Устройство для формовки точечных полупроводниковых приборов

Номер патента: 555762

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов

МПК: H01L 21/18

Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных

...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Асвадурова, Онуприенко, Стагис, Требоганов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, тепловых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Номер патента: 313244

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Выдра, Климов, Палей, Потупайленко, Шаповалов

МПК: H01L 21/477

Метки: rtigt, диодассгсоюзная, полупроводникового, с-1блиотка, точечного, формовки, ц•"•, электрической

...примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком цзвестньгх способов электрической формовки.Цель изобретения - уменьшение влияниянеконтролируемого флуктуацпоццого распре деления центров рекомбинации в объеме р-иперехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного ох лаждения.Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точечных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио дов при температуре...

Номер патента: 129260

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Грика

МПК: H01L 23/522

Метки: диодов, полупроводниковых, точечных, формовки

...из цегп коммутирующих блоков.Ь.1 ок слежениясостоит из схемы слежения за изменением обратцого напряжения и схемы еле;ке 1 гия за изменением прямого тока, В схему слежения зя обратным напряжением входят: стабилизатор б ста 11- дартного тока; катодцый повторитель 7; ячейка памяти 8, запоминаю 1 цая максимальное зцачецис обратного цапряжепия; дифференциальный , СИ.1 ИТЕЛЬ 9, СраццццяЮШий ВЕЛсиНу;ХПЛ 11 туд 1 ОбратНОГО НяПряжеция с величиной напряжения, соряцясмого запоминакццей ячейкой; селективный импульсцый усилитель 10, пропускающий импульсы определенной полярности. В схему замера напряжения входит устройство 11, срабатывя 1 ощсе от импульса больше определенной величины, которое отрабатывает импульс при значении обратного...

Номер патента: 788050

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Бобров, Соболев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентиля, внутреннего, полупроводникового, силового, сопротивления, теплового

...силовогополупроводникового вентиля с паянными контактами и одностороннимохлаждением измеряют и сравниваюттемпературы основания корпуса и гиб 25 кого силового вывода в месте его запрессовки, а предельно допустимоезначение теплового сопротивления фиксируют в момент появления превышениятемпературы гибкого силового выводаЗо над температурой корпуса,Всесоюзный ордена Трудоного Красного Знамени научноисследовательский институт железнодорожного транспортаЗаказ 8345/53 Тираж 1019 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Суцность предлагаемого способа контроля внутреннего теплового сопротивления силового...