Интегральная микросхема

(51)5 Н 01 1 23/2 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ(46) 07.08.90. Бюл.2972) В. Г. Ша ма рдин53) 621.382.647 (088.8)56) Патент ЕПВ01085л, Н 01 1. 23/00, 1984. ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА зобретение может быть использовано в электронной аппаратуре. Цель изобре - повышение технологичности консти эффективности теплоотвода интеой микросхемы - достигается тем, исталлодержатель 2 имеет контактные ЯО 1583995 А 1 площадки 4 на двух его противоположных сторонах, электрически соединенные между собой. Полупроводниковый кристалл 1 и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя. Контактные площадки 4 кристалла и контактные площадки 5 кристаллодержателя электрически соединены между собой противоположными перемычками. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями. В качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.Формула изобретения 40 45 50 55 Изобретение относится к радиоэлекронике и может быть использовано при создании интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе при повышенных требованиях к плотности упаковки ИС на печатной плате.Целью изобретения является повышение технологичности конструкции и эффективности теплоотвода.На фиг.показана интегральная микросхема, общий вид;, в разрезе; на фиг, 2 - интегральная микросхема до опрессовки пластмассой.Интегральная микросхема содержит полупроводниковый кристалл 1, установленный на кристаллодержатель 2, выводы 3, перекрывающие в проекции кристаллодержатель 2, контактные площадки кристалла 4 и кристаллодержателя 5, пластмассовый корпус 6, контактные площадки кристалла 4 и кристаллодержателя 5 соединены между собой проволочными перемычками. Контактные площадки верхней поверхности кристаллодержателя 5 соединены через межслойные металлизированные переходы с контактными площадками нижней поверхности кристаллодержателя, к которым присоединяются выводы 3. После опрессовки с помощью штампа удаляются технологические перемычки и внешний контур выводной рамки.Кристаллодержатель 5 выполняют в виде тонкой многослойной керамической пластины, на верхней поверхности которой создают металлизированные площадки для установки кристалла и приварки проволочных перемычек, соединяющих контактные площадки кристалла 4 с внешними выводами 3, а на нижней поверхности - металлизированные контактные площадки для присоединения выводов металлической рамки.Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов,Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с метал- лизированной разводкой на его поверхности.Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы, которые имеют хороший тепловой контакт с кристаллодержателем. 5 10 15 20 25 30 35 1. Интегральная микросхема, содержащая корпус из пластмассы, размещенный в корпусе кристаллодержатель из тепло- проводного материала, на одной из сторон которого закреплен полупроводниковый кристалл с контактными площадками и выводы, запрессованные в стенки корпуса с частичным расположечием их внутри и снаружи корпуса соответственно и частичным перекрытием их внутренними частями кристаллодержателя в плоскости, параллельной плоскости размещения кристаллодержателя, электрически соединенные с контактными площадками полупроводникового кристалла и соединеные с кристаллодержателем с обеспечением теплового контакта с ним, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции и эффективности теплоотвода, кристаллодержатель выполнен с контактными площадками на двух его противоположных сторонах, электрически соединенных между собой, полупроводниковый кристалл и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя, причем электрическое соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с выводами выполнено в виде проволочных перемычек, электрически соединяющих соответствующие контактные площадки полупроводникового кристалла с соответствующими контактными площадками прилегающей к нему стороны кристаллодержателя, и в виде электрического соединения внутренних частей выводов с соответствующими контактными площадками другой прилегающей к ним стороны кристаллодержателя. 2. Микросхема по п. 1, отличающаяся тем, что электрическое соединение контактных площадок противоположных сторон кристаллодержателя и его контактные площадки выполнены в виде металлизированных проводников и площадок соответствен но. 3. Микросхема по пп.и 2, отличающаяся тем, что кристаллодержатель выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями.4, Микросхема по п. 3, отличающаяся тем, что в качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика. 5. Микросхема по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что кристаллодержатель выполнен из оксидированного алюминия с металлизированной разводкой на его поверхности.1583995 г,2 Составитель К. Каандор Техред А. КравчукТираж 451арственного комитета по изобретенн113035, Москва, Ж - 35, Раушсизводственно.издательский комбинат Патент Редактор А. Ш Заказ 2258 НИИГ 1 И Госуд Корректор М. КучеряваяПодписноем и открытиям при ГКНТ СССя на 6., д. 415г. Ужгород, ул. Гагарина, 101