Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода

Номер патента: 172376

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Зильбер, Новиков

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, емкости, р—г-перехода, туннельного

...с указанным контуром эталонный колебательный контур. Плавно изменяя величину наггрякег 1 ия постоянного тока, смещаОт рабочую точку диода в направлении экстремальной области, непрерывно контролируя величину падения напряжешгя ца колебательцом контуре с диодом ц на эталонном контуре. Эквивалентное сопротивление эталонногоконтура выб 11 растся олпзкцм и соцротцвленшо диода, рабочая точка которого лежит в5 области первого максимума тока на вольтамцерной характеристике диода. В момент,1,ОГд 2 цап 1 эяжсццс ца диоде р 2 В 10 пап 1 эяжецшо ца эталс 1:1 ом колебательном контуре,т. е. КОГда соп 1 эотцвление дпод 2 1 эавцо экВПВалецтномУ соц 1 эотцвл".ПИ 10 этОГО 1 ОцтУ 1 эа, и,слсДОВатслцО, 1 эаООч 251 то 1 ка ДПОД 2 н 2 ходптся в...

Номер патента: 236628

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Гуревич

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, емкости, туннельного

...ключевой усилитель 3 постоянного тока, схему 4 сброса ТЛ в исходное состояние, интегрирующий каскад 5 (ди. одно-емкостная ячейка), генератор коммутирующего тока с отсчетным прибором б и сопротивление 7 обратной связи. Измеряемый диод используется в схемевольтметра в качестве дискриминатора. В исходном состоянии рабочая точка на характеристике ТД (см. фиг. 2) устанавливается 5 вблизи точки с,=1 что фиксируется по наличию тока в цепи обратной связи, При подаче импульсов напряжения от генератора 2 ТД из устоичивого состояния, соответствующего ветви ОЛ, переходит в новое устойчивое со стояние, соответствующее ветви И,. Ключевой усилитель срабатывает, и происходит заряд емкости диодно-емкостной ячейки, В результате вырабатывается ток...

Номер патента: 324943

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Глущенко, Ткин

МПК: H01L 21/40

Метки: диодов, туннельных

...других полупроводниковых материалов для изготовления туннельных диодов.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.Кристалл СтаАь тг-типа обрабатывают одним из общеизвестных методов с целью его ориентации по кристаллографической плоскости (111) и выявления ее полярности.В пластину баЛь и-типа в атмосфере водорода со стороны (111) А вплавляют навеску олова диаметром до 100 лгкм, а на всю поверхность (111) В наплавляют пластину олова. Температура плавления 600.+5 С, время выдержки 10 - 30 мин, скорость охлаждения 250 - 300 С в первые 60 сек и -50 С в дальнейшем.Полученные образцы совместно с избыточным количеством летучей акцепторной примеси (Хп) помещают в замкнутый объем, заполненный водородом.При температуре 480 - 500...

Номер патента: 777806

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Будай, Лисовский

МПК: H03K 3/315

Метки: генератор, диодах, туннельных, частотномодулированный

...туннельным диодам, затворы полевых транзисторов подключены к одной клемме источника модулирующего напря.жения, другая клемма которого соединенас общей шиной.На фиг. 1 приведена принципиальнаяэлектрическая схема устрдйСтва", И фиг.2, 3 - вольтамперные характеристики соответствующих пар туннельный диод - полевой транзистор.Частотномодулированный генератор натуннельных диодах содержит два туннельных диода 1, 2, катушку индуктивности со 10средним отводом 3, два полевых транзистора 4, 5, источник модулирующего сигнала6, источник постоянного напряжения 7.Устройство работает следующим образом. При изменении напряжения источника 15модулирующе 1 о сйгйаЛа йзмейяется сопротивлеййе каналов полевых транзисторов,которые подключаются параллельно...

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.