Патенты с меткой «свч-устройств»

Способ измерения частотных характеристик свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 171451

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесо, Орлов, Плт, Рудаков

МПК: G01R 23/14

Метки: свч-устройств, характеристик, частотных

...и уменьшения погрешностей измеренияприменяют широкополосный делитель мощности со сдвигом 90 между сигналами; эти сигналы смешивают с зондирующим сигналом, а сиг налы полученной промежуточной частоты складывают, предварительно сдвинув на 90.На блок-схеме изображены элементы измерительного устройства (иллюстрация к описываемому способу) . 30 Зондирующий сигнал с генератора 1 подается на исследуемое СВЧ-устройство 2 и одновременно на смесители 3. Сигнал с выхода устройства 2 подвергается амплитудной модуляции в модуляторе 4, после чего поступает в широкополосный делитель мощности 5. Сдвинутые на 90- сигналы с выхода делителя мощности 5 попадают на смесителп 3, где смешиваются с зондирующим сигналом и образуют промежуточную частоту....

Вкладыш для свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 352342

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Салыганов, Шильников, Яковлев

МПК: H01P 11/00

Метки: вкладыш, свч-устройств

...резонанса (ФМР) поперечцо намагниченного диска из иттриевого феррограиатя от намагниченности насыщения ферромагнитного порошка, нанесенного ца его поверхность; ца фцг. 3 - температурная зависимость Ьо для поперечно намагниченного диска цз иттриевого феррограната с оптически полированными поверхностями. (кривая а) и того же диска с нанесенным на поверхность слоем ферритового порошка (кривая б), Кривая в построена для диска, поверхность которого обработана абразивным норовком с размером зерна 20 лк.Ферромагнитный вкладыш 1 в форме сферы (фиг. 1 а) цлц диска (фиг. 1 б) покрыт тоц ким слоем ферромагнитного порошка 2 с зернами размером 5 - 15 лтк. Толщина слоя -- це более 0,2 поперечного размера вкладыша.Процессы) которье прцвол...

Измеритель комплексных характеристик свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 532826

Опубликовано: 25.10.1976

Автор: Чупров

МПК: G01R 27/02

Метки: измеритель, комплексных, свч-устройств, характеристик

...БСЧ 7 имеется сигнал частоты-р (2),4 2 где 7 - частота ГПЧ 8.В результате смешивания сигналов с частотами (1) и (2) на выходе смесителя 4 получается сигнал частоты Ю =ЕФУ(3) 5 т.е. сдвинутый по частоте относительно сигнала ГКЧ 1 на величину У .Измерительная головка 12 выделяет информацию об измеряемой характеристике СВЧ - устройства в виде двух сигналов частоты(т+ Р), подаваемых на измерительные входы приемника - индика тора 10, в котором производится перенос информации об измеряемой величине с переменной частоты СВЧ - сигналов на сигналы промежуточной частоты Р, на которой происходит обработка информации и измерение,1 асширение рабочего диапазона частот измерителя, имеющего октавную полосу, достигается за счет использования...

Панорамный измеритель комплексных параметров свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 765755

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Агафонцева, Баклыков, Бондаренко, Гимпилевич, Пригода, Соболева

МПК: G01R 27/28

Метки: измеритель, комплексных, панорамный, параметров, свч-устройств

...головкой 13 и индикато.ром 15, в состав которого входят вычитающиеустройства 16 и 17 и электроннолучевая трубка 18, СВЧ.мощность через преобразователь поляризации 2 поступает на нагрузку 19, пара. 10метры которой измеряют.Измеритель работает следующим образом.СВЧ-колебания поступают со свил-генератора1 в преобразователь поляризации 2, которыйпреобразует волну типа Н 1 волноводного тракта или волну типа ТЕМ коаксиального трактав волну Нс эллиптической поляризациейв общем случае несогласованной нагрузки. Этаже волна распространяется в круглом волноводе 3. Блок управления 14 производит последо.20вательное включение зондов 4 - 7 путем подачинапряжения на коммутирующие диоды 8 - 11,установленные в разрывах этих зондов; приэтом включенный диод...

Поляризационный свч-преобразователь измерителя комплексных параметров свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1168873

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Агафонцева, Баклыков, Бондаренко, Чурилов

МПК: G01R 27/06

Метки: измерителя, комплексных, параметров, поляризационный, свч-преобразователь, свч-устройств

...устранения возбуждения высших типов волн, каждый емкостныйштырь подключен к вторичному волноводному тракту через последовательно соединенные соответствующие коммутационный элемент и элемент связи,вторичный волноводный тракт и комму- Жтационные элементы расположены снару- ужн отрезка круглого волновода, 1 ричем к вторичному волноводному трак- С"ту с одного конца подсоединена согласованная нагрузка, а с другого -диод. вамИзобретение относится к областирадиотехнических измерений на СВЧ,а именно к автомагическим измерителям параметров СВЧ-трактов,Цель изобретения - уменьшениевлияния между зондами и устранениевозбуждение высших типов волн.На чертеже изображен предлагаемыйполяризационный СВЧ-преобразователь.Преобразователь содержит отре Озок 1...

