H01L 21/10 — предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации

Номер патента: 103839

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Бритнев, Юрьев

МПК: H01L 21/10

Метки: выпрямительных, осернекия, селеновых, элементов

...и стабплизацни процесса испарения, обеспечивающей предотвращение старс нп 51 серы, предлагается наг 515 в 51:111 с последней осуществлять в гсрме 1 пческп закрытом термостате, заполнг 51 ном гл 11 церином и снабженном теро 1 орегулятором для автоматического регулирования температуры нагрева.На Фиг. 1 в двух проекциях показана конструкция испарителя.Исп 11 ритель выполнен в виде алюминиевого бачка (1) прямоугольного сечения, погруженного в железный бачок (2), имеющий таку 1 о же прямоугольную Форму и образующий термостат. Места сочленения бачков (1) и (2) герметизированы и ме;кду ними проложены прокладки (3) из смеси асбеста с жидким стеклом. В бачок (1) загружается чистая ретортная сера (4). Бачок (2), устанавливаемый на...

Номер патента: 104720

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Прохоров, Яхно

МПК: H01L 21/10

Метки: выпрямительных, селеновых, таблет

...пластину, 1 апрессовывастся слой висмута.С целью упрощения производства предлагается указанное иапрессовапие висмута осуцествлять путем и- пользования для этого висмутироваи. ной алюминиевой фольги. которую ца прессов ывают иа алюмивиевые пластииы или листы послпацесеипя кадмия и слева.Послтермообработки с листов или пластин спимается фольга и ца по- врхпости селеиа остается слой висмута, па который наноситя верхний электрод, состоягций из олова, кадмия, серебра и других металлов.Из листов выруоаются таблеть диаметром 5 и 7,2 мм или элементы д 1 втих размеров. Верхпий электрод можт папоситься также и на таблеты после пх выруоки. зля наиесешгя верхие 1 о электрода мо пут быть использовапы вакуузшое папариваиие, катодное распыле,шс...

Номер патента: 148144

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Березина, Бочарова, Геллер, Евдокимов, Ильницкая, Кочин, Омеров, Салынский

МПК: H01L 21/10

Метки: вольтамперной, выпрямительных, крутой, селеновых, характеристикой, элементов

...основной слой селена при температуре подложки 100 - 12Способ, согласно изобретению, осуществляется по следующнологии:подготовка элементов, отбивка песком, висмутированиеэлектрода;нанесение первого слоя селена толщиной 10 - 15 микрон инературе подложки 60 - 80,нанесение слоя селена толщиной 5 микрон с присадкой галтемпературе подложки 100 - 120;нанесение основного слоя селена при температуре подложк120";нанесение катодного сплава, содержащего галлийМногослойные селеновые элементы со средним слоем селдержащим галлий, имеют малое сопротивление в пропускном нании и большую крутизну вольтамперной характеристики.Благодаря этому при утроенном значении плотностиционного тока 75 ма/сиР, величина прямого падения напрявых элементоВ нИже,...

Номер патента: 341378

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Полякрв

МПК: H01L 21/10

Метки: тиристор

...граничащая спусковой областью,Напряжение пробоя пусковой облзсти подполевым электродом ниже, чем на остальной частиграницы с управляющей областью, и зависит отвеличины напряжения смешения на полевомэлектроде, а води мости.Над границей пусковой области 5 и управляющей области 3 размещен полевой электрод, состоящий из диэлектрического слоя 6 и электрода 7,Кобластям 1,3,4 и 5 подсоединены контакты 8.11, Эти контакты н металлический электрод 7имеют выводы 12. 16 соответственно.Если между выводами 12 и 14 приложено внешнее напряжение таким образом, что на вывод 12подается плюс, а на вывод 14минус, а междувыводами 13 и 16 так, что вывод 13 смещаетсяположительно относительно вывода 16, то тиристорзаперт, а под металлическим электродом 7 в...

Номер патента: 366803

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Поляков

МПК: H01L 21/10

Метки: коммутирующее, полупроводниковое

...собой и имеют общий вывод 16, а контакт 14 имеет вывод 17. Области.2,4, 6 и 1 образуют структуру первого тиристора, а области 3, 5, 7 и 1 - структуру второго тиристора, причем у обоих тиристоров имеетсеЗбб 803 Составитель , ФедюашеТехред И, Клиьгко Корректор В Пвмагм Редактор,А, Затытни Эмез 21 36/223 Тирам 976 Подписное ЦНИИПИ Государствивого комител Совета Мищстров СССР но делам изобретений в открытий 113 О 35, Москва, М.35, Раушскач наб., д, 4/5Филиал ЙЙИПатент", г, Узтсрод, уть Проектно: 4 общая область . пластина (база) 1. Связь контак.тов 10 и 13 с выводом 15 и контактов 11 и 12 с выводом 16 обеспечивается встречно параллельным соединешвм тиристоров, т.е. вводная область первого тиристора. соединена с катодной областью 5 второго...