Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов с крутой вольтамперной характеристикой
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОБРЕТЕНИЯИДЕТЕЛЬСТВУ ПИСАН КОМУ Подписная грцппа М 97 Геллер, А. Г. Березина, А, М. Богарова,. Кочин, У. И. Омеров, И. А, Салынский и П, Ильницкая Я. Евдокимов СЕЛЕНОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХУТОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙТЕРИСТИКОЙ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ЭЛЕМЕНТОВ С ХАРЗаявлено 3 августа 196 г. за М 740986/26в Комитет по яелаги изобретений и открытий при Совете Минис публиковано в Бюллетене изобретений ЪЪ 12 а 1962 Известны способы изготовления селеновых выпрямиентов с крутой вольтамнерной характеристикой, по которосится несколькими слоями.В предлагаемом способе, с целью уменьшения сопроти элен нательн ым се влени нии н он, нр ой и 100 -я слоя а поди теморядка 120 и й техижнего и темя при 1 О на, со 1 равлеифика яуно й плот класс жени войно селена и повышения плотности тока, в проводящем направлеложку наносят первый слой селена толщиной в 10 - 15 микрнературе подложки 60 - 80. Второй слой селена - толщин5 микрон с присадкой галлия при температуре подложкитретий основной слой селена при температуре подложки 100 - 12Способ, согласно изобретению, осуществляется по следующнологии:подготовка элементов, отбивка песком, висмутированиеэлектрода;нанесение первого слоя селена толщиной 10 - 15 микрон инературе подложки 60 - 80,нанесение слоя селена толщиной 5 микрон с присадкой галтемпературе подложки 100 - 120;нанесение основного слоя селена при температуре подложк120";нанесение катодного сплава, содержащего галлийМногослойные селеновые элементы со средним слоем селдержащим галлий, имеют малое сопротивление в пропускном нании и большую крутизну вольтамперной характеристики.Благодаря этому при утроенном значении плотностиционного тока 75 ма/сиР, величина прямого падения напрявых элементоВ нИже, чегм у элементов, используемых при дности тока 50 ла/с,и.Предмет изобретенияСпособ изготовления селеновых выпрямительных элементов с крутой вольтамперной характеристикой, по которому селен наносится несколькими слоями, от л и ч а ющи й ся тем, что, с целью уменьшения сопротивления слоя селена и повышения плотности тока, в проводящем направлении на подложку наносят первый слой селена толщиной в 10 - 15 микрон, при температуре подложки 60 - 80, второй слой селена толщиной порядка 5 микрон с присадкой галлия при температуре подложки 100 - 120 и третий основной слой селена при температуре подложки 100 - 120Составитель Е. С. БредельРедактор Е. Г, Манежева Текред Т. П, КурилкоКорректор Ю М. ФедуловаПодп. к печ. 25,17.62 г. Формат бум. 70 Х 1081/в Объем 0,18 изд.л,Зак. 4095 Тираж 1000 Цена 4 коп.ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский пер д. 2/б.Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.
СмотретьЗаявка
740986, 03.08.1961
Березина А. Г, Бочарова А. М, Геллер И. Х, Евдокимов И. Я, Кочин С. И, Омеров У. И, Салынский И. А, Ильницкая Л. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/10
Метки: вольтамперной, выпрямительных, крутой, селеновых, характеристикой, элементов
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-148144-sposob-izgotovleniya-selenovykh-vypryamitelnykh-ehlementov-s-krutojj-voltampernojj-kharakteristikojj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов с крутой вольтамперной характеристикой</a>
Способ измерения перепада температур на слое полупрозрачного материала и устройство для его осуществления
Номер патента: 748148
Опубликовано: 15.07.1980
Авторы: Битюков, Петров, Резник, Степанов
МПК: G01J 5/08
Метки: перепада, полупрозрачного, слое, температур
...области спектра, например,ФЭУ. Перед приемником излученияустановлен красный интерференционный светофильтр 9, выреэающий излучение в области длины волн от0,65 до О,бб мкм. Попеременное направление излучения модели черноготела 3 (при градуировке) или образца (при измерениях), устанавливаемого на место модели черного тела,и модуляция излучения на частоте37. Гц с последующим синхронным детектированием осуществляют оптической системой 10 и зеркальным модулятором 11, снабженным приводом 12,причем модулятор 11 расположен в плоскости, проходящей через биссектрисуугла между осями приемников излучения1 и 8. Регистрацию сигналов с приемников излучения 1 и 8 осуществляют с использованием автоматическойрегистрирующей аппаратуры 13. Измерение...
Устройство для измерения температуры поверхностного слоя воды
Номер патента: 1027532
Опубликовано: 07.07.1983
Авторы: Аллахвердов, Животовский, Исмаилов
МПК: G01K 1/14
Метки: воды, поверхностного, слоя, температуры
...- повышение точности измерения температуры поверхностного слоя воды,Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения температуры поверхностного слоя воды,содержащее буй с измерительным блокомаутригерный элемент, соединяющий буйс поплавком, термолреобраэователи,введены ключевая схема, волнографс пороговой схемой, подключенной куправляющему входу ключевой схемы, атермопреобраэователи, выполненныепленочными, закреплены на не смачиваемой водой полимерной пленке,прикрепленной к поплавку на уровне поверхности воды, при этом выходы термопреобразователей через ключевуюсхему подключены к измерительномублоку,На фиг. 1 представлена структурная схема предлагаемого устройства;на фиг. 2 - устройство, общий вид; 5 на фиг. 3 -...
Устройство для контроля температуры внутренних слоев детали
Номер патента: 1362961
Опубликовано: 30.12.1987
МПК: G01K 7/36
Метки: внутренних, детали, слоев, температуры
...16 увеличивается, усиливается масштабным усилителем 18 и подается на вход управляемого генератора 2, Это приводит к росту часто. ты выходных колебаний управляемого генератора 2. Увеличение частоты колебаний будет происходить до тех пор. пока разность фаз между входными сигналами фазового детектора 8 не будет равна величине, зафиксированной в режиме настройки первого канала. При этом глубина проникновения электромагнитного поля в деталь будет равна начальной, а управляемый генератор будет генерировать сигнал с частотой у 1 . Отношение частот ы 1/ ы 1 В пропорционально температуре, усредненной по глубине проникновения электромагнитного поля в деталь, причем глубина определяется значением частоты ы На выходе интегратора 16 будет напряжение=...
Способ измерения температуры поверхностного слоя электропроводных тел
Номер патента: 491840
Опубликовано: 15.11.1975
МПК: G01K 7/30
Метки: поверхностного, слоя, тел, температуры, электропроводных
...исследуемого участка тела измеряют н а указ анной ч астоте. 25Таким образом, в основу предлагаемого способа измерения температуры поверхностного слоя электропроводных тел положены явление теплового шума и эффект поверхностного протекания тока в проводниках, 30 При измерении температуры по данному способу необходимо выполнить следующие операции.1, Исходя из свойств материала исследуемого образца, по вышеуказанной формуле рассчитать значение частоты, при котором за счет эффекта поверхностного протекания тока он будет протекать в слое требуемой толщины.2. На этой частоте измерить активное сопротивление исследуемого тела (или его участка) .3. В узкой полосе частот, расположенной симметрично выбранной частоте, усилить и измерить...
Способ измерения температуры рабочего слоя диода ганна
Номер патента: 974305
Опубликовано: 15.11.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры
...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...
Предыдущий патент: Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода
Следующий патент: Способ вплавления олова в кремний
Случайный патент: Центрифуга непрерывного действия