Раренко

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08 ...

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1403919

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Ваксер, Герасименко, Погребняк, Раренко, Тальянский, Халамейда

МПК: H01L 31/02

Метки: детектор, диапазонов, излучения, миллиметрового, полупроводниковый, субмиллиметрового

...магнитного поля,рическое индикаторное устройстчувствительный элемент, обладаэлектронным фототермомагнитнымтом 3, слои 4 и 5 чувствительнэлемента с различными значенияфективной массы электронов в.,Электронный фототермомагнит(ЭФТИ) эффект заключается в поэлектроцвищущей силы (ЭДС) в иводнике при наличии в нем градэлектронной температуры 0 и педикулярного к огай О магнитного(см.фиг.1). ЭДС ЭФТМ эффекта иется в направлении, ортогональмагнитному полю и градиенту элной температуры. Величина ЭДСте с ней и чувствительность рариваемого детектора, определяютпараметрами полупроводниковогориала (величинами импульсной игетической частот столкновенийречной дифференциальной термоЭэффективной массой электронов. т.д.), из которого изготовленвительный...

Номер патента: 1589392

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Бабак, Куринной, Раренко, Стриха

МПК: H03M 1/30

Метки: датчик, импульсный, фотоэлектрический

...импульсов в пакетах 11, = Па= к 3/с 8 р- сМСр/, а при с = 90 ф Б,= В Ф/КЗсгцф.Однозначность определения направления перемещения по последовательнос ти импульсов в пакете сохраняется и в отсутствие одного из фоточувствительных участков при условии отличия интервалов между двумя импульсами в пакете и между пакетами, т.е. когда интервал между импульсами в пакете не равен половине периода следования импульсов одиночных импульсов с одного из участков растра 5, Для этого углыи шаг Б находятся из соотношения 1)пК 12 С 8- с 8 (, в частности Р= =К/3 сСд 9, При этом направление рав"ч номерного перемещения регистрируется по соотношению интервалов между импульсами в пакете, предшествующем счетному одиночному импульсу с одного из участков,...

Номер патента: 1515040

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Бойчук, Клето, Лютик, Порваткин, Раренко

МПК: G01B 11/26

Метки: поворота, угла

...излучателем.На чертеже представлена функпннальная схема преобразователя,Преобразователь содержит корпус 1и установленные в корпусе 1 излучатель 2 и приемник 3 излучения. Токосъемные электроды 4 приемника 3 излучения образуют диафрагму, Пространство между излучателем 2 и приемником 3 излучения может быть заполненопрозрачным материалом 5, напримерклеем, Сканирующий элемент 6, вьполненный в виде последовате.пьно расположенных отражающих и неотражающихучастков, скрепляют с объектом контроля (не обозначен). Приемник излучения выполнен в виде пластины изфоточувствительного материала, толщина ы которого определяется иэ усл -вия 0,1 ( ехр(-о(0,99, где о( -коэффициент поглощения фоточунствительного материала.Корпус 1 устанавливают перед...