Способ изготовления оснований корпусов микросхем

(53) 621.382.0 Ьюл. В 3н, В.М.МолчаГ.С.Олехнови2(088.8) в,ерс Дж. Технол гибридных инте р, 1975,аммерлстопл гия чных ьных схе36-366.рибовскисхемы. М0-254,Ми вердые керамичесия, 1971,Энер с.(54) СПО КОРПУСОВ (57) Изо ронной т качества схем, эк етение относи элект хнике.и надеж ель - повышен ости корпусов микро фицитньм химических ном ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Б ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСНОВАНИМИКРОСХЕМ материалов. Способ изготовления оснований корпусов микросхем включаетукладку отлитых оснований в заполненные окисью магния металлические лодочки и два этапа спекания оснований:низкотемпературное выжигание органической связки в воздушной среде конвейерной печи и высокотемпературноеспекание, Второй этап спекания осуществляют в тех же металлических лодочках с окисью магния, что и на первомэтапе, в защитно-восстановительнойсреде, в качестве которой используютсмесь азота и водородаВторой этапспекания производят при Т , =(840+110)-(860110) С с расходом азота (0,6-2,0) м /ч, водорода 1,5-3,0 м /чпри скорости движения ленты конвейерной печи (8,3-9,7)10 м/с. 2 з,п.ф-лы.13689 риалов.Основания корпусов, поступившиес операции выжигания связки, беэ перегрузки из окиси магния в металлических лодочках поступают в конвейернуюпечь с азотно-водородной средой, гдерасход азота составляет 0,6 - 2 м/чи водорода 1,5-3 м /ч в зависимости 15от типа печи. Температура в печио,Т , =860 С. Скорость движения конвейерной ленты печи (8,3- 11, 7) 10 м/с,После второй стадии спекания основания корпусов просеивают и обдуваютвоздухом от окиси магния, затем отмывают в 27-ном растворе соляной кислоты и передают на дальнейшие операции.Прочность и надежность основанийкорпусов микросхем достигается засчет восстановления окисной пленкина металлической арматуре и исключения горячего травления и осветленияв кислотах.Механизм воздействия защитно-восстановительной среды совместно с адсорбентом (окисью магния) на металлическую арматуру основания таков,что водород, проходя через слой засыпки окиси магния, очищается отимеющейся влаги, восстанавливая окисную пленку, образованную в первой,второй и третьей зонах печи, не наводораживает металлическую арматуру,что приводит к повышению механической 40прочности и надежности оснований,Режим второй стадии спекания подобрантаким образом, что окисная пленка наметаЛлической арматуре оснований, полученная на режиме выжигания связки 45при температуре Т=620 С, восстанавливается частично в г ервой, второй и третьей зонах, и оставшаяся тонкая окисная пленка надежно спаивается со стеклом без снижения прочности 25 Использование предлагаемого способапозволит повысить качество и надеж ность корпусов микросхем и сэкономитьдефицитные химические материалы (азотную, серную, соляную, лимонную кислоты). Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления корпусов микросхем.Цель изобретения - повышение качества и надежности корпусов микросхем, экономия дефицитных химических матеспая,П р и м е р, После литья основания корпусов укладывают в лодочки из нержавеющей стали и засыпают окисью магния. Затем лодочки с основаниями ставят на конвейерную ленту печи типа блок, где происходит выжигание связки по следующему режиму: Т,=170 + 20 С; Тх=270 + 20 С; Т=470 + 20 С; 33 2Т =610 + 20 С. Скорость конвейернойленты 7=(3,3-3,7) 10 м/с. Газоваясреда - воздух.После выжигания связки лодочки с основаниями передают на вторую конвейерную печь типа блок, где происходит спекание оснований в газовой атмосфере (азот, водород) по следующему режиму: Т, =380 ф 20 С; Т=630 ф 20 С;Т=830-10 С, Т =840-10 С, Скоростьконвейерной ленты (8,3-9,7) 10 м/сГазовый режим: Р-расход газа:Левая завеса: Р,=4-6 м /ч азота,И ; Р =3-4 м /ч азота, И ; смесь азота с водородом Р =0,2-0 8 м /ч(н, В 1фазот в муфеле Р, =0,6-1,2 м/ч,Правая завеса: Р =4-5 м /ч азота31Р =5-6 м /ч азота, М; водородв муфеле Рц =1,5-2, 1 м /ч; продувкаР =0,62-0,66 м /ч,Затем основания разгружают из лодочек, просеивают от окиси магния,обдувают воздухом и отмывают в 27,-нойсоляной кислоте. Формула изобретения 1Способ изготовления оснований корпусов микросхем, включающий укладку отлитых оснований в заполненные окисью магния металлические лодочкив два этапа спекания оснований: низкотемпературное выжигание органической связки в воздушной среде конвейерной печи и высокотемпературное спекание, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения качества и надежности корпусов микросхем, экономиидефицитных химических материалов,второй этап спекания осуществляют втех же металлических лодочках с окисью магния, что и на первом этапе,в защитно-восстановительной среде,2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в качестве защитно-восстановительной среды используют смесь азота и водорода,3. Способ по пп, 1 и 2, о т л ич а ю щ и й с я тем, что второй этап1368933 4дорода 1,5-3,0 м /ч при скорости двихения ленты конвейерной печи (8,39,7) 1 О м/с. спекания оснований производят притемпературе Т=(840 ф 10)-(860+10) Сс расходом азота (0,6-2,0) м /ч, воСоставитель С.ЧиликинРедактор А.Коэориз Техред Л,Олийнык Корректор М.Максимишинец Заказ 309/53 Тирах 746 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская иаб д, 4/5