Патенты с меткой «суперлюминесцентный»

Номер патента: 1139337

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, суперлюминесцентный

...в плоскости 100) изготовлена полупроводниковая структура, представляющая собой последовательнорасположенные и-СаАз - подслой толщиной 8 мкм и и-Сао А 1 р, Аз - ограничивающий слой толщиной 3 мкм (ниж- .няя пассивная область 2), СаАз - ак 5тивный слой 3 толщиной 0,4 мкм ир - и переход 4, образованный междуактивным слоем 3 и верхней пассивнойобластью 5, которая, в свою очередь, ..состоит иэ р-Сао,А 1 З,-Аз ограничива ющего слоя толщиной 1,5 мкм, р-СаАзслоя 6 толщиной 2,5 мкм и и-СаАзслоя 7 толщиной 1,5 мкм. В описаннойструктуре с помощью химического травления создана канавка определенной 15формы глубиной 3,5 мкм. Эта канавкарасположена под углом сС =9 - 16 ксколотым граням структуры. Для обеспечения протекания тока только...