Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов

Номер патента: 80735

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Шерстинская, Юркин

МПК: C01B 19/02

Метки: бракованных, гратового, находящегося, регенерации, селена, селеновых, элементах

...селена. Г 1 родол)кительность процесса растворения составляет О - 20 час. Селен переходит в раствор, который фцльтруется под вакуумом. В холодный щелочной раствор селена топкой струей при перемешивании добавляется 5 - 10%-ный раствор перекиси водорода или персульфата аммония. Селен Окцсл 51 ется ц выпадает цз раствсрс 1 в виде порошка, огделяется фильтрацией, а затем отмывается от щелочи и солей дистиллированной водой. ПромывЯ слепа производится при интенсивном перемешивании до получения отрицательной реакции на щелочь, хлор, железо и 80 Промытый селец сушится в сушильном шкафу при температуре 30 - 40, а затем подвергается и- регонке под вакуумом для окончательной очцсткц его от посторонних примесей и получения целстучего...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 113934

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Юрьев

МПК: H01L 21/06

Метки: выпрямительных, селеновых, элементов

...на элементе.Согласно предлагаемому способу, эти слои наносятся на разные электроды выпрямительного элемента, а именно: слой селена с большим содержанием галоида наносится на алюминиевый электрод, покрытый висмутом (анодный электрод элемента), а слой селена с малым содержанием галоида (или без него) - на второй алюминиевый электрод, покрытый кадмисм (катодный электрод элемента) .Затем оба электрода с нанесенными на них слоями аморфного селена и обращенными один к доугому этими слоями спрессовываются и подвергаются совместной термообработке при 160 и 210.Кроме этой обычной термообработки, элемент подвергается последующей дополнительной термообработке в течение нескольких часов в термостате при 50 - 150, имеющей11393 целью...

Номер патента: 126195

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Альтман, Васильев, Дохман, Лагуткин, Лебяжьев, Мачурин, Поволоцкий

МПК: H01L 21/782

Метки: выпрямительных, селеновых, элементов

...наносится координатная, например, лаковая сетка 1, расположенная по линиям последующего разреза листа на отдельные элементы. Толщина наносимого слоя лака должна быть такой, чтобы в процессе разреза листа он предотвращал возможность непосредственного соприкосновения верхнего электрода с основой и обеспечивал достаточную э ектрическую прочность элементов в эксплуатации. Практически достаточно выполнять такой слой толщиной около 0,1 мм. Элементы имеют отверстия 2, в местах расположения которых одновременно с нанесением координатной сетки 1 на элементы наносят слой изоляционного материала, Это необходимо для того, чтобы исключить возможность закорачивания селеновых элементов в процессе прокола отверстий, Для обеспечения точного...