Тырроф

Номер патента: 1352445

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Тырроф, Шмидт

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: ионно-лучевых, маски, проекционных, свободной, систем, электронно-и

...литографии.Если требуется получить рисунок с более высоким разрешением, то при формировании вспомогательной маски из двуокиси крем. ния используется ионолитография, а в качестве ионорезиста - молибден.Пример 2, На подложку, например из кремния или алюминия, осаждается первый слой никеля толщиной примерно 5 мк, а затем при помощи шаблона типа ядерного фильтра литографически формируют контакт. ную маску, рисунок которой путем травления ионным лучом напряжением 1 кВ и плотностью тока 1 мА/смпереносится в никелевый слой. При этом плотность тока и напряжение должны выбираться таким образом, чтобы исключить усадку или разложение контактной маски и обеспечить соотношение скоростей травления никеля и маски 1. В данном случае достигается" 54...