Кривонощенко

Номер патента: 1025039

Опубликовано: 20.12.2013

Авторы: Головкина, Кривонощенко, Сманцер, Чачин

МПК: B21D 26/06

Метки: заготовок, листовых, сплавов, титановых, формовки

Способ формовки листовых заготовок из титановых сплавов, при котором заготовку нагревают и прикладывают импульсную нагрузку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества штампуемых деталей из псевдо- -титановых сплавов, нагрев температуры осуществляют на 60-100° ниже температуры + -перехода штампуемого металла.

Номер патента: 908113

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Кривонощенко, Селифанов, Точицкий

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, покрытий

Способ получения покрытия в вакууме, заключающийся в возбуждении дугового разряда в парах материала расходуемого электрода и конденсации пароплазменного потока этого материала на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет снижения капельной фазы пароплазменного потока, на расходуемый электрод воздействуют ультразвуковыми колебаниями.

Номер патента: 1088639

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Кривонощенко, Точицкий, Тхарев

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменный, ускоритель, эрозионный

Эрозионный плазменный ускоритель, содержащий соосно расположенные катод, анод, дополнительный полый кольцевой электрод с отверстиями для подачи плазмообразующего газа, основной источник питания, соединенный с катодом и анодом, и генератор импульсов, соединенный с катодом и дополнительным полым электродом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности возбуждения разряда, дополнительный полый кольцевой электрод выполнен с вогнутой сферической поверхностью, обращенной к катоду с центром, совмещенным с центром торца катода, отверстия для подачи плазмообразующего газа расположены на вогнутой сферической поверхности, их оси проходят через центр сферической поверхности, размеры рядом расположенных отверстий различны, а симметричных...

Номер патента: 805658

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Кривонощенко, Селифанов

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее анод, катод и поджигающий электрод, выполненный с возможностью взаимодействия его рабочей поверхности с катодом, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы, рабочая часть поджигающего электрода выполнена из диэлектрика, покрытого проводящей пленкой.

Номер патента: 826761

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Дударчик, Кривонощенко, Селифанов, Точицкий

МПК: C23C 14/44

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее осесимметричную формирующую систему, состоящую из полого электрода и средства для возбуждения магнитного поля, встречно расположенные плазменные ускорители, систему питания и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий, плазменные ускорители смещены относительно оси формирующей системы и установлены под углом к ней.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что величина угла составляет 30-150o.

Номер патента: 1376855

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Горбачев, Гулюк, Кривонощенко

МПК: H01L 35/32

Метки: бесконтактный, термоэлектрический

...рабочем частотном диапазоне.П р и м е р. На одну иэ поверхностей диэлектрической подложки 1 изоксида алюминия или слюды размерами8 х 4,5 х 0,03 мм осаждают пленки ретивления вчастоты совам. показывает, что ши когда частопи переменногомодуль комн- ия з выражения стоянном токе оходящего по аь при яо сопротивлК 2 У а а ка малксног еактивнойт иэ выративнкак а угол междусоставляющимжения (6) ле С учетом выражений (1) и (7) ток вцепи т.е. общее сопротивление цепи становится полностью активным, Для обеспечения возможности осуществлениянеобходимой коррекции общего сопротивления цепи в диапазоне частот О-Я Из выражения (12) следует, что.эффективность частотной кообщего сопротивления цепиженной схеме обеспечиваетсзоне от 0 до некоторой резчастоты...

Номер патента: 767582

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Журавский, Здор, Кривонощенко, Чачин, Шадуя

МПК: G01L 7/04

Метки: быстроизменяющегося, давления, регистрации

...в жидкости возникают значительные импульсные элек" 20 тромагнитные помехи, искажающие результаты измерений и не позволяющие располагать вблизи канала выделения энергии регистрирующую и измеритель нув аппаратуру. Например, применение 25 пъезокварцевых датчиков давления в этом случае затруднительно, так как необходиьы высокочувствительные усилители, требующие тщательной защиты от помех, существенно влияющих 30 2на результаты измерений, Пьезокерамические датчики требуют меньших усилений, однако при измерении импульсных давлений необходима надежная термоизоляция пластин датчиков (или охлаждение их) для исключения влияния колебаний температуры. Емкостные датчики давления обеспечивают большую точность измерений, менее чувствительны к...