Пусеп
Устройство для измерения параметров залежей подземных минералов
Номер патента: 1079063
Опубликовано: 07.04.1988
Авторы: Бурштейн, Пусеп, Семенов, Щиров
МПК: G01V 3/14
Метки: залежей, минералов, параметров, подземных
...в связи с чемон включается позже первого канала,т.е. когда сигнал свободной прецес сии заведомо спадает, Затем заломненные в каналах сигналы одновремен-,но считываются с магнитофонных лент,раздельно фильтруются резонанснымицепями, детектируются и поступают 40 на вычитатель, который из продетектированного напряжения первого канала вычитает напряжение, получаемое .на выходе детектора второго канала.В результате на выходе вычитателя 45 остается только полезный сиГналсвободной прецессии. При многократном повторении цикла возбужденияи приема сигнал с выхода вычитателяусредняется интегратором и регистрируется на самописце. Таким образомдостигается повышение чувствительности устройства, С этой же целью устройство предварительной...
Способ измерения распределения плотности парамагнитных центров
Номер патента: 1105794
Опубликовано: 30.07.1984
Авторы: Милов, Пусеп
МПК: G01N 24/10
Метки: парамагнитных, плотности, распределения, центров
...магнитного поля, что при переходе к ЭПР-спектроскопии значительно су 45 жает возможную область исследований. Цель изобретения - расширение области применения.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения распределения плотности парамагнитных центров, при котором воздействуют на образец радиочастотным импульсом заданной продолжительности и интенсивности, после чего воздействуют на 55 образец импульсами неоднородного магнитного поля заданной конфигурации, продолжительности и интенсивности,после окончания воздействия импульсами неоднородного магнитного поля воздействуют на образец вторым радиочастотным импульсом, получают сигнал спинового эха, по зависммости которого от интенсивности и продолжительности...
Устройство для формовки точечных полупроводниковых приборов
Номер патента: 146884
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Гутин, Пусеп
МПК: H01L 21/04
Метки: полупроводниковых, приборов, точечных, формовки
...ленте, нагреваемой импульсом переменного тока,На чертеже изображен эскиз устройства.Перпендикулярно контактной игле 1 приварена танталовая лента 2, нагреваемая импульсом переменного электрического тока. Контактная игла 1 опирается на поверхность полупроводниковой пластинки-кристалла 3. Сильно разогретая лента передает импульс тепловой энергии контактной игле. В результате этого происходит локальный разогрев кристалла у контакта создается область с дырочной проводимостью на кристаллс, и образуется р - и переход, обуславливаюгцнй выпрямительное действие диода.Отсутствие электрического поля при этом позволяет наблюдать за вольтамперной характеристикой диода в процессе формовки. Предмет изобретения Устройство для формовки точечных...