Измеритель фазы коэффициента передачи свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1185270

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Кондратьева, Михиенков, Родионов, Седов

МПК: G01R 27/28

Метки: измеритель, коэффициента, передачи, свч-устройств, фазы

...Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная. 4 1 1185Изобретение относится к техникеизмерений на СВЧ и может использоваться при проверке прецизионныхСВЧ-фазовращателей.Цель изобретения " повышение точ" 5ности,На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема измерителя .Фазыкоэффициента передачи СВЧ-устройств,Измеритель фазы коэффициента пере дачи СВЧ-устройств содержит СВЧ-генератор 1, первый и второй направленные ответвители 2 и 3, первый и второй регулируемые аттенюаторы 4 и 5,регулируемый фазовращатель 6, индикатор 7, первый и второй вентили 8и 9, делитель 10 мощности, отрезоклинии передачи 11 с короткозамыкающимпоршнем 12, исследуемое СВЧ-устройство 13. 20Измеритель фазы коэффициента передачи...

Способ сортировки поликристаллических корундовых подложек для свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1294226

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Бархатов, Грязнова, Малышев, Плеханова, Поляков, Семирунний, Семко

МПК: H01L 21/66

Метки: корундовых, подложек, поликристаллических, свч-устройств, сортировки

...для подложек толщиной 10 и 1,010 м соответст венно в различныхмасштабах интервала25 дискретизации выборочных данных на отрезках одинаковой длины, Интервалыразбиения при построении гистограммвыбирались кратными удвоенной абсолютной ошибке измерения коэффициента светопропускания, равной 0,005с вероятностью 0,99.Полученные линейчатые гистограммы распрецеления выборочных данных-эУбо 1,0 1 О м (фиг,4,6); исходя изЗ 5 экспериментально обнаруженных интервалов смещения резонансных частотмикрополосковых фильтров, разбивались на три практически равные зо".ны изменения коэффициента пропуска 40 ния, аналогичные подложкам групп А,Б и В на фиг 1. Для подложек толщиной 0,5 1 О мсоответствующий интервал А охватывает значения коэффициентов...

Устройство для измерения амплитудных и фазовых параметров свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1442935

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Васильев, Гришукевич, Гулейков, Елизаров, Ревин, Тупикин

МПК: G01R 27/04

Метки: амплитудных, параметров, свч-устройств, фазовых

...котором зависит от уровня продетектиро-ванного сигнала, поступающего с детек.тора 6.Направленный ответвитель 2 служитдпя создания опорного сигнала. СВЧпереключатели 24 и 25, направленныеответвители 4 и 5, согласованные нагрузки 26 и 27 представляют собойсовместно с исследуемым СВЧ-устройством кольцевой измерительный тракт,который в зависимости от положенияСВЧ-переключателей 24 и 25 позволяетизмерять амплитудные и Фазовые параметры передачи и отражения при прямом и обратном распространении черезисследуемое СВЧ-устройство измерительного сигнала. Так, при измерениипараметра В 1 выход полосового Фильтра 22 посредством СВЧ-переключателя24 подключенк входу основного кана 935 4ла направленного ответвителя 4, а выход основного канала...

Способ изготовления сверхпроводящих свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1442019

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Витиня, Закутова, Саратовкина

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящих, свч-устройств

...металла ие более 35 мкм. Это связано с тем, что сверхпроводящие соединения стехиометричес"кого состава обладают значительноболее низкой теплопроводностью прирабочей температуре, чем отдельные металлы например ниобий, КонкретныеР30условия отжига (давление, температура, продолжительность) определяютсясоставом получаемого интерметаллидаи толщиной нанесенного слоя,.Сущность способа состоит н том,Згчто в процессе отжига одновременнос образованием соответствующего интерметаллического соединения на рабочих поверхностях устройства происходит процесс контактно-реактивной,.4 Опайки в местах соединения (шнон) элементов устройства с образованиемтакже сверхпроводящего интерметаллида на этих контактных поверхностях.При этом малая толщина покрытия...

Измеритель s-параметров свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1659903

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Афонин, Кудрявченко, Саламатин

МПК: G01R 27/04

Метки: измеритель, с-параметров, свч-устройств

...детекторе 11 в режиме измерения имеет место тождествоЯ 21 1 г 12 Я 42= Я 31121 1 А 2(4)Из выражений (2) и (4) вытекает соотнохшение, позволяющее определить Я 21Я 21 т12 42 =-м 21 ои 1 1 г Я 4 г521, откудаЯ"21=ЯЬе ф 21 == д е У- (1-г 1-к )1 о 11 тдгде Я 21 = --- модуль комплексного коэфтдкфициентэ передачи исследуемого четырех полюсника 15;Ф =д-;(и -к)2 Л(6)- фаза комплексного коэффициента передачи исследуемого четы рехполюсника 15.35 Преобразование выражения для модулякоэффициента передачи даетО,1 Ак10В,1 ДгР)1040 1 1где АдБ=10 д - ; АтдБ) =1 бцЙК где- показания первого переменного аттенюатора 5 в децибеллах в режиме калибровки и измерения соответственно.Таким образом, выражения (6). (7) однозначно определяют модуль и фазу...

Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для свч-устройств

Загрузка...

Номер патента: 1762350

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лебедь, Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/30, H01P 1/32

Метки: вкладыш, свч-устройств, структуре, термостабильный, ферритовой, эпитаксиальной

...граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил,ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты,На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая...