Способ изготовления полупроводниковых микроструктур

,Н 01 1,3% с юа СТВО рем А,С.Ткач С. Ес 1 ее рго Ьдп 8 о.Г ро 1о 1 йе Е 1 1981, ч; 2 У" е ьство СССР 21/306, 198 слой УДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬИ 1 ИКРОСТРУКТУР(57) Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем сповьппенной плотностью элементов.Целью изобретения является сохранение сплошности фоторезистивной маскис крупным профилем края и сокращение длительности технологическогопроцесса, При изготовлении полупро",водниковых микроструктур на подложку наносят полгкремнии,. Окисел к ния и глюмннй, фо гмируют маску нз фаторезистаи проводят плазменное травление алюминия или окисла кр мгигя в высоко.астотггом диодгг.ы г еактаре. Пла.менное травление проводят па крайлей мере в две стадии. Плотност . мощности предыдущей стадии трзвгегш не превышает 603 уроггн.г ггл,тнссти мощности последующей стадии травления кроме последней не превышает половины длигельггости всего процесса травления, Ограниченная плотность высокочастот-. ной мощности в начальных с.адь:ях травления не вызывает чрезмерь 1 гс разо- грена псдложек, что исключает текучесть фоторезисга. В та гг;е время происходит задублванне фоторезп"та, На последней стадгги травлеия эадублеьный 1фотореэпста препятствует деформации края маски. 11 з текнологическсго процесса исклю,егга обработка фоторезим зиста в плазме ицсртггого газа, что сохраняет сплошность маски, 1 табл, Ы1 130 ч 6Изобретение относится к технологииизготовления интегральных схем с по-,вышенной плотностью элементов,Целью изобретения лвллетсл сохранение сплошности Фоторезистивной маски с крутым профилем кран и сокращение длительности технологическогопроцесса,П р и м е р. Образцы длн травленияизготавливают из окисленных кремние- Ювых пластин, на которых осаждают поликремний толщиной 1 мкм, Фотолитографическим способом Формируют линиииз поликристаллического кремния и да-.-,лее наносят легированный Фосфором 15дно ксид кремния толщиной 1 р 8 мкмДлл примеров 1 и 3 дополнительно иапыляют пленку А 1 толщиной 1,4 мкм,11 Я образцах Формируют пленку Фото"резиста толщиной 1,6 ф 0,1 мкм, экс- ,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг твуетонаименьшему уходу размеров при плазменном травлении, БОСКЬльку из технологического процесса исключена абработка Фоторезиста в плазме инертногогаза, сопровождающаяся эрозией маски,тО ОсГв)точняя толщина пОследней име68 2ет величину на ЭОО-АОО нм больше.Таким образом сохраняется сплошность маски и не возникает нарушения целостности замаскроваавк участков микроструктуры,Исследования, рисунка алюминия на растровом электронном, микроскопе по" казали, что краевой угол маски умеиь-Олился до 45 , возникла неровность края рисунка А 1 величиной 0,5-0,8 мкм, Ия выступах рельефа наблюдалось разрушение металлиэации из-эа сквозной эрозии маски. Увеличение плотности мощности на первой стадии травления свыше 60% от уровня плотности мощности второй стадии травления привело к перегреву маски, ее деформации и повышенной эрозии, Плаэменное травление с уровнем плотности мощности предыдущих стадий не более 60%плотности мощности последующих стадий травле.ния примеры 1,2) обеспечивает сохранение сплошности маски с крутым профилем края.Формула изобретенияОпособ изготовления полупроводниковых микроструктур, включающий опе-. рации формирования фоторезистивной аленки на подложке, экспонирования, проявления, плазменного травления диэлектрического или проводящего слоя в ВЧ-диодном реакторе, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью сохранения сплошиости Фоторезистивной маски с крутым проФипем края и сокращения дпительности технологического процесса, плазменное травление проводят по крайней иере в две стадии, при этом плотность мощности предыдущей стоядин травления не превышает 60% уровня по плотцости мощности последующей стадии травления, а длительность каждой дта- . дии Гравления, кроме последней, не превышает полОвины длительнОсти всефО процес 1 я трдвденнл)х о и Н 1 н о а ь (О СО 1 Ю СО А1 1 иР 4104 44 М,лд 1 О Х Ф ХоохДд хд х л СОЮн и С 4 Ю 4л щл Оь ьн н н нс4в х сч Х л ь м н н(а - 4 Н ЮН г х лХ эо хд Э мои н1-4 3 КЮ 1Х 4 НЭа,1;ХН1 л 4й о оР 41 эх Н о о 1;Ф О хидео ооВ охоо О х х х р 39,4,во хф 4 Нн а 1,"Р4 Н Ва 4 ньч с ЦЛ л м л Ю 1 (4 л Ю о Щ СО с 4 ъ н К У, (ОК л Х о д о о с 110 1 3 Д а - с О, х ц