных флуктуациями давления и мощности, За счет этого будет исключена погреш-, ность (Ьй на фиг.2) определения момен-та окончания процесса отработки.,Устройство позволяет уменьшить Погрешность фиксации момента оконча-: ния плазмохимической обработки с 10-.,15 с до 3-4 с. Таким образом, введение модулятора, сумматора, регулируемого усилителя, двух разделительных конденсаторой,. демодулнтора, генератора, интегратора и второго фотоэлектрического преобразователя позволяет повысить точность фиксации момента окончания про- цесса в условиях флуктуаций давления , и мощности в реакторе.кКорректор Редактор О.Филипповю М аа Техр Лид Тираж 464 енного комитета по 13035, Москва, 3-3 Подписноеизобретениям и откРаушская наб., д Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Заказ 4341ВНИИПИ Государств рытиям при ГКНТ

Смотреть

Заявка

3765181, 12.07.1984

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8495

ХАЙНАЦКИЙ А. С, КОХАН Н. П, ДОЛГОПОЛОВ В. М, СОЛОГУБ В. А, РОГАЧЕВ Б. В, ИВАНОВ В. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

Опубликовано: 30.11.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1199151-ustrojjstvo-upravleniya-processom-plazmokhimicheskojj-obrabotki-poluprovodnikovykh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин</a>

Похожие патенты