Мухуров
Способ получения пленочного многоэлементного термоэлектрического преобразователя
Номер патента: 1828725
Опубликовано: 27.12.2006
Авторы: Гасенкова, Горбачев, Мухуров, Сурмач
МПК: H01L 35/32
Метки: многоэлементного, пленочного, преобразователя, термоэлектрического
Способ получения пленочного многоэлементного термоэлектрического преобразователя, включающий формирование диэлектрической подложки из анодного оксида алюминия, напыление пленочных подогревателей и контактов, нанесение пленочных многокомпонентных p- и n-полупроводниковых ветвей термопар из GeTe и PbTe и герметизацию в корпусе, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости технических параметров, многокомпонентные p- и n-полупроводниковые ветви термопар формируют методом ускоренных импульсных потоков электроэрозионной плазмы при напряжении разряда между анодом и катодом 150-250 В, частоте следования импульсов генерируемой плазмы 10-40 Гц с длительностью импульса 0,1-0,4 мс и...
Способ получения диэлектрических деталей для высокотемпературных вакуумных интегральных схем
Номер патента: 1762334
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко
МПК: H01J 9/02
Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем
...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...
Бесконтактный термоэлектрический преобразователь
Номер патента: 1475425
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Горбачев, Мухуров, Сурмач
МПК: H01L 35/32
Метки: бесконтактный, термоэлектрический
...термопарцогоэлемента последовательно-встречно сосновной батареей обеспечивает необходимое по величине и знаку воздействие на регулярный параметр нетолько по входным, но также и по выходным цепям ТЭП, что в итоге повышает точность преобразования 1 ил.. Нагреватель 4 и термобатарея имеют самостоятельные контактные пленочные площадки 12. Обкладки 8 и 9.шунтирующего конденсатора можно выполнить и ца противоположных поверхностях подложки 3, При этом последняя будет являться разделяющей диэлектрической прослойкой указанного Бескоцтактцыи ТЭП работает сле дуощим образомПри прохождении переменного электрического тока низкой частоты по цепи нагревателя 4 практически вся поступающая от источника сигнала электрическая мощность преобразуется в...
Способ выращивания древесныхкультур
Номер патента: 829042
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Егоренков, Мухуров
МПК: A01G 23/00
Метки: выращивания, древесныхкультур
...сеянцев древесных пород зйачительно уменьшаетсяили.вовсе исключена. Так, например,по данным исследований на третий годвегетации (год максимального развития биомассы люпина) люлин в бороздах накапливает 100 кг/га надземноймассы в пересчете на абсолютно сухой вес, а при посеве без удалениягумусового горизонта - 2200 кг/га,т.е. в бороздах продуктивность надземной массы на 22,77 меньше. Корневыесистемы многолетнего люпина в условиях борозд, напротив, накапливаютбольшую органическую массу: 1 б 84 кг/гапротив 1530 кг/га на участках безудаления гумусового горизонта,9042 4 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Опасность заглушения уменьшается не только вследствие продуцирования меньшей органической массы, но и в результате того, что уровень посевного...