ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИДЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУЛИН 51)5 Н 01 1. 29/74 МОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТпО изОБРетениям и ОтнРытиямПРИ ГННТ ССС(57) Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частностик высоковольтным тиристорам. Цельюизобретения является повышение блоИзобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к высоковольтным тиристорам.Целью изобретения является повышение блокирующей способности р-и- переходов и токовых нагрузок.На чертеже изображена структура . высоковольтного тиристора, разрез.Высоковольтный тиристор содержит главные поверхности 1 и 2 с различными диаметрами и снабжен электрода" ми анод и катод, при этом анодом является поверхность с большим диамет" ром. Краевая конусообразная поверхность 3 имеет круговую кромку 4, расположенную в серерине и-базового слоя 5 параллельно р"и-переходам 6 и 7 и образованная двумя пересекающимися поверхностями 8 и 9. Поверхность 8 пересекает коллекторный.801455952 кирующей способности р-и-переходови токовых нагрузок, В р-и-р-и-структуре высоковольтногд тиристора, имеющей по торцовой поверхности фаскуФтипа несимметричный ласточкин хвост,круговая кромка, образованная двумяпересекающимися поверхностями, однаиэ которых пересекает коллекторныйопереход под углом=46-50 , другаяобразует угол ос " 9-12 с однойглавной поверхностью структуры, ко"торая в свою очередь образует уголо30-35, расположена в серединеи-базы структуры, а разность радиусов коллекторного и эмиттерного переходов составляет 1,5-1,6 мкм.1 ил,2р-и-переход 6 под углом /3 = 46-50.Поверхность 9 обрлзует угол ьС 9-12 с поверхностью, параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области пространстеенного заряда нэ-эа присутствия на поверхности заряженных поверхностных состояний:напряженность электрического поля реэ. ко возрастает и при определенных,ус" ловиях возможен поверхностный.пробой,Наличие в тиристоре круговой кром; ки, расположенной в середине и-базового слоя обусловило одинаковое по характеру распределение Е а . Значение Ееа в максимуме его .распределения около 00 кВ/см в слу" ,чае блокировки как коллекторноготак н эмиттерного р-переходов. Зна"чение разности радиусов коллекторно, го н эмиттерного р-п-переходов, рав, ное 1,5-1,6 мм, обуславливает прнэтом бельшую коммутируемую мощность. формула изобретения Высоковольтный тиристор, выполненный на основе многослойной структурй, содержащей эмиттерные.п- и р-базовые 5952и коллекторнце слои с р-п-переходами.между ними, главные поверхности которой имеют различные диаметры, а краебвая поверхность выполнена конусооб"разной и имеет круговую кромку, расположенную в плоскости, параллельнойр-и-переходам и образованную двумяпересекающимися поверхностями,одна 10 иэ которых пересекает коллекторнцйр-и-переход под углом 1, а другая, не пересекает ни одной поверхностир"п-переходов, образуя угол в 6 сбольшей главной поверхностью, кото Б рая, в свою очередь, образует уголс краевой конусообразной поверхностью, о т л и .ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения блокирующей способности р-и-переходов и 20 токовых нагрузок, круговая кромкарасположена в середине п-базового.Фслоя, а разность радиусов коллекторного н эмнттерного р"и"переходовсоставляет 1,5-1,6 мм, при этом ве-2 Б личины углов равны соответственноот 46 до 50 , К от 9 до 12от 30 до 3

Смотреть

Заявка

3832638, 25.12.1984

ВСЕСОЮЗНЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА

АГАЛАРЗАДЕ П. С, БУЯКИНА Г. С, КУУЗИК Э. И, ЛОКТАЕВ Ю. М, МАРТЫНЕНКО В. А, АСТАФЬЕВ Ю. А

МПК / Метки

МПК: H01L 29/74

Метки: высоковольтный, тиристор

Опубликовано: 30.09.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1455952-vysokovoltnyjj-tiristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Высоковольтный тиристор</a>

Похожие патенты