Способ получения пленок оксида кремния

Номер патента: 283057

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна

МПК: B65B 27/08

Метки: газет, пачек, пластмассовую, пленку, упаковки

...с роликами 12, имеющей в основании два перфорированных листа 18 (см. фиг, 3 и 4), один из которых установлен с возможностью горизонтального переме щения. Плита 11 снабжена матрицами длямаркировки пачек (на чертежах не показаны), К транспортеру 4 примыкает транспортер 14, проходящий через нагревательную камеру 15, камеру охлаждения 16, устройство 17, сни мающее нагрузкучплиту 10 с пачки и конвейерную ленту 18, направляющую нагрузочку-плиту в пункт наложения на новые пачки. Один конец устройства 17 и устройства 9 посредством привода от поршневых цилиндров 19 и 20 20 перемещается в вертикальном и горизонтальном направлениях.При работе устройства пачки загружаютв приспособление, где они завертываются в пластмассовую пленку -...

Номер патента: 128870

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Каган, Китайгородский, Коган, Остратенко, Попова

МПК: G03F 7/00, H04R 15/00

Метки: адсорбционных, лаковых, металлических, пластин, пленок, поверхности, снятия, формных

...8 гlл; или б) сернистый натрий - 3 г)л, гилразингидрат - 0,5 г/.г, оксиэтилнрованный алкнлфснол (ОП) - 10 г/.ц2. Снятие пленки задубленного полпвш 1 илового спирта;а) серная кислота ф=1,84) - 100 с.нз/л; или б) марганцево 1 калий - 300 г/л (с последующим протиранием поверкности 10%-н ной кислотой).Ло 1288703. Удаление бакелитового лака, гцелака, задублснного хромоал,- бухгица:ФЧедкий натр - 8 г/г.Температура жидкости в процессе обработки поддерживается в среднем на, уровне 45 - 60, Длительность процесса составляет пргг сггггтнп птгеггог, ксантогспата и поливпнплового спирта 5 - 10 агги и прп дд. лснпп багселичового лака и щелака - 1 - 3 агин.В качестве источника ультразвуковых колебаний могут быть пр"- менены электроакустические...

Номер патента: 1758678

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бойко, Дудкин, Магунов, Сухарев, Цацко

МПК: H01B 19/00

Метки: подложке, покрытия

...мкм не приводит к дальнейшему увеличению качества обрабатываемого покрытия.Способ осуществляют следующим образом.П р и м е р 1, В вакуумной камере методом электронно-лучевого испарения одновременно на кремниевую пластину и напластину плавленого кварца из таблетки 30твердого раствора диоксида гафния с20 мол.полуторного оксида неодима проводилось осаждение диэлектрическогослоя.Таблетку твердого раствора состава 3520 мол,% й(120 з - 80 мол.% Н 102 получаютследующим образом,Смешивают 75,9 мл хлорокиси неодимас концентрацией по г 1 б 20 з 386,7 г/л и 457,84мл хлорокиси гафния с концентрацией 160,3 40г/л по Н 102, Раствор разбавляют дистиллированной водой до 3-3,5 л и при постоянномперемешивании проводят осаждение 25 ным аммиаком до рН...

Номер патента: 995702

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Герд, Герхард, Хартмут

МПК: B29D 7/02

Метки: выдувания, методом, пленки, толщины, установке, экструдером

...Х на кольце сопел.При переносе данных на линию окружности, охватывающую 360 , эначе"фния, поступающие для проведения вычислений, анализируются в безразмерном виде следующим образом,При объемном анализе можно обнаружить, что линии 26,26 диаграммы, которые разграничивают кор- .ректирующие секторы Х или проходятпо их середине, в области распределения толщины для толстых участков про"ходят как конвергированные линии 27,а в месте расположения на диаграмметонких участков " как дивергированныелинии 28 (фиг. 3) при приведении .единому диаметру пленки, .В области,нулевых отклонений толщин пленки этилинии представлены в виде параллельных линий 29, которые из-за соседних .толстых и тонких участков проходят снаклоном.Пленочные секторы с...

Номер патента: 1823715

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Джалилов, Паутов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...сушки фоторезиста ФПпроводят экспонирование пластины по шаблону с рисунком затворного слоя (при этом описывают затворный рисунок на шаблоне в В предлагаемом способе перетрав Я 102 отсутствует и вскрывшиеся участки полупроводника в канале и Ац-Ое омические контакты на тестовых структурах травятся незначительно (скорость плазмохимического травления полупроводника составляето-40 А /мин). Растрав Я 02 под фоторезистивную маску составляет 0,06 мкм, Стенки травления близки к вертикальным и рисунок в фоторезисте переносится в ЯОЙ без изменения размеров. Фотореэист удаляют последовательно в диметилформами 40 45 50 затворный рисунок на пластине, расширенный посредством растрава ЯЮг по ф/р маску), После экспонирования устанавливают шаблон с...