Магниторезистор

Номер патента: 855559

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Карпиловский, Раскин, Сахин

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, поля

...ее проекции Нна найравление О, которое перпендикулярно плоскости диска 12, и следовательно, перпендикулярно току в нем.Аналогично, диск 13 может регистрировать величину проекции Й на направление О. Если рассмотреть другие диски Корбино, на которые разбита область, то можно придти к выводу,что каждый из них регистрирует величину проекций одного и того же вектора Й на различные направления. Если устремить число таких дисков к бесконечности и принять во внимание,что все они включены квазипараллельно (у них один общий электрод - центральный, а в качестве другого служит слой проводящего материала, нанесенный на боковую поверхность сферы),то в результате получают интегральный эффект, т.е. регистрацию величины вертикальной составляющей Й. Так...

Номер патента: 693281

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Васильев, Милютин, Падей, Чуняев

МПК: G01R 33/02, G01V 3/00

Метки: земли, магнитного, моделирования, поля

...7 регистрирует этот параметр вне указанного объема. Блок 3 выделения постоянной составляющей детектирует постояннуо составляющую (медленно изменяющуюся) вектора напряженности магнитного поля и преобразует ее в пропорциональные сигналы, которые передаются на входы блока сравнения 4. На вторые входы блока 4 из программного блока о поступают сигналы, пропорциональныезначениям вектора напряженности магнитного поля (значения считываются, например, с магнитного носителя).В блоке сравнения определяются вел чины и знаки рассогласования программных и действительных значений постоянных составляющих магнитного поля, вырабатываются сигналы, поступающие на входы блока 10 регулирования, который изменяет величину и знаки приращения токов во...

Номер патента: 708798

Опубликовано: 27.05.1995

Автор: Ли

МПК: G01R 29/08, G11C 19/28

Метки: датчик, магнитного, поля

ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ, содержащий полупроводниковую подложку с расположенным в ней регистром сдвига с зарядовой связью, вход которого соединен с входной шиной записи, расположенной на поверхности подложки, и входной диффузионной областью, расположенной внутри подложки, а выход с первой шиной считывания и первой выходной диффузионной областью, расположенными соответственно на поверхности и внутри подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности датчика, он содержит вторую шину считывания и вторую выходную диффузионную область, расположенные соответственно на поверхности и внутри подложки и соединенные с выходом регистра сдвига с зарядной связью.

Номер патента: 711507

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Лисовский, Мансветова

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, магнитооптический, напряженности, поля

...в магнитооптическом активном элементе 1 существуют две намагниченныев противоположных направлениях областис четкой границей между ними.При помещении датчика в измеряемое .магнитное поле граница между этимиобластями фуширяется", причем ширинаграницы однозначно связана с напряженностью магнитного поля Н, Отсчет напряженности магнитного поля производитсяс помощью предварительно отградуированной прозрачной шкалы 5, Роль указателейпрозрачной шкалы 5 выполняют два края"уширенной" границы, которая видна (напросвет) благодаря использованию оптического поляризатора 3 и оптическогоанализатора 4 при освещении искуственным или дневным светом,В обоих слоях магнитооптического активного элемента 1 непосредственно впроцессе выращивания или с...

Номер патента: 930175

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Адомайтис, Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...На боковыхгранях второй пластины 3 размещеныомические контакты 6 и 7, расположенные симметрично омическим контактам4 и 5 относительно плоскости раздела.8 выполненной в виде р-и перехода.Пластины 2 и 3 соединены последовательно,Для обеспечения рабочего режима кпластинам 2 и 3 подключен источник 9тока и индикатор 10,Датчик магнитного поля работаетследующим образом.При пропускании тока от источника 9 через омические контакты 4-7 взапорном направлении, на плоскости8 и на пластинах 2 и 3, параллельныхр-и переходу создается падение напряжения. Таким образом, в полупроводниковом элементе в направлении,параллельном плоскости 8 запертогор"п перехода, носители заряда приобретают значительную скорость.При помещении датчика магнитногополя 1 в...