Способ вплавления олова в кремний

Номер патента: 512544

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Барабанщиков, Белицкий, Ванкевич, Вербный, Кончич

МПК: H02K 13/14

Метки: коллекторными, машин, между, пластинами, снятия, электрических

...щупы по коллектору. Щупы передвигаются двумя руками, независимо друг от друга, что приводит к снижению точности замеров.Предлагаемое устройство обеспечивает сня тие напряжения в машинах с закрытыми коллекторами.Указанная цель достигается за счет того, что щупы устанавливают в одном изоляционном корпусе, опорная поверхность которого 25 выполнена аналогично профилю коллектора, причем корпус снабжен шарнирно закрепленной ручкой, которая расположена в отверстии шарнирного устройства, установленного на корпусе машины. Для контроля перемеще Изобретение относится к эле коллекторным машинам и предназ снятия напряжения между кол пластинками. В настоящее время напряжение лекторными пластинами снимаетст щи щупов с изоляционными втул 1...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 593646

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Вольфганг, Конрад

МПК: B01J 17/32

Метки: карбида, кремния, труб

...ета Совета Мииистровй и открьггидушскаи иаб., д, 4/5 го комит изобретеи ЖЗЬ, Р Государствеипо делам 35, Москва ППППа тъ,г.У род, уя. или ет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.На чертеже изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита 1 с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве .носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала, Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска 4 и выпуска 5 газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во...

Номер патента: 352771

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бут

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, резки

...вдоль следов эцсргстичсски слабы.; кристаллографц ческих плоскостей. На фиг, 1 изображецы следы пересечения с плоскостью (111) плоскостей, слабых в эцер гетт 1 ческок Отцошеции; ца фиг, 2 показао кяк по трем естественным граням 1 роста ца цикием торце слитка цаходят цапраьлецис пло- кости (001), обозцачецьое стрелкой 2, и мсстопахождеццс базового среза 3 отцос:,тельц2 этои стрелки. Направлепие тлоскости (001) ця верхцем торце слитка будет противоположцым.Практически цахокдецие эцергегцческц слабых плоскостей и резка пластин ца кр;с НяпряВ 1 ецие 1 ка 1 заццых плоскостеи, тяк же как и (111) (111) и (111), можцо найти рентгецографическцм методом.Найденное по трсугольццку одцо цз напра- леций, например плоскости (001), прогцвополож...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...