Москалевский

Номер патента: 928953

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Кудина, Лосев, Москалевский, Ярандин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, схем

...силу нестабильного стехиометриеского состава такая пленка практически не удаляется кислотами илисмесями на основе НЮ, НБО, НС 1,ОН, Н ОУдаление пленки кипячением в НРО,Г(по аналогии с удалением ЯзГ 1,Г)также 25вляется невоспроизводимым, а кромегого, она взаимодействует с оголенным кремнием в активных областях ИС,что повышает фиксированный заряд идефектность в выращенном впоследствиина активных областях подзатворномокисле. Наличие кислорода в образовавшейся тонкой пленке на кремнии позволяет стравливать ее в составах,содержащих фтористоводородную кисло 35ту, В этом случаеподтравливается всяповерхность окисного слоя и происходит последовательный отрыв образовавшейся пленки от окисного "клюва и ее полное удаление, причем...

Номер патента: 1199155

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Мацкевич, Москалевский, Перова, Ярандин

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-микросхем, методом, пошагового, репродуцирования

...окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл...