Ефименков

Номер патента: 1813599

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Ефименков, Лупанов

МПК: B23C 3/00

Метки: непрерывного, фрезерования

...специальных технологических базовых поверхностей, например типа крючок - вешал ка.Цель изобретения - повышение точности обработки иэделий.На фиг. 1 изображено устройство для обработки иэделий; на фиг. 2 - разрез А-А 10 на фиг, 1.На поворотном столе 1 размещены опоры 2 с пазом 3, Зажим осуществляют установкой изделия в опору 2, Нижний крючок изделия размещают между пальцем 4 и на жимным элементом 5. Палец 4 и элемент 5 располагают так, чтовектор нажимной силы Р от элемента проходит выше точки контакта изделия 6 с пальцем 4 на величину и. В результате иэделие не только скользит по 20 , пальцу вниз, но и под действием момента М разворачивается вокруг точки О соприкосновения изделия и пальца, плотно при. жимая полку крючка к поверхности...

Номер патента: 1741220

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов

МПК: H02H 7/12

Метки: двухтактный, мощности, усилитель

...выходному выводу 6 нагрузки(резистора) 7. В усилитель введены два транзистора 8 и 9, тип проводимости которых противоположен типу проводимости защищаемых мощных транзисторов 1 и 2, Базы транзисторов 1 и 2 соответственно соединены с эмиттерами транзисторов 8 и 9, а коллекторы указанных транзисторов 8 и 9 соединены с базами защитных транзисторов 10 и 11, тип проводимости которых совпадает с типом проводимости защищаемых выходных мощных транзисторов 1 и 2, Эмиттеры транзисторов 10 и 11 соединены между собой и с первым выходным выводом 6 нагрузки 7, а также с общей точкой соединения резисторов 4 и 5. Базы транзисторов 10 и 11 соответственно через первый и второй введенные резисторы 12 и 13 соединены с эмиттерами мощных выходных транзисторов...

Номер патента: 1683909

Опубликовано: 15.10.1991

Автор: Ефименков

МПК: B23D 63/04

Метки: зубьев, ленточных, пил, развода

...фиг.2 -то же, вид сбо- у; на фиг.3 - разрез А-А на фиг,1; а фиг.4 - разрез Б-Б на фиг.1.На столе 1 крепится плита 2, на,фотфрой установлены узлы устройства.Узел развода пилы 3 выполнен в вие двуплечего рычага 4 с рабочей Мастью 5, выполненной в виде Ч-обазного паза, и осью поворота 6 усидие на который подается .от электродвигателя 7 через ременную передачу 8, червячный редуктор 9 и кривошипнокулисный механизм 10, кулиса 11 котомрого снабжена стяжной муфтой 12, резь- бовой;насадкой 13, а конец - шпилькой 25 14 (фиг.12 и 3).Иеханизм подачи пилы 3 по шагу сос,тоит из выступа 15 и ролика 16, коромысла 17 с эаплечиками 18 (фиг.4) и осью поворота 19 (фиг.2), лопатки 20, 30 ,о 1 раничителя 1 хода 21 (фиг.1) и пружины 22 (фиг.4).Зажимное...

Номер патента: 1658342

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов

МПК: H02M 7/537

Метки: линия, питания

...из конденсаторов 8,2,9.2 и резистора 10.2, связысает линии 3 и 7, на выходе потребителя 4 включена нагрузкаЛиния питания работает следующимобразом,Ток от источника 1 питания по линиям 5-7подается на потребитель 4. Конденсаторы 3.1и 3.2 источника 1 питания осуществляют подавление пульсаций выпрямленного напряжения и поглощение колебаний низких извуковых частот до 20 кГц. Дальнейшее подавление частот от 20 кГц до 2 мГц осуществляется конденсаторами 9.1 и 9.2 при помощирезисторов 10.1 и 10.2. Поглощение колебаний и обеспечение низкого импеданса в диапазоне от 2 до 10 мГц осуществляется припомощи конденсаторов 8.1 и 8,2. Поглощениеколебаний и обеспечение низкого импедансав диапазоне от 10 до 1000 мГц осуществляется при помощи полосковой...

Номер патента: 1414235

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов

МПК: H01L 23/36

Метки: блок, полупроводниковый

...3. Если толщина теплопроводннка 4 будет менее двух длин кристалла 2, а площадь не будет превышать н сто раз площадь кристалла 2 полупроводникового прибора 1, то при импульсном характере сигналатепло не будет успевать развертываться и транспортироваться на радиатор 3, что приведет к перегреву и выходу из строя кристалла 2 полупроводникового прибора 1.П р и м е р 1. В усилителе КЗВПЗО устанавливают полупроводниковый блок с транзистором КТ 808, Кристалл имеет размеры 5 х 5 х 0,7 мм и установлен в корпусе типа ТО. Толщина металлического корпуса транзистора в районе кристалла 1,2 мм. При импульсном режиме этого недостаточно для расширения теплового потока, поэтому изоляция между корпусом транзистора и радиатором встречает плотный...

Номер патента: 1574667

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Баронин, Головня, Ефименков, Ефременко, Майстренко, Максименко, Пелих, Щербаков

МПК: C22C 35/00

Метки: брикеты, модифицирующие, синтетического, чугуна

...их в составе брикетов менее10 Е брикеты рассыпаются сразу послеформования. При содержании их в составе брикетов более 12 Е в процессесушки брикеты вспучиваются и теряютформу.Твердый осадок технических лигносульфонатов (ТОЛСТ) растворяется в30 воде. Навеску его массой 400 г зали"вают 1000 г воды, после чего тщательно перемешивают его до полного растворения,ТОЛСТ представляют собой в про 35 мышленности остатки, образующиесяпри сохранении жидких лигносульфонатов в емкостях, например, натриевых(КБЖ, ОСТ 8 1-79-74) .ТОЛСТ имеет следующий химический40 состав, мас.7.:Углерод 59,3-66,7Летучая газовая частьводород 4,3-5,1545 Азот 0,3-0, 6Кислород 14, 6-16,3Сера общая 1, 3-1,95Зола ОстальноеВ машиностроительных и на металлургических...

Номер патента: 1321499

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Ветхов, Ефименков, Ксенофонтов, Попов, Татарников, Цыплаков

МПК: B21C 35/02

Метки: выдавливания, пресса, приемное

...35, соединенные между собой единым цепным контуром 36. Накрайнем приводном валу установленазвездочка 37, кинематически связанная с приводом 38, В нижней частидвуплечих, рычагов установлены ограничители 39 их поворота с воэможностью контакта в крайних положенияхс рамой 20 и с упором 40. За рамой20 с двуплечими рычагами 24 установлен приемный стол, выполненный в виде основания 41 с роликами 42, связанных кинематически цепными контурами 43, соединенными с приводом 44.Приемное устройство работает следующим образом,Выдавливаемое изделие 2 иэ пресса 1 поступает на холостые ролики 6приемного лотка 3, проворачивая их.Затем оно перемещается на приводныеролики 29, установленные под действием противовесов 26 в верхней позиции и вращающиеся от...

Номер патента: 1270829

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Ефименков, Захарова, Разоренов

МПК: H02H 9/02

Метки: включении, источника, конденсатором, ограничения, пиков, питания, сглаживающим, трансформаторно-выпрямительного

...первичной обмотки трансформатора 4. Устройство работает следующим образом.При подключении источника 1 к сети ток в первичную обмотку трансформатора 4 поступает через токоограничивающий резистор 3, так как контакт 5 разомкнут. Резистор 3 уменьшает величину мощности, поступающей от сети, и скорость нарастания тока, Конденсатор 2 медленно заряжается через сопротивление вторичной обмотки трансформатора 4 от источника ограниченной мощности, При достижении заданного уровня напряжения на конденсаторе 2 (на 10 Е ниже номинального) срабатывает пороговый элемент 7, обеспечивая срабатывание реле 6.Контакт 5 замыкается, шунтируя токо- ограничивающий резистор 3. Источник начинает потреблять из сети заданную мощность, отдавая ее в...

Номер патента: 1046018

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Ефименков, Кишко, Красниченко, Люлько

МПК: B22F 1/00

Метки: дисперсных, термообработки

...ипроизводительности процесса.Поставленная цель достигаетсятем, что в установке для термообработки дисперсных материалов, содердащей трубчатый реактор, питатель исборник порошка, нагреватель, трубудля подачи газа с соплами, располо"женную внутри реактора вдоль него,и виброплощадку, нагреватель установлен с воэможностью перемещениявнутри реактора с эксцентриситетом,мм е 1-К50 где К - степень заполнения реактора,доли единицы;Д - размер сечения реакторапо высоте, мм.Нагреватель может быть выполнен в 55 виде трубы с ребрами, а труба для подачи газа расположена внутри негоРасположение нагревателя внутри реактора с эксцентриситетом, определяемым степенью заполнения реакто ра, обеспечивает быстрый равномерный прогрев обрабатываемого материала,...

Номер патента: 1037994

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Ефименков, Недугов, Охрименко, Панин, Чормонов, Щерба

МПК: B21C 25/02

Метки: матрица, прессования

...полости 4 меньше диаметра ступени, прилегающей к корпусу 1. Каждая из полостей 4 при помощи канала 5,который снабжен обратным клапаном 6,соединена с источником смазки (на чертеже не показан), а при помощи щелевойканавки 7, выполненной в корпусе 1 - срабочей поверхностью матрицы. Клапаны6 должны быть рассчитаны на давлениеисточника смазки,В каждой из полостей 4 установлен поршень 8, обладающий свободой осевого движения и взаимодействующий с вставкой 2.Торцовая поверхность каждого из поршней8, обращенная к корпусу 1, снабжена кольцевым буртиком 9, диаметр которого соответствует диаметру ступени полости 4, прилегающей к корпусу 1.В исходном положении вставка 2 устанавливается своей рабочей поверхностьюна одном уровне с рабочей...

Номер патента: 1037993

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Данилин, Ефименков, Недугов, Охрименко, Панин, Чормонов, Щерба

МПК: B21C 25/02

Метки: матрица, прессования

...рабочей поверхностью корпуса 1 и с зазором относительно прокладки 6, Величина этого зазора равна или превышает величину рабочего хода поршня 4 в сборнике 3 смазки. При этом площадь проекции рабочей поверхности вставки на плоскость, перпендикулярную к оси прессования, должна превышать площадь опорной поверхности поршня, контактирующей со смазкой, на величину, необходимую для превышения удельного давления смазки над удельным усилением прессования.Площадь .опорной поверхности поршня 4, контактирующей со смазкой, рассчитывается исходя из обеспечения требуемого превышения давления вытесняемой смазки над удельным усилием прессования, зависящим от температурно-скоростных условий процесса экструдирования (а именно, от предела прочности...