Способ изготовления мдп-микросхем методом пошагового репродуцирования

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЩИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН н 21/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ДВТОРСК СВИДЕТЕЛЬСТВ ский,зрадля нтов й оло- го О. ыграб т 7-канавкой,гирование кртруктура мик трукту окальн иг.2 иг.3 боромемы. на на а фиг н росх чения:ид кремавка 5 фо-,рам 7,9, затвор 11, межбоэн нит Ч-ка е б Принятые условия опластина 1, окисел 2,,ния 3, фотнреэист 4торезист 6, легированилокальный окисел 8, мный окисел 10, поликреслойный диэлектрик 12П р и м е р. Послны кремния марки КДБдо толщины окисла 50 т мний и пластикисляют е очис,аждение нитрида кремн олщин ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР(56) Отчет о НИР "Истина П" "Работка технологии фотолитографииполучения БИС с размером элеме1,2-1,5 мкм методом проекционнолитографии", 1981.Отчет о НИР. Разработка технгии автоматического проекционномультиплицирования изображениякремниевых пластинах. 1978,(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДПМИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕДУЦИРОВАНИЯ, включающий процесс, окисления Б 1-подложки, фотолитофического. травления кремния в о Изобретение относится к технологии изготовления МДП-микросхем с применением локального окисления и литографии с пошаговым репродуцированием и может использоваться при формировании знаков совмещения для автоматического совмещения топологических слоев.Целью изобретения является повышение технологичности процесса изготовления МДП-микросхем .с пошаговым репродуцированием и уменьшение плотности поверхностных дефектов .На фиг.1 показана структура со знакам совмещения в слое фоторезиста; 2ласти знаков совмещения на кремниевых пластинах через маску окисла,удаления окисла, окисления кремния,локального окисления кремния в пассивных областях микрбсхем через маску из ЫБ+, окисления под затвор,фотолитографического формированиязатворных электродов, диффузии легирующей примеси, фотолитографическоговскрытия контактных окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл при температуре травителя 70-75 С,оПосле этого сделав очистку пластин и фотолитографию по созданию 15 маски из фоторезиста, выполняют операции легирования бором разделительных областей кремения( и ПХТ незащищенных фоторезистом участков нитрида кремнияПосле химического травле ния послойного окисла удаляют фоторезист, производят очистку пластин и локальное окисление кремния до толщины окисла 1,0-1,1 мкм. Для формирования подлегированных затворных 25 областей кремния выполняют последовательно фотолитографию по созданию топологических рисунков в слое фоторезиста с операциями локального ионного легирования кремния соответственно фосфором и мышьяком, фоторезист при этом удаляют после каждоголегирования.Затем стравливают жидкостным методом нитрид кремния и тонкий подслойный окисел.После очистки пластин формируют,подэатворный окисел толщиной 700+50 А;выполняют фотолитографию по вскрытиюспециальных контактных окон, осаждают поликремний толщиной 0,5-0,6 мкм.Далее проводят фотолитографию посозданию затворных участков и межсоединений из поликремния,После формирования активных областей легированием осаждают межслойную пленку, фосфорно-силикатногостекла ФСС) толщиной 1,6+0,2 мкми выполняют фотолитографию по вскры-.тию контактных окон, напыляют слойметалла толщиной 0,8-1,0 мкм, выполняют фотолитографию по формированиюметаллизированной разводки.,Заключительные операции изготовления схемы - создание пассивирующего покрытия из окисла кремния толщиной 0,6-0,7 мкм с окнами над контактными площадками из металла и низкотемпературный отжиг пластин,199155 едактор О.Юркова Техред Л.Олийнык Корректор А. Осаул Заказ 4355 Тираж 462 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/ при ГКНТ СССР Производс но-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 101