Устройство для преобразования оптических изображений в серию видеосигналов

Юо 146757 Класс 21 а, 29 зеСССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л 97И. И. )Килевич УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ В СЕРИЮ ВИДЕОСИГНАЛОВ3 а 5 вас но 3 а н рл и 1 59 г, 3 а Хе 62.1 99/26 в Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССРОпубликовано в Боллетене изобретении М 9 за 1962 г.Известны устройства для преобразования оптических изображений в серию видеосигналов, содержащие подкл;очеш;ьш к источнику постоянного тока конденсатор с полупрозпачнымц об ладкамц, мекду которыми заключены два слоя полупроводника, На один слой полупроводника проектируется изобракение, а на другой воздействует развертывающий световой луч, обеспечивающий комутацию скрытого изображения, образовавшегося ца границе двух слоев полупроводника. Чвствительность системы 1 Звест 1 ых строцств невысока 113-за влияния спроектированного изображения на втопой слой полупроводника и коммутирующего светового луча на пепвый слой.В предлагаемом устройстве полупроводниковые слои выполнякг из материалов, имеющих различные максимумы спектральной чувствительности, а коммутирующий световой луч имеет спектральный состав, не воздействующий на полупроводниковый слой, на который проектируется изображение. Это отличие позволило устранить влияние спроектированного изображения с первого слоя пслупроводника на второй и коммутирующего светового луча со второго слот на первый, а следовательно, повысить чувствительность системы,На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство содержит подключенный к источнику У постоянного тока конденсатор с полупрозрачными обкладками 2 и 3, между которыми заключены два полупроводниковых слоя 4 и 5. На обкладках 2 и 3 конденсатора со стороны полупроводниковых слоев 4 ц 5 нанесены прозрачцые токопроводящие покрытия б и 7, к которым от цсточццка 1 постоянного тока через сопротивление 8 подается разность потенциалов, вследствие чего полупроводниковые слои оказываются под действием электрического поля, Материалы полупроводников подбцрают4 б 757ся такими, чтобы их максимумы спектральной чувствительности находились в различных областях спектра,Если изображение 9 спроектировать объективом 10 на полупроводциковый слой 4, то на освещенных участках этого слоя проводимость увеличится пропорционально освещенности и через слой 4 к границе раздела слоев 4 и 5 начнут идти заряды с проводящей пленки б. Спектральный состав проектируемого изображения выбирается таким, чтобы он не содеркал лучей, к которым чувствителен полупроводниковый слой 5, вследствие чего на границе раздела слоев 4 и 5 будут скопляться электрические заряды, образуя потенциальный рельеф, соответствующий спроектированному изображению, Затем с экрана электронно-лучевой трубки 11 объективом 12 на полупроводниковый слой 5 проектируют развертывающий световой луч, спектральный состав которого соответствует максимуму спектральной чувствительности полупроводникового слоя 5. При этом отдельные участки слоя 5 приобретут повышенную проводимость, и скопившиеся ранее на гра. нице ме 2 кд слОЯми 4 и 5 электрические зарЯды будут проходить через слой 5 и пленку 7 на сопротивление 8, на котором будет выделяться видеосинал. Переменную составляюШу 10 вид:,Осигнала МОкно Отвести через емкость 13 к видеоусилителю,Предлагаемое устройство может найти 1 цирокое применение в кинопромышленности, например, для передачи кинофильмов.Предмет изооретенияУстройство для преобразования оптических изобра 1 кений в серию видеосигналов, содержащее подключенный к источнику постоянного тока конденсатор с полупрозрачными обкладками, между которым;1 заключены два слоя полупроводника, на один из которых проектируется изображение, а на другой воздействует развертывающий световой луч, обеспечивающий коммутацию скрытого изображения, образовавшегося на границе двух слоев, отл и ч а:ощееся тем, что, с целью устранения влияния спроектированного изображения на второй слой и коммутирующего светового луча ца первый слой и повышения вследствие этого чувствительности системы, полупроводниковые слои выполня 1 от цз материалов, имеющих различные максимумы спектральнойа коммутиру 1 ошцЙ световой луч имеет спектральный состав, не воздействуюц 1 ий на полупроводн 11 ковый слой, ца которь 1 й проектируется изображен 11 е,146757 2 б 1 5 7 3 Ч 11 9 70 Составитель В. Г, Гчфелвд едактор Н. С. Кутафина Техр явицкая Корректор Г. Е, Кудрявцев Формат бум. ТОХ Тираж 1100 обретений и открыти Центр, М. Черкасский2/6. Типография ЦБТИ. Москва, Петровка, 14 Подп, к печ. 25 Х 11-62 г.Зак. 5584ЦБТИ Комитета по деламМосква Объем 0,26 изд.л. Цена 4 коп. овете Министров СССР